生物芯片碳微电极的C-MEMS工艺研究

采用C-MEMS(carbon-microeletromechanic system)新型工艺制备碳微电极,将光刻胶经光刻、热解而得到导电碳微电极图形.利用国产BP212光刻胶及进口SU-8光刻胶高温热解分别得到方块电阻为120 Ω/□的平面碳微电极和厚度约为7 μm的柱状三维电极.该工艺与金属微电极制备方法相比,具有工艺简单、成本低、可重复性强,设计灵活的优势,所制备得到的碳微电极具有良好的电学性能,满足使用要求.     

~(63)Ni-Si辐射伏特电池镍薄膜源设计与制备

在辐射伏特电池换能器件表面直接制备~(63)Ni辐射源的方法存在加载量少、活性低、PN结性能退化等问题。该文提出一种利用氧化铟锡(ITO)薄膜作为导电层材料实现在透明封装玻璃表面电镀~(63)Ni源的方法。根据辐射源自吸收效应理论模拟计算了~(63)Ni-Si辐射伏特电池辐射源的最佳厚度。采用磁控溅射工艺在400μm玻璃基底上制备了厚度为180nm的ITO导电薄膜,利用电化学工作站,对ITO薄膜表面进行电镀镍,对镀镍之后的薄膜材料微观形貌、薄膜厚度进行表征,并对基于该辐射源制备方法的~(63)Ni-Si辐射伏特型同位素电池电学输出性能进行理论仿真,仿真结果表明:在厚度为2μm、活度为7.25×108Bq、面积为36mm2辐射源的辐照下,辐射伏特电池理论上能够输出85.4nW输出功率。     

强化H2O2探测的孔隙可调的多孔ITO玻璃的制备

通过将旋涂有锌粉的氧化铟锡(ITO)浸入盐酸乙醇的混合水溶液中腐蚀,成功制备均匀多孔ITO(PITO)玻璃.采用乙醇使腐蚀造孔反应变得可控且均匀,还揭示了锌粉将ITO还原为金属In和Sn的腐蚀机理.通过简单调节锌粉乙醇溶液的浓度和乙醇体积比,可在20～280 nm和49～213μm-2范围内连续调节孔径大小和孔分布密度...     

基于ITO玻璃-PDMS复合式低电压电泳芯片的快速制备

提出了一种基于ITO玻璃-PDMS复合式低电压电泳芯片的快速制备新方法.该方法采用Protel软件绘制低电压电泳芯片沟道的形状,利用电路板加工技术加工沟道模具,并采用PDMS整体浇注方法制备芯片微沟道;采用光刻、湿法刻蚀等微加工技术方法对ITO导电玻璃进行加工,并制备出ITO阵列电极.最后经修饰、封装等工序得到基于ITO玻璃-PDMS复合式低电压电泳芯片.实验表明:采用该方法制备的ITO阵列电极线条清晰,沟道侧壁陡直、表面光滑.同时,采用该方法制备芯片周期短,不需要昂贵的制作设备.     

离子辅助反应蒸发技术室温制备ITO薄膜

室温下利用离子辅助反应蒸发法在玻璃衬底上制备高透射比、低电阻率的ITO透明导电薄膜. 实验结果表明离子辅助蒸发可以有效地降低制备温度,提高薄膜的光电特性,薄膜具有明显的(222)择优取向,晶体粒子尺寸约为21 nm;离子源屏压、通氧量及沉积速率是影响薄膜光电特性的主要因素. 室温制备的ITO薄膜电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,可见光平均透射比大于82%.     

强化H_2O_2探测的孔隙可调的多孔ITO玻璃的制备（英文）

通过将旋涂有锌粉的氧化铟锡(ITO)浸入盐酸乙醇的混合水溶液中腐蚀,成功制备均匀多孔ITO(PITO)玻璃.采用乙醇使腐蚀造孔反应变得可控且均匀,还揭示了锌粉将ITO还原为金属In和Sn的腐蚀机理.通过简单调节锌粉乙醇溶液的浓度和乙醇体积比,可在20～280 nm和49～213μm~(-2)范围内连续调节孔径大小和孔分布密度.引入的孔轻微地提升了ITO的透光率,并使其对双氧水的探测灵敏度提高至16.4倍.     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究

以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为主要原料,采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□.     

成膜工艺对sol-gel电致变色WO3薄膜的影响

以钨粉过氧化聚钨酸法配制溶胶,采用脉冲电泳沉积和浸渍提拉两种工艺在ITO导电玻璃基底上制备电致变色WO3薄膜,研究溶胶-凝胶成膜工艺对WO3薄膜微观结构、光学性能和电化学性能的影响.结果表明,两种成膜工艺制备的WO3薄膜均呈非晶态,薄膜厚度相近,约为252 nm.与浸渍提拉法相比,脉冲电泳沉积制备的薄膜具有更大的光学调...     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .     

以无机盐为出发原料的喷雾热解法制备ITO薄膜的研究

分别以In(NO3)3·4.5H2O与InCl3·4H2O为出发原料、SnCl4·5H2O为掺杂剂、乙酰丙酮(AcAcH)为螯合剂、甲醇为溶剂使用喷雾热解法在普通钠钙玻璃板上制备了ITO薄膜。以In(NO3)3·4.5H2O为出发原料沉积ITO薄膜速率慢,沉积出的薄膜无择优取向,其晶粒在100~150nm之间,品质因数为4.03×10-3Ω-1;而以InCl3·4H2O为出发原料沉积ITO薄膜速率快,沉积出的薄膜具有(400)择优取向,其晶粒尺寸在200~400nm之间,品质因数为5.85×10-3Ω-1。     

脉冲电化学法制备“海绵状”聚苯胺

采用脉冲电化学法,以盐酸为掺杂剂,在ITO导电玻璃上电沉积制备"海绵状"疏松结构的聚苯胺(PANI)材料,通过SEM、FTIR以及UV-vis对合成的产物进行表征.结果表明:该疏松结构的材料主要是由直径60 nm左右的PANI纳米纤维组成,其表面有很多50~200 nm的PANI纳米颗粒,最后得到的产物是掺杂态EB结构的PANI.文中对这种结构产物的形成机理进行了初步探讨.     

正交试验法优化导电聚吡咯驱动器制备工艺参数

导电聚合物具有广泛的应用前景,为制备出高性能的导电聚合物驱动器材料,现采用正交实验法对导电聚吡咯(PPy)的制备工艺参数进行优化,其中以吡咯为聚合单体,聚偏二氟乙烯(PVDF)为基材,双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li+TFSI-)为掺杂剂,通过磁控溅射—电化学沉积方法制备获得三层结构的聚吡咯驱动器材料.以1 V,2 V驱动电压下的位移大小为考察指标,采用正交试验法分析制备过程中电流密度、吡咯浓度、聚合时间及温度等因素对驱动器材料位移性能的影响.试验结果表明:对制备PPy位移性能影响的最大的因素是电流密度,最佳工艺参数组合为:A3B1C3D2.即电流密度可选择为0.15 mA/cm~2,吡咯浓度为0.1 mol/L,聚合温度由于影响不大可采用-25~-35℃之间的温度,聚合时间可选10 h.     

氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响

利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.     

射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响

ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学性能与各溅射参数之间的关系。当溅射功率大于40 W时,制备的ITO∶W薄膜为方铁锰矿结构的多晶薄膜,此时薄膜表面光滑平整而且具有良好的结晶性。在基板温度320℃、溅射功率80 W、溅射时间15 min、工作气压0.6 Pa条件下得到了光学和电学性能优良的ITO∶W薄膜,其方块电阻为10.5Ω/、电阻率为4.41×10^-4Ω·cm,对应的载流子浓度为2.23×10²⁰ cm^-3、迁移率为27.3 cm²·V^-1·s^-1、可见光(400～700 nm)范围内平均透射率为90.97%。此外,本研究还发现通过调节基板温度影响氧元素的状态可以改变ITO∶W薄膜的电学性能。     

氧化铟锡薄膜材料制备及其光电特性研究

采用溶胶-凝胶旋转涂膜法,以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜材料,研究掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.实验结果表明,ITO薄膜的方块电阻和可见光透射率都与掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和时间等因素有关,最佳参数为锡掺杂量12wt%,热处理温度和时间分别为450℃和1h,薄膜层数为6层.最佳ITO薄膜的方块电阻为185Ω/□,可见光平均透射率为91.25%.     

氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究

以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10~(-3))、位错密度最小(3.409×10~(14)m~(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能.     

三七总皂苷壳聚糖纳米粒冻干粉的制备工艺研究

为提高三七总皂苷壳聚糖纳米粒(PNS-NPs)的稳定性,采用冷冻干燥法制备冻干粉并优化其冻干工艺.通过离子凝胶法制备PNS-NPs,以再分散性、粒径分布及微观形态及药物渗漏率为指标,进行全面实验和配伍实验筛选最优冻干工艺.结果表明: PNS-NPs冻干粉最佳制备工艺为预冻时间12 h、冻干保护剂为2.5%蔗糖+2.5%海藻糖.在该条件下制得的冻干粉分散性好、无粘连,扫描电镜显示其微观形貌呈球形; 分散后粒径为(138.30±3.15)nm,相比于冻干前原液有所增加,但各组分药物渗漏率均未超过5%.PNS-NPs冻干粉有望成为PNS纳米新剂型.     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.     

采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列

针对目前MEMS工艺里由于微电铸铸层内应力导致的金属微结构与基底容易脱离的问题和不足,提出一种借助盲孔填充技术制备微电极阵列的方法。选择KMPR作为胶模材料,首先通过UV-LIGA工艺制备出180μm厚的阵列孔缝胶模结构,然后在胶模表面溅射Cu种子层,优化电铸工艺参数:电铸前采用真空润湿的方法排出孔缝内气泡,电铸液中加速剂与抑制剂浓度分别为4×10~(-6)mol/L和24×10~(-6)mol/L,电流密度为1 A/dm~2,在孔缝内电铸铜,并在胶模表面电铸出铜基底,最后获得了高180μm,线宽200μm的两种柱状金属微电极阵列。试验结果表明,盲孔填充技术是一种低成本、安全的制作金属微电极阵列的方法。     

TiO_2/ITO负载型催化剂的制备与表征

采用溶胶凝胶法制备出ITO导电玻璃负载的TiO2薄膜光催化剂.利用XRD、Raman和SEM等手段对催化剂进行表征,结果表明:经500℃焙烧1h的TiO2/ITO薄膜光催化剂,以锐钛矿晶型存在;镀膜4次的TiO2薄膜表面均匀,对紫外光吸收强烈.乙酸的降解实验表明:TiO2/ITO薄膜与等负载量的TiO2粉末相比具有较高的光催化活性.