新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xSe和Zn＿（1－x）Co＿xS的能谱

本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ中Ｃｏ￣（２＋）离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较，获得了相应的晶场参量Ｄ＿ｑ，Ｒａｃａｈ静电参量Ｂ，Ｃ和自旋－轨道耦合参数λ。本文对Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ分别指认了观测到的Ｃｏ￣（２＋）离子能级间的跃迁。对较低能级部分，实验结果与理论计算符合较好。     

新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xS光谱特性的实验研究

在７３～３００Ｋ温度范围内，首次测量了不同组分的新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ（ｘ＝０．００１，０．０１，０．０３，０．０４８，０．０５３，０．０６３）的近红外和可见区的吸收光谱和磁圆二色谱。观测到一系列吸收峰和磁圆二色谱峰，两者互相对应，其峰位与样品组分ｘ值无关。它们分别对应于Ｃｏ￣（２＋）离子在Ｔ＿ｄ对称的晶体场中不同能级间的跃迁。     

Eu_（1－x）Sr_xFeO_（3－y）的~（57）Fe Mossbauer谱

报导Ｅｕ＿（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＦｅＯ＿（３－ｙ）（ｘ＝０．０～１．０）的固相反应法合成，测量了其Ｘ射线衍射及室温下的￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ＿３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。室温下￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱由一套反铁磁六线谱、一套顺磁双线谱和一套顺磁单线谱组成（Ｘ＝０．２，０．４，０．６）．处于立方相的Ｆｅ离子的ＩＳ介于Ｆｅ￣３＋和Ｆｅ￣４＋之间，可能参与电子跳跃。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

Tm_2Fe_（17）C_x化合物自旋重取向的理论研究

用单离子模型计算了Ｔｍ＿２Ｆｅ＿（１７）Ｃ＿ｘ化合物中稀上离子Ｔｍ￣（３＋）的磁晶各向异性稳定能随温度的变化关系．并考虑到铁次晶格的易磁化面，最后算出了Ｔｍ＿２Ｆｅ＿（１７）Ｃ＿ｘ自旋重取向温度与Ｃ原子含量之间的关系。     

自旋三重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响

本文在强场图象下推导了３ｄ４／３ｄ６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式．采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ）．理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好．并且发现自旋三重态对基态的ＦＳＳ起着重要的影响     

Bi＿2Sr＿2Ca＿1Cu＿（2－x）Fe＿xO＿y超导体穆斯堡尔谱电场梯度的研究

利用点电荷模型和有效离子键价理论，对铋系２２１２相中对超导性能有重要意义的金字塔晶位的电场梯度进行了计算。在低浓度铁掺杂的铋系２２１２相晶体中，处于金字塔晶位的Ｃｕ原子被Ｆｅ原子替代，计算了以Ｆｅ原子为中心，半径为ｒ≤１５Ａ的球形区域中，各电荷对Ｆｅ处电场梯度的贡献。此Ｃｌｕｓｔｅｒ内包含了９１３个离子。理论计算得到金字塔晶位上铁核处电场梯度对称的四极劈裂为ＱＳ＝０．６１４４ｍｍ／ｓ，与Ｂｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿１Ｃｕ＿２－ｘＦｅ－Ｏ＿Ｙ样品的室温穆斯堡尔谱实验结果符合很好。     

Ga＿（1－x）In＿xAs＿（1－y）Sb＿y四元合金系光学性质的研究

对以ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ＿（１－ｘ）Ｉｎ＿ｘＡｓ＿（１－ｙ）Ｓｂ＿ｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ＝０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ—３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

方程x（t）＝—f（x（t），x（t—r＿1），（t—r＿2））非常数周期解的存在性

研究了方程ｘ（ｔ）＝─ｆ（ｘ（ｔ），ｘ（ｔ─ｒ＿１），（ｔ─ｒ＿２））（Ａ）非常数周期解的存在性。证明了在某些条件下，方程（Ａ）有以４ｒ＿１／（１＋４ｎ）（ｎ为非负整数）为周期的非常数振动的周期解。     

自旋三重态对半磁半导体Cd1—xFexTe和Cd1—xFexSe的基态精细结…

本文在强场图象下推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式，采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ＾２＋在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ），理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好，并且发现自旋三重态对基态折ＦＳＳ起着重要的影响。     

含钕石榴石磁光效应的量子理论

应用量子理论分析了含钕石榴石中Nd^3 离子的磁光效应；计算了50～300K温度范围内离子的Faraday偏转及300K时Faraday偏转与光子能量的函数关系．计算结果表明，Nd：YIG中Nd^3 离子的磁光效应主要源于离子内4f^3→4f^25d的电偶极跃迁；离子能级由于旋轨耦合、晶场作用及超交换作用而劈裂；实验观察到的Faraday偏转为顺磁性的．计算结果与实验符合良好．     

Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系退火特性

通过溶胶-凝胶法获得孔SiO_2载体。浸泡合成法获得Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系样品,在氮气保护条件下和空气中研究了它们的退火特征,在两种不同的气氛下,它们的退火行为不同,前者的光吸收谱表现为红移而后者则蓝移。     

Cd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转效应

测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。     

La_(1-x)K_xMnO_3磁卡效应的研究

用溶胶法制备了Ｌａ１－ｘＭｎＯ３系列样品,经ＸＲＤ分析表明样品为单相钙钛矿结构。ＴＥＭ结果显示样品的颗粒基本呈球状,粒径约在２００～３００ｎｍ之间。利用振动样品磁强计（ＶＳＭ）测量了样品的Ｍ－Ｔ和Ｍ－Ｈ曲线,研究了样品的居里温度和最大磁熵变随掺杂量的变化规律。结果表明,当调节居里温度在室温附近时,样品在低磁场下仍具有较大的磁熵变,有望成为在室温下使用的磁制冷工质。     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子

采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .     

Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6单晶及其介电谱

本文报告了f=1KHz到1GHz范围内Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6(CdSBN)单晶的新鲜样品,和经交变电场处理后样品的介电谱.实验表明,低频介电弛豫经强交变电场处理后而消失,同时交流电导率也降低.在施加偏置电场后,其介电常数出现极大值的温度T_m向高温方向移动,这可用场致相变加以解释.同时也说明该晶体属于二级相变的特性.又在实验所加的偏置电场范围内,晶体相变的弥散性不产生影响.     

直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁

利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-x Gex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感;基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小,同时光极化率峰值所对应的光子能量减小.     

Vortex-like excitations and the onset of superconducting phase fluctuation in underdoped La(2-x)Sr(x)CuO4

Two general features of a superconductor, which appear at the critical temperature, are the formation of an energy gap and the expulsion of magnetic flux (the Meissner effect). In underdoped copper oxides, there is strong evidence that an energy gap (the pseudogap) opens up at a temperature significantly higher than the critical temperature (by 100-220 K). Certain features of the pseudogap suggest that it is closely related to the gap that appears at the critical temperature (for example, the variation of the gap magnitudes around the Fermi surface and their maximum amplitudes are very similar). However, the Meissner effect is absent in the pseudogap state. The nature of the pseudogap state, and its relation (if any) to the superconducting state are central issues in understanding copper oxide superconductivity. Recent evidence suggests that, in the underdoped regime, the Meissner state is destroyed above the critical temperature by strong phase fluctuations (as opposed to a vanishing of the superfluid density). Here we report evidence for vortices (or vortex-like excitations) in La(2-x)Sr(x)CuO4 at temperatures significantly above the critical temperature. A thermal gradient is applied to the sample in a magnetic field. Vortices are detected by the large transverse electric field produced as they diffuse down the gradient (the Nernst effect). We find that the Nernst signal is anomalously enhanced at temperatures as high as 150 K.     

CsSm_（1－x）Eu_xI_3体系及其荧光光谱

已知二价稀土三元碘化物ＣｓＳｍＩ３的结构，以半径较小的Ｅｕ２＋取代Ｓｍ２＋，在ＣｓＳｍ（１－ｘ）ＥｕｘＩ３体系中，得到一系列与ＣｓＳｍＩ３同结构的化合物。它们的摩尔体积随着ｘ的增大而直线下降，形成了连续固溶体，在３３０ｎｍ激发下，固溶体的荧光发射在ｘ＝０．８时，为６５０～８００ｍｎ处Ｓｍ２＋的ｄ_ｆ跃迁宽带发射，反映了Ｅｕ２＋_Ｓｍ２＋的能量传递。