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1.
旋涂法制备二氧化钛纳米薄膜的光催化性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶-凝胶法和旋涂法在普通玻片上制备了具有锐钛矿相结构的TiO2纳米薄膜,系统研究了退火时间对薄膜中TiO2纳米晶粒的尺寸和TiO2薄膜光催化效率的影响。结果表明,随着退火时间的增加,薄膜中TiO2纳米晶粒的尺寸增加,但TiO2薄膜的光催化效率降低。据此从理论上分析了引起上述实验现象的物理机制。 相似文献
2.
《中国新技术新产品精选》2001,(Z1)
自从1972年 Fujishima 等发现受辐射的 TiO_2表面能发生水的持续氧化还原反应以来,以其为代表光催化材料已得到广泛的研究.在大于其带隙能光照条件下 TiO_2光催化剂不仅能完全降解环境中的有害有机物,而且可氧化去除大气中低浓度的氮氧化物 NO_x和含硫化合物 H_2S、SO_2等有毒气体,另外 TiO_2光催化剂还具有杀菌,除臭等功能,可进一步净化,改善我们的生活环境.由于 TiO_2本身具有高的光催化活性,高化学稳定性,价格低廉,使用安全,制备的薄膜透明等特点,作为新一代的环境净化材料,它已得到广泛应用最近,TiO_2表面经紫外光照射后具有超亲水和超亲油特 相似文献
3.
二氧化钛光催化活性及其改性研究 总被引:13,自引:0,他引:13
介绍用于光催化氧化半导体催化剂的作用原理,综述有关贵金属沉淀、复合半导体、掺杂稀土元素、纳米TiO2等半导体,并对其原理和制备作了简要说明。 相似文献
5.
纳米二氧化钛光催化性能的研究 总被引:8,自引:1,他引:8
研究了纳米二氧化钛的光催化性能,并对工业废水中有机污染物进行处理,筛选出最佳的光催化工艺条件。利用锐钛型纳米二氧化钛作催化剂,其用量为3. 0~4.0 g· L-1。废水经处理,可达到国家允许排放标准。 相似文献
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7.
纳米二氧化钛光催化性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了纳米二氧化钛对2,4-二氯苯酚的光催化降解效率,并就TiO2的晶型、粒子尺寸、负载稀土元素的浓度、催化剂用量、通氧气速度、紫外光强度等因素对其光催化性能的影响进行了探讨.从而筛选出了最佳的光催化工艺条件. 相似文献
8.
掺杂锡离子对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶一凝胶法在玻璃上制备了透明锐钛矿型纳米TiO2薄膜和金属锡离子掺杂的锐钛矿与金红石混晶型纳米TiO2薄膜,并利用 X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外一可见分光光度计对合成的薄膜进行表征.研究了掺杂锡离子对TiO2薄膜吸收光谱及光催化活性的影响,结果表明掺杂锡离子使得TiO2薄膜对入射光的吸收带边发生红移;适量掺杂锡离子能够显著的提高TiO2薄膜的光催化活性.并探讨了镀膜层数对薄膜光催化活性的影响,发现对于掺杂不同浓度锡离子的TiO2薄膜均有其对应的最佳膜层数. 相似文献
9.
电子束辐照在二氧化钛上沉积银制备高性能光催化薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
利用5MeV电子束辐照AgNO3溶液浸泡的TiO2薄膜,得到高性能的Ag/TiO2光催化结构.浸泡AgNO3溶液的最佳浓度为5×10-4mol.L-1. 相似文献
10.
采用溶胶一凝胶法在玻璃上制备了透明锐钛矿型纳米TiO2薄膜和金属锡离子掺杂的锐钛矿与金红石混晶型纳米TiO2薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外一可见分光光度计对合成的薄膜进行表征。研究了掺杂锡离子对TiO2薄膜吸收光谱及光催化活性的影响,结果表明掺杂锡离子使得TiO2薄膜对入射光的吸收带边发生红移;适量掺杂锡离子能够显著的提高TiO2薄膜的光催化活性。并探讨了镀膜层数对薄膜光催化活性的影响,发现对于掺杂不同浓度锡离子的TiO2薄膜均有其对应的最佳膜层数。 相似文献
11.
《南阳理工学院学报》2017,(4):24-27
本文以钛酸四丁酯为原料,采用水热法在FTO导电玻璃上制备了TiO_2纳米棒薄膜,应用SEM和XRD对膜层的形貌和晶型进行了分析和表征,并通过TiO_2纳米棒薄膜对甲基橙的光催化降解,研究了TiO_2纳米棒薄膜的制备条件与光催化活性的关系。结果表明:增加钛酸四丁酯的浓度和提高水热温度,都会提高样品的结晶程度,增加金红石相TiO_2的组分,使薄膜对紫外线的吸收明显增强,光催化性能显著提高。用该法制备的TiO_2纳米棒薄膜均匀、致密、无可视缺陷、稳定性好,光催化效率高,并且不产生二次污染,具有广泛的应用前景。 相似文献
12.
用Sol-Gel法制备气敏传感器SnO2薄膜的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用无机试剂(SnCl4.5H2O)为原料,用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备研制气敏传感的SnO2薄膜,研究了SnO2薄膜的电阻随掺杂和温度的变化关系,并且用XRD对SnO2薄膜进行分析,结果表明,掺杂和热处理温度对薄膜晶粒尺寸的大小、薄膜的结构形态均有较大的影响,进而影响薄膜的电导及传感器的灵敏度。 相似文献
13.
利用氮气作保护气体,用元素合成法进行开管烧结,合成具有单一相黄铜矿结构的CuInSe2 多晶材料.用真空双源蒸发方法,通过精确控制CuInSe2 源和Cu 源或Se 源的温度和蒸发速率以及衬底温度,制备CuInSe2 多晶薄膜,并对CuInSe2 多晶薄膜的组份、结构、工艺条件及电学性质进行了分析、研究 相似文献
14.
郭少华 《中南大学学报(自然科学版)》1997,(5)
给出了损伤各向异性体规范空间结构的概念。对具有简并子空间性质的简单异性体,在定义柔度的基础上,提出了渐近逼近本征值与本征矢的微扰方法,并导出向复杂异性结构分裂演化的判别方程.利用微裂纹体柔度演化的细观计算结果,预测了损伤诱发的宏观各向异性效应,及相应的演化结构。探讨了物体在连续的外力作用下异性结构分裂的临界现象。 相似文献
15.
利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)源离子注入机在溶胶凝胶法制备的TiO2薄膜上注入V .薄膜表面的形态和结构分别用扫描电子显微镜(SEM)和X光衍射仪(XRD)进行了研究.通过紫外可见光漫反射谱仪(UV-Vis)测量了注入和退火后薄膜吸收光谱的扩展.在波长λ>400nm辐照下,甲基橙(MO)水溶液中的光催化实验证明,这种薄膜具备可见光波段的催化能力.这种催化效果在V 注量为1×1016 cm-2时最好. 相似文献
16.
17.
采用水基热分解法在SiO2/Si基底上制备了钛酸铅和掺镧钛酸铅铁电薄膜。详细研究了以水为溶剂,将铅盐和钛醇盐等直接加入到溶剂中制成先体溶液,测量溶液的DTA-TGA曲线和透光率曲线;对薄膜作XRD和SEM分析,并对其结果进行了简要讨论了测量了室温下薄膜介电性能和铁电性能。 相似文献
18.
锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
致密、纯钙钛矿结构的PZT(50/50)铁电薄膜已用MOD工艺(金属有机物热分解工艺)获得.通过优化原料的提纯和合成工艺,消除了原料中微量杂质离子,控制PZT先体溶液合成时的环境温度,制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液.采用多次甩胶成膜法,经400~500℃热处理,在Pt/SiO2/Si衬底上制得PZT(50/50)薄膜,膜厚520nm,其介电常数为270,损耗角正切为0.035(1kHz,0.05V测试电压),其绝缘电阻率为10~100TΩ·cm,剩余极化强度为20.6μC/cm2,饱和极化强度为27.7μC/cm2,矫顽场强为80kV/cm 相似文献
19.
在200keV重离子加速器上,使用120keV的H+,He+,N+,Ar+等离子对C60分子薄膜进行了辐射处理,对辐射后C60膜的Raman谱进行了系统地分析研究.离子辐射会影响C60薄膜的结构,不同的辐射注入剂量会使C60分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,这一现象的产生与辐射离子的剂量大小有关,并存在一剂量阈值.研究表明C60分子的聚合与辐射碰撞过程中的电子能损有关,而C60薄膜非晶碳化现象则主要受核能损的影响 相似文献
20.
聚丙烯薄膜辐射后生成电子陷阱的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文详细地研究了聚丙烯薄膜受到高能电子束辐照以后介质电性能的变化,利用不同吸收剂量下相应的热刺激电流直接地表征了介质中的陷阱密度随吸收剂量的变化.实验结果表明,在本文所研究的吸收剂量范围(1×10~3Gy~1×10~5Gy)内,辐照在薄膜中引起的电子陷阱密度随吸收剂量的增加迅速增大,介电常数与吸收剂量无关,介质损耗角正切随吸收剂量增加而升高.进一步分析表明,薄膜性能的这些变化主要是由氧化作用、辐射交联、辐射裂解所引起的.根据实验结果,本文提出了聚丙烯薄膜应用的吸收剂量宜限制在<1×10~4Gy的范围内. 相似文献