新型三维网状纳米金复合物的制备及表征

以一代聚酰胺-胺树枝状大分子(PAMAM)为分散剂,利用硼氢化钠还原氯金酸制备了新型三维网状纳米金复合物,考察了反应时间(t)、氯金酸与树形分子的摩尔比(n)、溶液pH以及还原剂用量对纳米复合物形成的影响.采用紫外分光光度计、傅里叶红外光谱仪以及透射电子显微镜对其进行了表征.实验结果表明:室温搅拌下,氯金酸根离子可与聚酰胺-胺形成稳定络合物,再加入还原剂原位合成了纳米金复合物,复合物呈三维有序网状结构.合成方法简便,有望用于生化分子及生物传感等领域.     

Gd3+掺杂纳米SnO2锂离子电池负极材料的制备与电化学性能研究

以SnCl4为锡源,Gd3+为掺杂离子,采用水热法制备出不同掺杂浓度的SnO2纳米晶.运用XRD、TEM、FT-IR以及充放电测试等手段对其结构、形貌、电化学性能进行了表征.结果表明所制备样品为四方晶系金红石型SnO2,Gd3+以替位方式掺入SnO2纳米晶中.当名义Gd3+掺杂浓度达到15%时,SnO2纳米颗粒转变为纳米棒.电化学性能表征发现SnO2纳米棒的首次充放电容量、循环稳定性以及库伦效率都要高于纳米颗粒,并且经过50次循环后SnO2纳米棒的比容量仍保持有370mAh/g.研究结果表明,由于掺杂的作用,调节了材料的形貌与尺寸,改善了SnO2纳米晶的电化学性能.     

金纳米片的低温水相还原法制备及表征

采用PVP作表面活性剂,抗坏血酸还原氯金酸的方法制备了单晶金纳米片,利用透射电镜、高分辨透射电镜和紫外可见光谱对产物进行了形貌分析和结构表征,结果显示纳米片为面心立方结构的单晶金,具有良好的晶体结构.紫外可见光谱中除出现位于580 nm的弱表面等离子体共振吸收峰（SPR）和位于975 nm处的强SPR吸收峰外,首次发现在740 nm和835 nm处同时出现了较难观察到的2个四极巨共振峰.并对金纳米片的生长机理进行了初步的分析和探讨,认为表面活性剂PVP诱导了纳米片不同晶面的生长速度.     

Ag2S纳米棒的制备与表征

本文以N-十二酰丙氨酸（LAA）在乙醇/水溶液中形成的水凝胶为模板,硫代乙酰胺（TAA）为硫源,在水凝胶体系中利用离子的原位自组装合成Ag2S纳米棒,并用透射电子显微镜及X射线粉末衍射仪对Ag2S纳米棒进行了表征.     

无模板合成一维纳米二氧化锰的研究

以Mn~(2+)为锰源,硝酸铵作为氧化剂,不需要任何表面活性剂或者模板,通过调控反应时间和Mn~(2+)离子的浓度,成功地用水热法制备出了大长径比的α-MnO_2·3H_2O纳米线、γ-MnO_2纳米线及β-MnO_2纳米棒.探讨了二氧化锰可能的生成机理.     

盐酸浓度对多孔中空棒状In_2O_3结构的影响

用化学腐蚀的方法把ZnO/In_2O_3核壳结构中的ZnO纳米棒除去形成多孔中空棒状的In_2O_3纳米结构,探讨化学腐蚀中ZnO核恰好完全去除,且壳层In_2O_3中空形貌不被破坏时HCl的最佳浓度。采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对产物的物相、微观形貌进行表征。结果表明:pH=1的HCl既可保证ZnO完全去除,又不影响In_2O_3多孔中空形貌。     

晶核层对ZnO纳米棒阵列结构和性能的影响

采用CBD两步生长法制备ZnO纳米棒阵列,分别选择ZnO粉末,Zn粉以及醋酸锌(Zn(OOCCH3)2·2H2O)低温分解的ZnO纳米颗粒作为晶核层.结果表明:由醋酸锌分解法获得的ZnO纳米颗粒旋涂层是最有利于取向性好、直径小的ZnO纳米棒阵列生长的晶核层,它不但可以明显减小ZnO纳米棒阵列的平均直径,而且还有效地改善了ZnO纳米棒阵列的密度和取向性.     

退火温度对ZnO纳米棒结构和光学性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了氧化锌(ZnO)纳米棒,通过测试样品的X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图像和光致发光谱(PL)研究了退火温度对ZnO纳米棒结构、形貌和光学性能的影响.结果表明:在900 ℃时会形成均匀的ZnO纳米棒.不同温度烧结得到的样品其光致发光峰不同但都有紫带和又宽又强的可见光带.当升高烧结温度时,由自由激子复合引起的紫外峰发生红移,这是由于晶粒尺寸的增加和应力的减少导致的.另外一个可见光发射峰是由过量的氧和结构缺陷引起的.最后根据实验结果研究了ZnO纳米棒的生长机制.     

复合形状的金纳米结构的合成以及在表面增强拉曼光谱上的应用

我们描述一个新的、简单的制备金纳米线、三角形和六边形纳米粒子的方法,在加热的条件下,用乙醇作还原剂和保护剂直接还原氯金酸,而不用添加其他的表面活性剂.通过调节反应体系中乙醇的量来控制合成金纳米线和规则形状的纳米粒子.得到的产物用紫外光谱仪、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)研究.结果表明金纳米结构的尺寸和形状依赖于反应温度的变化.更重要的是,用我们的方法制得的金纳米晶体可以用来作为以对巯基苯氨(4-ATP)为探针分子的表面拉曼增强基底.     

氧化锌纳米棒白光发光二极管

本文主要介绍ZnO纳米棒的生长及其优异的发光性能.分别采用低温(<100℃)和高温(-900℃)在p型衬底上生长ZnO纳米棒.ZaO纳米棒/p型衬底构成p-n结,从而制成发光二极管(LEO).利用光致发光(PL),点致发光(EL),以及电学性能测试仪等仪器设备测试LED的性能.结果表明,ZnO发射光的谱带很宽,可见光部分来源于深能级发射,预示ZnO在白光LED科技领域具有潜在的应用价值.