非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究

本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。     

硒化镉薄膜结构形貌和光谱特性的测试与探索

本文介绍硒化镉(CdSe)薄膜结构形貌和光谱特性的测试研究结果,以及制备工艺条件对该薄膜的结构形貌和光谱特性可能产生的影响所进行的某些探索。     

非晶硒化镉超快光电探测器瞬态响应

报道淀积条件对以非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响．     

碱性溶液中硒化镉电沉积过程的动力学研究

本文应用动电位扫描法,旋转圆盘电极及电位阶跃法研究了碱性溶液中CdSe 电沉积机理,确定了电极反应的控制步骤,并计算了动力学参数.     

硒化镉纳米线弹性性能的分子动力学模拟

采用分子动力学方法对硒化镉纳米线的弹性性能进行模拟,系统地研究了不同大小的硒化镉纳米线的弹性性质,得出其杨氏模量及泊松比与半径的变化关系．计算结果表明：在材料的弹性范围内,硒化镉纳米线的杨氏模量和泊松比均随着半径的增大而减小,且纳米线的杨氏模量比块体的大很多;纳米线横截面原子键长分布情况表明这种关系是由纳米体系表面效应随着体系的变小而增大这一性质决定的．     

硒化镉晶体光参量振荡器件制备参数研究

研究了红外非线性光学晶体硒化镉的光参量振荡器光学参数．根据非线性光学原理和折射率色散关系,报道了CdSe晶体在不同泵浦光波长（1．833、2．87和2．1646μm）下CASe光参量振荡器的角度调谐曲线,由此确定出信号光、闲频光以及相位匹配角的变化范围;并对CdSe晶体的走离角,有效长度以及相位匹配允许角等参数进行研究．以上研究结果,对CdSe光参量振荡（OPO）器件制备加工精度提供了重要的技术参数．     

电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜

以石墨为阳极、钛片为阴极,采用恒电流法制备Cu-In预制膜,然后硒化处理得到CuInSe2薄膜.分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素.结果表明:采用不同的电沉积工艺,可以得到不同相组成的Cu-In预制膜.在保证Cu/In小于1的条件下,降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比,选择较高电流,可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜.含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜,经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成,并且符合化学剂量比要求;而只含有CuIn相的预制膜硒化后除了有CuInSe2相外还出现了CuSe相.     

硫硒化镉大红陶瓷颜料的湿法结合固溶体制备

在原料中添加一定量的石墨烯,进行了硫硒化镉大红陶瓷颜料的湿法结合固溶体制备及性能测试。结果表明,方法获得了以Cd(S0.33Se0.67)、Cd(S0.42Se0.58)和ZrSiO4固熔体为主要物相组成的硫硒化镉大红陶瓷颜料,该颜料能耐受1 300℃高温,且具有优良的耐酸碱侵蚀性和耐热震性。     

硒化法制备铜铟铝硒薄膜及其性能研究

采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜，并采用固态硒化法进行处理，获得了CIAS吸收层薄膜。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。结果表明，通过调节CIA前驱膜的A1含量可制备得到Cu／（In＋A1）原子比接近1，且AL／（In＋A1）比例可调的CIAS薄膜。CIAS薄膜由cu（In1-xAlx）Se2固溶体相组成，A1主要是以替代In的固溶形式存在。     

一种制备CdSe纳米晶体的方法

CdSe纳米晶体因其独特的新颖性质具有广阔应用前景，但常用的非水相方法所用的原料，如三正辛基氧化膦等，价格昂贵且毒性大．为此，引入了价格便宜、环境友好的新溶剂A，在其中合成了CdSe纳米晶体，并利用紫外可见光谱、荧光发射光谱、透射电镜、能量分散X射线谱和X射线衍射对得到的纳米晶体进行了表征．结果表明，在新溶剂中合成的CdSe纳米晶体粒度均匀，粒径可控，具有高的结晶度和良好的光学性质．新溶剂A降低了合成成本，使合成更加符合绿色化学的原则．     

相变型光存储薄膜的脉冲激光制备

系统地探索脉冲激光闪蒸法制备相变型光存储薄膜的工艺,发现激光脉冲能量的大小和淀积衬底的温度都是影响薄膜质量的重要因素.当激光能量高时,膜粗糙、成份与靶材保持一致;而当激光能量较低时,膜均匀、光滑,而成份与靶材有偏离.当衬底温度在约25℃时,形成非晶膜;而当衬底温度较高时,可形成多晶膜;衬底温度过高,则不能形成连续膜.     

不锈钢材料表面草酸盐处理膜层的显微分析

用扫描电子显微镜与X射线能谱仪相结合,对不锈钢材料表面草酸盐处理膜层进行显微分析研究。探讨了成膜温度对膜层的组织结构和化学组成的影响。所得结果从微观的角度说明了成膜温度与膜层质量的关系,基本确定了适宜的成膜温度区间为75—85°C     

白砂糖晶体的显微分析

用扫描电镜、能谱仪对白砂糖晶体面作观察研究，发现蔗糖晶体内有独立的包囊体存在，对包囊体进一步观察分析发现，包裹体是由许多杂质微团所组成，包裹体内无机杂质的ｗｔ％为Ａｌ５１．１６％，Ｓｉ２３．５７％，Ｋ１１．９７％，Ｃａ１３．３０％。证实了包裹体是白砂糖杂质灰分和色素的主要来源，是影响产产品质量的主要因素。     

TiO2薄膜的半导体和气敏特性

溶胶-凝胶法制备了添加聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜,研究了薄膜的半导体特性和气敏性.添加聚乙二醇使TiO2薄膜的荧光发射峰从未添加的650 nm蓝移至600 nm处.添加聚乙二醇(相对分子质量2000)2.0 g/100mL的TiO2薄膜在还原性气氛中电阻值增大,在350℃下薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度约为3.4;进而掺杂离子半径较小的Al3 ,能够提高薄膜对CO的气敏性:在350℃时添加聚乙二醇且Al3 摩尔分数为50/0、100/0的薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度分别为5.0和20.4.X射线光电子能谱表征说明,由于Al3 的晶格替代和氧间隙原子使添加有聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜产生以空穴为主的传导机制,表现出P型半导体特性.该研究结果对于研发TiO基的气敏传感器、新型太阳能电池具有重要意义.     

各向异性择优取向薄膜的椭偏光谱术理论

推导出一组具有特殊择优取向的各向异性薄膜的椭偏公式,并以光轴沿着薄膜表面及光轴垂直薄膜表面的各向异性薄膜为例,分别在透明和吸收波段进行模拟计算,得到了椭偏谱的基本特征.     

磁控溅射类金刚石碳膜的显微硬度

采用显微硬度测试方法,研究在单晶硅衬底上沉积厚度仅为0.09-0.56μm的磁控溅射类金刚石碳膜的力学性能。结果表明,溅射碳膜的硬度随溅射工艺参数呈规律性变化,且可以和碳膜的类金刚石性质以及碳膜结构的SP~3和SP~2成分的变化相联系。采用Johnson复合硬度模型进行的分析表明,溅射碳膜的真实硬度在HV6000-6600之间,比天然金刚石的硬度略低。溅射类金刚石碳膜具有明显的压痕尺寸效应(ISE),其指数约为m=1.9。