太赫兹科学技术的新发展

太赫兹(THz)波是指频率在0·1—10THz(波长为3000—30μm)范围内的电磁波,它在电磁波谱中占有很特殊的位置,处于电子学向光子学的过渡区域。THz辐射具有很多优越的特性,具有非常重要的学术价值和应用价值。本文对THz科学技术这一前沿学科国内外的发展动态及其重要性进行了论述,并对一些问题提出了作者的看法。     

我国首台基于远红外自由电子激光的太赫兹辐射源出光

太赫兹(THz)辐射通常指频率在0.1THz—10THz区间的电磁辐射,其波段位于微波和红外光之间,是人类尚未完全认识并很好加以利用的最后一个波(光)谱区间,其独特性质在物理、化学、信息和生物学等基础研究领域以及材料、通讯、国家安全等技术领域具有重大的科学价值和广阔的应用前景     

在铝及其合金表面制备仿荷叶表面超疏水结构

太赫兹（THz）辐射源是THz技术应用的关键器件。基于半导体的THz辐射源有体积小、易集成等优点。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室曹俊诚等与加拿大国家研究理事会微结构研究所等单位合作，采用半导体共振光学声子设计和双面金属波导结构研制成功了激射频率为2．9THz的量子级联激光器。研究人员并进一步表征了一组除掺杂浓度外其它参数均相同的THz量子级联激光器，研究发现，     

香山科学会议第486—490次学术讨论会简述

2014年4月1—17日,香山科学会议陆续召开了主题为：“城市地下空间火灾安全基础科学问题”、“文化遗产空间观测与认知”、“太赫兹波在生物医学应用中的科学问题与前沿技术”、“国家大型健康队列建设与应用”、“地球系统动力环境变量可预报性研究的进展和挑战”的第486-490次学术讨论会。     

太赫兹集成电路概述

在"大智移云(大数据、智能化、移动互联网和云计算)"为代表的信息技术领域,我国近年来取得了突出成绩。然而,作为"大智移云"基石的集成电路芯片,仍严重依赖进口。2017年3月初,"中兴被美国罚62亿"这一新闻传遍网络,该事件再次表明,集成电路属于我国的"高精尖缺"领域。作为集成电路产业中多学科交叉融合的一个前沿领域,太赫兹集成电路可广泛应用于维系社会经济、国家安全、民生需求的诸多关键场合,如太空探测、雷达成像、食品检测、高速通信、反恐安检等。该领域的研究成果,对我国的长远发展具有战略意义。本文概述了太赫兹集成电路的作用与意义、总结了国内外在硅基太赫兹天线、硅基太赫兹源、CMOS太赫兹探测器等3个关键方向的发展动态,并对我国在该领域的发展布局提出了一些浅见。     

杰出的导师和天才的学生——赫姆霍兹对赫兹的影响

本文着重讨论了１９世纪德国著名的物理学家赫姆霍兹和他的学生、电磁波的发现者、著名物理学家赫兹之间的师生关系,并在其基础上,进上步讨论了赫姆霍兹对赫兹的研究工作、学术思想和学术风格方面的重要影响。     

电磁污染控制用S带吸波密度板材的设计与制备

本文报道了根据入／4型电磁波吸收原理，通过理论设计和模拟分析，以密度板为介电材料，通过电阻膜复合，成功制备出新型密度板吸波板材。实验表明，电阻膜的电阻为395Q／口，厚度1．42cm的密度板试样，在S带（2～4GHz），-10dB吸收带宽达到70％以上，在5．46GHz，最大吸收峰为-36dB。新材料可用于室内电磁环境的改善和污染控制。     

万有引力与万有斥力

本文通过莫比乌斯光带等实验表明电磁频谱上所有的波都由沿曲线传播的电磁波(CurvedElectromagneticWaves,CEW)和沿直线传播的电磁波(StraightElectromagneticWaves,SEW)构成,因而真实时空具有弯曲和平直两重性,充满了能携带物体结构和运动信息的CEW和SEW。存在于真空、原子、分子、人体、地球和整个宇宙中的万有引力和万有斥力都由CEW构成,因而一切物质和能量体系都服从描述万有引力和万有斥力的引斥原理。     

赫兹的电磁学研究时间顺序及其思想转变过程

根据赫兹的书信、日记、实验笔记、文集和其他相关文献，对其电磁学研究过程中的有关时间顺序进行了仔细考察，指出了前人研究中存在的问题，给出了赫兹电磁学研究过程更为合理的时间顺序。赫兹在电磁学研究中的思想转变过程分为三个阶段：1878年11月－1884年6月，1886年10月－1888年3月，1888年4月－1891年12月。赫兹思想重要转变过程是发生在1887年9月－1888年3月和1888年4月－1890年12月。前一过程是他从对“导线波”的认识到对“空气波”的认识转变过程，这一思想转变过程的理论基础仍然是赫姆霍兹电动力学；后一过程则是他从赫姆霍兹电动力学到麦克斯韦电磁场理论的思想转变过程，赫兹从1888年6月到1890年12月与当时英国物理学家的通信交流在这一转变过程中起到了不可忽视的作用。赤兹在电磁学研究过程中形成的物理学思想不但对许多物理学家产生了很大的影响，而且对科学技术史研究者在研究方法上也有一定的启迪作用。     

单壁碳纳米管-环氧聚合物合成体电磁干扰屏蔽研究

南开大学化学学院陈永胜研究组与中科院物理所高鸿钧等以及美国宾夕法尼亚州立大学Peter C．Eklund合作，对基于单壁碳纳米管的纳米管-高聚物合成体进行了电学性质的测量和电磁屏蔽效应的研究。他们系统研究了单壁碳纳米管-环氧聚合物合成体的直流电导，得到了不同碳纳米管质量分数（P）样品的电导性质，发现质量分数为15wt％的样品拥有最高的电磁屏蔽效率，其对10MHz电磁波的屏蔽效率约为49dB，对500MHz到1．5GHz区间的屏蔽效率约为15—20dB。