具有单离子各向异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图(英文)

本文在有效场理论的框架内研究了具有单离子各向异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图。重点给出了蜂窝晶格的相图。如果负单离子各向异性场参数不大且横场值较小,我们观察到在目前的系统中重入相变可能发生。横场对重入相变行为的影响在本文中也进行了讨论。     

铁氮化合物Ising模型的相变研究

在考虑最近邻相互作用下,对类Fe4N结构的混自旋Ising模型,采用平均场理论,推导出系统的磁矩和自由能公式,并利用数值计算方法,给出了系统的磁化曲线和相图。发现了非常丰富的相变现象,特别是一级相变现象和重入现象,较全面地分析了系统的相变规律。     

具有三模外场和晶场作用的横场Ising模型的临界性质研究

在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三l临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;T-D空间中三模外场及合适的三模外场参数在无横场时呈现出另一类三临界点和重入相变,横场的引入可很好地抑制三临界点和重入相变,在一定的横场作用范围内三临界点可出现起伏.     

具有三自旋相互作用的横场中各向异性XY模型的协作参量

讨论了具有三自旋相互作用的横场中各向异性XY模型的量子相变和量子纠缠.数值研究了协作参量在相变点附近的行为.发现协作参量可以很好地体现系统的量子相变.     

不同子格随机横场作用下混合伊辛自旋系统的磁学性质

在有效场理论框架内,对简立方晶格中不同子格随机横场作用下混合自旋系统,推导系统的磁化表达式,重点研究一些相变特性,给出了系统的相图,得到了一些有意义的结论.     

各向异性晶场中横向Ising模型的相图

用相关有效场理论研究在各向异性晶场中自旋s=3/2横向Ising模型的磁性质,给出该Ising模型的相变公式,具体计算了具有配位数为3的蜂窝点阵的系统相变温度·结果表明各向异性晶场和横向磁场对具有蜂窝点阵的系统的相变温度有很大影响,当横向磁场小于0457时,无论各向异性晶场取值多大,转变温度都不会降到零,而当横向磁场降为零时,转变温度将趋近于常数0525,另外所有在相变点发生的相变皆为二级相变·     

随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的三维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,三临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,三临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。     

具有铁磁性Ising模型的磁性质

以Fe4N为原型,构建在晶场作用下的混自旋Ising模型。利用平均场理论,得到该模型的磁矩和自由能公式;绘制了不同相互作用下的磁化曲线;研究了系统的磁性质。发现系统发生了丰富的相变特性:系统存在一级有序-无序相变、重入现象和二级相变;晶场D_A/|J_1|和D_B/|J_1|对系统的磁性质所起作用相似。随着晶场的增加,一级有序-无序相变的温度升高,重入现象的温度降低;一级有序-无序相变和重入现象的温度间距逐渐缩小,直至这两种相变消失。     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究

基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响.     

层状Heisenberg亚铁磁系统的温度补偿行为

采用双时温度格林函数方法讨论了具有层间耦合的蜂窝状晶格3/2和5/2混自旋亚铁磁Heisenberg系统全温区的磁性行为·讨论了晶体场单离子各向异性和层间耦合效应对系统磁矩、转变温度和补偿温度的影响·给出了子晶格磁矩和总磁矩在不同的晶体场单离子各向异性和层间耦合效应随温度变化曲线,系统的转变温度和补偿温度随晶体场单离子各向异性和层间耦合效应变化的相图·分析表明:系统存在多种磁矩曲线,当晶体场单离子各向异性和层间耦合超过最小值(D1min/J和J1min/J)后才会出现补偿现象,补偿温度随D1/J和J1/J的增大而减小,最后趋于不变·     

基于无序Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料临界性质研究

在有效场理论的框架内,基于无序Blume-Emery-Griffiths模型研究铁磁材料的临界性质,模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双三临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度的增加而扩大,晶场的两种不同随机行为显著地影响一级相变区和重入相变.     

待发表文章摘要预报

钢桁架与砼组合梁滑移及掀起的空间计算分析王连广,刘之洋介绍钢桁架与混凝土组合梁三维空间分析系统,对芜湖长江大桥主桥的主梁作详尽的空间计算分析,研究钢桁架与混凝土组合梁交接面的滑移、掀起及连接刚度变化对其影响,为组合梁的设计提供可靠的理论依据·各向异性晶场中横向Ｉｓｉｎｇ模型的相图姜　伟,魏国柱,辛子华用相关有效场理论研究在各向异性晶场中自旋Ｓ=3/2横向Ｉｓｉｎｇ模型的磁性质,给出该Ｉｓｉｎｇ模型的相变公式,具体计算了具有配位数为3的蜂窝点阵的系统相变温度·结果表明各向异性晶场和横向磁场对具有蜂窝点阵的系统…     

横场中猝灭格点稀疏和键混合Ising铁磁体的相图

本文在有效场理论的框架内,研究了猝灭格点稀疏和键混合Ising平方点阵铁磁体的相图,讨论了重入现象。     

混合自旋无规场非晶化表面的临界行为

应用平均场重整化群方法，讨论在表面无规场和非晶化存在时，对Ｓ＝１和σ＝１／２混合自旋伊辛系统表面磁性临界行为的影响，得到在各种情况下系统的表面相图。相图表明，非晶化是一定范围内与无规场竞争仍可出现三临界点和重入现象。     

高自旋具有单轴各向异性的横向Ising模型基态相变现象的研究

采用平均场理论和相关有效场理论,对高自,旋具有单轴各向异性的横向Ising模型的基态相变现象进行了研究,推导出系统有限温度和基态时磁矩与能量公式.采用数值计算方法得到了平均场理论和相关有效场理论下的蜂窝点阵、平方点阵和简立方点阵晶格的基态相图,重点比较了通过平均场理论和相关有效场理论得到的相交特征的差异.     

对具有蜂窝点阵结构的S=2横向Ising模型基态磁性质的研究

对具有蜂窝点阵结构的S=2横向Ising模型,采用相关有效场理论,推导出系统的有限温度及基态纵向和横向磁矩公式,采用数值计算方法得到了基态的磁化曲线,重点考察了横场对系统基态磁性质的影响.研究表明,系统基态磁矩随晶场或横场的变化发生了三种相变:一级有序-有序相变,一级有序-无序相变,二级有序-无序相变.得到了横向磁场会减弱系统发生一级相变趋势的结论.     

十字形液晶分子系统各向同性相至双轴向列相的相变

本文考虑十字形液晶分子组成的系统,假设分子间相互作用为棒与棒相互作用的叠加,且相互作用强度系数彼此独立.利用平均场理论,得到系统在温度和分子结构参数平面内的3类相图:第一类相图中只有一个直接由各向同性相进入双轴相的Landau点,相变为二级相变.第二类相图中Landau点扩展为Landau曲线,为一级相变.第三类相图中...     

高自旋横向Ising模型的基态磁性

采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。     

基于横场Ising模型插层铁电薄膜相变性质数值计算

基于横场伊辛模型的平均场近似理论讨论了铁电薄膜(中间具有不同材料插入层)二级相变性质.运用该理论,首次推导得到了一个可用于研究任意层数铁电薄膜(中间具有不同插入材料层)的相变性质的递归公式.并运用该公式研究了体材料(A)和插层材料(B)的交换相互作用参量和横场参量对相图的影响.计算结果表明,由于插层材料B参数值的变化,整个铁电薄膜相变性质,不同铁电薄膜层的极化,横场参量过渡值均敏感的发生变化.