利用离子束辅助沉积技术在GCr15钢基上生成TiCxNy膜的研究

用离子束辅助沉积技术在ＧＣｒ１５钢基体上形成了ＴｉＣｘＮｙ膜．ＴＥＭ观察揭示，膜呈多晶结构，具有（１１１），（２００）和（２２０）择优取向．ＡＥＳ和ＸＰＳ分析进一步证实，ＴｉＣｘＮｙ膜呈含氧配置．膜的硬度和摩擦特性与Ｎ含量有关，Ｎ的过高含量对提高表面硬度不明显，但摩擦特性明显下降．在作者的实验条件下，以３×１０１７／ｃｍ２的注量为宜．干摩擦表明，膜的抗氧化性能优良．不仅存在能有效地抑制基体在摩擦过程中形成的氧化皮，又由于硬度高，润滑性良好，还能显著地改善基体的耐磨粒磨损特性．     

Al_2O_3 弥散 Ti(C,N)基金属陶瓷刀具

在Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷中，通过加入Ａｌ２Ｏ３弥散颗粒，使材料的硬度和高温性能都得到提高，从而获得更好的切削耐磨性。研究结果表明：Ａｌ２Ｏ３的引入使Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷的常温强度和韧性有所下降而硬度和高温力学性能得到了改善。切削试验表明：Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）－Ａｌ２Ｏ３系金属陶瓷比硬质合金、Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ复合陶瓷刀具有更好的切削性能。ＳＥＭ观察表明：在Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）－Ａｌ２Ｏ３金属陶瓷中，Ａｌ２Ｏ３与Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）有相互抑制晶粒生长的作用，使Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷的晶粒更细化     

涂层成份及结构的X射线光电子谱分析

以硬质合金作为衬底，分别采用了化学涂层（ＣＶＤ）和物理化学涂层（ＰＣＶＤ）的技术涂复Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）－ＴｉＮ硬质膜，应用Ｘ射线光电子谱分析（ＸＰＳ）技术，研究涂层表面化学成分、元素化学状态、物相组成及其随深度的变化。涂层表面由Ｔｉ，Ｎ，Ｃ，Ｏ和Ｃｏ组成；表面物相包括ＴｉＮ，ＴｉＯ＿ｘ及ＣｏＯ．随着深度的增加，Ｔｉ：Ｎ迅速变为１，而ＴｉＯ＿ｘ和ＣｏＯ含量急剧减少．     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

BaO-SiO_2-B_2O_3-TiO_2系统玻璃结构X射线光电子能谱和核磁共振

利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和核磁共振（ＮＭＲ）研究了ＢａＯＳｉＯ２Ｂ２Ｏ３ＴｉＯ２系统玻璃。结果表明该系统玻璃中Ｔｉ４＋的配位数以［ＴｉＯ４］为主。根据其Ｔｉ２ｐ电子结合能值的变化可认为：随ＴｉＯ２含量的增加,［ＴｉＯ４］有向［ＴｉＯ６］转变的趋势。这种转变发生在ＴｉＯ２摩尔分数约为２０％处。ＮＭＲ研究结果显示玻璃样品中,随ＴｉＯ２和Ｂ２Ｏ３含量的增加四配位硼所占的比例Ｎ４值下降,且玻璃中Ｔｉ４＋形成四配位的能力大于Ｂ３＋。     

掺氮类金刚石薄膜(α-C:H:N)显微结构的研究

用射频等离子体化学气相沉积法（ＲＦ－ＣＶＤ）和ＣＨ４、Ｎ２与Ａｒ组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜（α－Ｃ：Ｈ：Ｎ）。用原子力显微镜（ＡＦＭ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、红外光谱（ＩＲ）以及显微拉曼谱（Ｍｉｃｒｏ－Ｒａｍａｎ）对α－Ｃ：Ｈ：Ｎ薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行表征。实验结果表明,薄膜中有纳米量级的颗粒存在,而且随反应气体中Ｎ２与ＣＨ４比值的增大,薄膜中的氮元素含量也随之增大,并主要以     

无限层薄膜（Sr,Ca）CuO2的相分析

采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）方法在４００￣６７０℃和７￣７０Ｐａ氧压下制备了（Ｓｒ,Ｃａ）ＣｕＯ２无限层薄膜。通过薄膜的Ｘ光衍射（ＸＲＤ）测量来进行薄膜的相分析。Ａ２ＣｕＯ３＋δ（Ａ代表Ｓｒ,Ｃａ）相在ＳｒＴｉＯ３,ＬａＡｌＯ３,ＣａＮｄＡｌＯ４和ＭｇＯ衬底上在４００￣６００℃极易生成,而无限层ＡＣｕＯ２＋δ相只能在高于４７０℃和相配的ＳｒＴｉＯ３和ＬａＡｌＯ３衬底上生成。在ＳｒＴｉＯ３衬底上当温度     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

双靶反应溅射Ti-B-N复合膜的研制

采用基片架旋转的多靶磁控溅射仪，通过六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）和Ｔｉ靶反应溅射制备Ｔｉ－Ｂ－Ｎ复合薄膜，并用ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ等方法研究了薄膜的微结构．结果表明，室温下沉积薄膜均呈非晶态，经过４００°Ｃ热处理薄膜晶化．基片加热为４００°Ｃ沉积的薄膜则已晶化，ＴＥＭ分析确定薄膜结构为ＴｉＮ结构．显微硬度表征发现，室温沉积Ｔｉ与ｈ－ＢＮ的原子数约为２∶１时的薄膜达到最高硬度ＨＫ２６００．     

CoSi_2 薄膜的织构研究

对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明,薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜完全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１１）衬底上织构轴为［１３０］,且平行于Ｓｉ［１１１］。除［１３０］织构轴外,其它晶向亦有择优取向。     

离子束增强沉积纳米Fe—N磁性膜

利用高能量（〉１５ｋｅＶ）、脉冲氮离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜。合成了含有α－Ｆｅ、α″－Ｆｅ１６Ｎ２、γ＇－Ｆｅ４Ｎ和ε－Ｆｅ２￣３Ｎ相的纳米多晶薄膜。Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形貌。纳米尺度的α″－Ｆｅ１６Ｎ２和α－Ｆｅ相的混合物膜层的饱和磁性强度可达２４５ｅｍｕ／ｇ。多元ＩＢＥＤ Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎ合金薄膜与相同制备条件下合成的Ｆｅ－Ｎ薄膜相比，其相结构相似，但饱和     

Ti（C,N）基金属陶瓷中包覆结构的研究

利用先进的微观分析手段对Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷中Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）的包覆结构进行了较系统的研究，研究结果表明；在硬质相颗粒的周边，Ｔｉ和Ｎｉ元素具有的成分梯度，Ｗ和Ｍｏ元素主要集中分布于硬质相颗粒的包覆层中，并且其分布规律相似：Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）芯与粘结相Ｎｉ之间存在的包覆层是一种过渡相。它改善了Ｎｉ对碳化物的润湿性，使粘结相与硬质相能较好地结合。     

14种二茂铁亚胺类化合物的制备和紫外—可见光谱研究

报道了９种取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物Ｒ－Ｎ＝ＣＨＦｃ［Ｒ为Ｃ６Ｈ５－ｎＸｎ（Ｘ＝Ｈ，４Ｂｒ４ＳＯ３Ｈ，４ＯＣＨ３，２，４（ＮＯ２）２和２，４（ＮＯ２）２Ｃ６Ｈ４ＮＨ］及５种取代苯亚甲基亚胺二茂铁类化的Ｘｎ（２ＯＨ）Ｃ６Ｈ４－ｎＣＨ＝Ｎ－Ｆｃ［Ｘ＝Ｈ，５－Ｂｒ，５－ＮＯ２，３ＮＯ２５Ｂｒ，３，５（ＮＯ２）２］的制备，测定了它们的紫外光谱，指定了谱带的归属，并对谱带的位移从理论上予以解释。     

MP-CVD-Si_3N_4膜应力测试研究

本文介绍了采用 ＭＰ—ＣＶＤ方法低温（基片不加热）沉积 Ｓｉ３Ｎ４膜的应力分析。经过测试研究证明Ｓｉ３Ｎ４膜为压应力，并作了应力随工艺参数变化趋势的研究。由于此法制备的薄膜为无定形结构，应力分析方法主要采用了光学法，并用Ｘ光衍射ｓｉｎ２Ψ法进行了探讨     

TiN涂层金属学特性对高速钢刀具耐用度的影响

分别运用扫描电镜（ＳＥＭ）、透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射仪研究了空心阴极法（ＨＣＤ）制备的ＴＩＮ涂层的组织结构、微观形貌、内应力和相组成及其对ＴｉＮ涂层高速钢刀具耐用度的影响．在本文试验条件下，涂层插齿刀与铣刀的刀具耐用度分别是未涂层刀具的４．７倍和３．２倍．研究表明，该涂层为精细层状结构，晶粒大小约３４０ｎｍ，具有明显＜１１１＞择优取向，残余应力均为压应力，其组成主要是ＴｉＮ和Ｔｉ２Ｎ相，游离钛含量较少．     

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体,氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺,在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察,研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程。实验结果表     

Pb_（1－x）Ca_xTiO_3铁电薄膜的制备

合成了稳定性良好的用于溶胶－凝胶法制备Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＴｉＯ＿３（ｘ＝０．１～０．３）薄膜的涂液。研究了不同掺Ｃａ量对薄膜晶相结构和相变温度的影响。用旋涂法在（１００）ＭｇＯ单晶衬底材料上生长出均匀、无缺陷的钙铁矿结构（１００）择优取向的Ｐｂ（Ｃａ）ＴｉＯ＿３薄膜，取向率大于９５％。测定了在（１１１）Ｓｉ单晶衬底材料上得到的Ｐｂ（Ｃａ）ＴｉＯ＿３陶瓷薄膜的电学性质。     

多晶3C—SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构，光学常数，组分及化学键等性能。     

F~-离子和Ti~(4+)离子在CaO-Al_2O_3-SiO_2系玻璃晶化时的作用

在ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２（ＣＡＳ）系玻璃中单独引入Ｆ－离子或Ｔｉ４＋离子,以及同时引入Ｆ－离子和Ｔｉ４＋离子,通过ＤＴＡ（差热分析）、ＸＲＤ（Ｘ－射线衍射）、Ｒａｍａｎ、ＸＰＳ（光电子能谱）和ＳＥＭ（扫描电镜）方法进行了研究。结果表明在ＣＡＳ系玻璃中一部分Ｆ－离子取代非桥氧离子处于玻璃网络内部,另一部分Ｆ－离子处于玻璃网络间隙,Ｆ－离子能促使ＣＡＳ系玻璃分相,在稍高于Ｔｇ的某一温度热处理时,ＣａＦ２晶体首先从玻璃中析出;Ｔｉ４＋离子对玻璃晶化影响不大,在稍高于Ｔｇ的某一温度热处理时,加Ｔｉ４＋离子和不加Ｔｉ４＋离子的玻璃首先析出的晶相均是钙长石（ＣａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）;在ＣＡＳ系玻璃中同时引入Ｆ－离和Ｔｉ４＋离子时,在稍高于Ｔｇ的某一温度热处理后首先析出的晶体是ＣａＦ２和钙长石（ＣａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）,Ｆ－离子和Ｔｉ４＋离子混合使用能更好地促进ＣＡＳ系玻璃的晶化。     

基片温度对Cu—TiC复合薄膜的影响

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响。Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备。测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构。结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜中ＴｉＣ含量增加，Ｃｕ和ＴｉＣ的晶化逐步完善。