热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

含Ni磁性介孔碳的制备及其结构表征

采用一步法得到含Ni磁性介孔碳(Ni O/C).通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、氮气吸脱附(BET)、拉曼分析、饱和磁化强度等测试对材料进行表征.研究发现,所制备的磁性Ni O/C材料具有介孔结构,可以很好地分散在水溶液中,且有高的磁性能,能通过外加磁场简单快速地进行磁性分离.该材料可以快速、高效吸附水溶液中的离子液体1-甲基-3-丁基咪唑氯盐([Bmim]Cl).     

掺镓ZnO微米棒的制备和光学特性研究

利用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上成功制备了掺镓ZnO微米棒.从场发射电子显微镜可看出具有六角棱柱形的棒长度约为70μm.能谱结果说明该样品中镓掺杂浓度较高.X射线衍射结果表明其具有六角纤锌矿结构.在背散射拉曼光谱中观测到由于镓掺杂而引起的63l cm~(-1)峰,同时没有发现与结构缺陷有关的E_1(LO)模,说明样品的晶体质量较高.利用变温光致发光研究了样品的光学性质,发现在室温时仍能观察到明显的中性施主束缚激子(D~0,X),表明Ga已经形成了稳定的施主能级.微米棒的生长遵循气-固原理.     

AP—MOCVD GaN材料生长特性

研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍射半峰宽为６‘的ＧａＮ外延层。     

退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响

本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.     

In_(1-x)Al_xAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和 Cu Kα X射线衍射方法对 In1 - x Alx As/ Ga As一维超点阵结构进行对比式研究 .从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ ,由 Ga As(0 0 2 )附近衍射数据求得各结构参数 .对两种光源的衍射结果进行了分析和比较 .解释了该超点阵的 Raman散射谱 ,发现在 Ga1 - x Alx As混晶谱中不存在的 2 75 cm- 1 峰 .     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.     

射频磁控溅射制备ZrN薄膜及其表征

本文利用射频磁控溅射在N2和Ar混合气氛环境下，在玻璃衬底上沉积ZrN薄膜．采用X射线衍射（XRD）、X射线散射能谱（EDX）和扫描电子显微镜（SEM）技术对薄膜微观结构、成分及形貌进行分析.结果表明，制备的ZrN薄膜是化学计量比接近于1的面心NaCl结构,从薄膜的表面形貌图可知，薄膜表面平整，缺陷很少，晶粒排列非常致密，且空位及表面缺陷很少．     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

NiCoP/石墨烯复合材料的构筑及其电容特性

采用简单的水热-磷化热解法合成高性能的NiCoP/石墨烯(GS)复合电极材料.采用X射线衍射、拉曼光谱和透射电镜对材料的结构进行表征.利用循环伏安(CV)和恒流充放电(GCD)对材料的电容性能进行测试.结果表明,粒径为10～20 nm的NiCoP纳米粒子均匀地负载在石墨烯上.当其作为电极材料应用于超级电容器中时,展示出良好的电化学性能,在1 A/g时,其比电容为896 F/g.5 000次循环后,其比电容保持率为87.9%.