Te原子团的形成研究

原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积（ＩＣＢＤ）机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Ｔｅ在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺寸和尺寸分布。对朗加热温度从６５０Ｋ增大到７９０Ｋ时，Ｔｅ平均原子团尺寸从１０个原子增大到７５个原子。离化电压大于２５０Ｖ时，原子团经过高化区，部分碎裂成小原子团或原子。     

利用团簇的各向异性实现Te 团簇薄膜的自组装

在实验观察到的Te团簇薄膜有序生长模式的基础上 ,用Monte Carlo方法模拟了具有各向异性的团簇在衬底上的生长行为 .发现由于团簇的各向异性 ,将导致团簇在局部范围内的平行取向排列 ,形成畴结构 .畴的大小L(t)与退火速率和衬底温度有关 ,并得到该体系下的一个熔点Tm.这一研究表明 ,可以利用团簇的各向异性实现和控制团簇薄膜的自组装     

Preparation and thermoelectric properties of p-type Bi0.52Sb1.48Te3 + 3% Te thin films

Thin films of p-type Bi0.52Sb1.48Te3 + 3% Te were deposited on glass substrates by flash evaporation.X-ray diffraction and field-emission scanning electron microscopy were performed to characterize the thin films,and the effects of preparation and annealing parameters on the thermoelectric properties were investigated.It was shown that the power factors of the films increased with increasing deposition temperature.Annealing the as-deposited films improved the power factors when the annealing time was less than 90 min and the annealing temperature was lower than 250℃.A maximum power factor of 10.66 μW cm-1 K-2 was obtained when the film was deposited at 200℃ and annealed at 250℃ for 60 min.     

会计委派制的评价

会计委派制是近年来我国对会计人员管理体制的重大改革，是针对国有企业目前普遍存在的内部失控、资产流失、会计信息失真等现象而实施的。它具有积极的作用，也存在一定局限性，要用辩证和实践的观点看待之。     

3N碲还原熔炼-扒渣提纯法制备4N碲

为了满足碲的高端应用,开展了以3N纯度(即质量分数为99.9%)粗碲为原料,制备4N碲的工艺条件和中试研究,并采用等离子光谱仪(ICP)对样品进行了测试分析,确定了一种3N碲还原熔炼-扒渣提纯法制备4N碲的工艺方法:将1 %的还原剂与50目(300 μm)3N粗碲混匀,在700℃下还原焙烧1 h;加入0.4%的造渣剂,搅拌造渣15 min;粗碲杂质元素与造渣剂结合形成上浮渣,多次刮除至再无浮渣产生;将除渣后的碲熔浆倾入石墨模中铸锭,得到碲锭产品.该产品碲的质量分数≥99.998%,杂质元素总的质量分数＜15×10-6,每种杂质元素的质量分数＜5×10-6,完全符合4N纯度精碲要求.中试结果表明,该工艺流程简单,工艺周期短,成本低廉,环境污染小,是一种可规模化生产4N碲的新工艺.     

Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究

本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150 ℃~170 ℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.     

拓扑绝缘体Sb_2Te_3和Bi_2Te_2Se薄膜电子结构的第一性原理研究

为理解拓扑绝缘体纳米薄膜的电子性质,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究拓扑绝缘体Sb2Te3和Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜由1层增加到5层的电子结构。通过计算发现对于Sb2Te3密排面(0115)薄膜,随着薄膜层数递增,G点的能隙逐渐减小,当膜厚为5层时,薄膜表现出金属态;Bi2Te2Se密排面(0115)薄膜电子结构也表现出类似的特性。研究结果表明:随着薄膜厚度的增加,Sb2Te3和Bi2Te2Se(0115)薄膜不具有体材料绝缘性,却表现出拓朴绝缘体表面无能隙的金属性。     

Te偶同位素质子对跨光激发的微观研究

利用质子对跨壳激发的微观方案，通过对Ｔｅ核偶同位素的具体计算，得到与实验符合较好的结果，从而解释了Ｔｅ核闯入态现象     

《道德经》对当代大学生心理健康形成发展的启示

当代大学生心理问题成因的关键因素是其认知有误,而心理治疗的根本在于改变心理不健康者的错误认知。以认知为基础,《道德经》对当代大学生可以提供大量的改变认知的内涵与方法,有益于其心理健康形成与发展。《道德经》对当代大学生心理健康的有益启示,主要涉及价值观、认知方法、情绪情感与意志、品德等方面。     

Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3的声子和热力学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的密度泛函理论,在未考虑和考虑自旋-轨道耦合(SOC)的情况下分别优化拓扑绝缘体Bi2Se3、Bi2Te3和Sb2Te3的结构,计算它们的声子谱及热力学性质.基于广义梯度交换相关泛函及SOC效应,计算得到三种物质的声子频率比不考虑SOC时更吻合实验数据.最后计算出三种物质的赫尔姆赫兹自由能F,内能E,等体热容CV和熵S随温度的变化趋势.     

Te—Bi—Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究

用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－Ｂｉ－Ｓｅ化合物多晶陶瓷半导体材料,用法测得热导率为１０ｍＷ／ｃｍ．Ｋ,用四探针法测得材料电导率为９００－１０００Ω＾－１ｃｍ＾－１;热电法测得材料的温差电动热率达到１８８－２００μＶ／Ｋ,优质系数Ｚｐ,Ｚｎ达到３．５＊１０＾－３／Ｋ。     

Size and distribution of Te inclusions in detector-grade CdZnTe ingots

The effects of Sc addition on the microstructure and mechanical properties of the ZK60 wrought magnesium alloy were investigated by using optical microscope,scanning electron microscopy,X-ray diffraction and tensile testing.The experimental results show that a minor Sc addition to ZK60 alloy has an obvious effect on the refinement of the microstructure of the ZK60 alloy. During hot extrusion,incomplete dynamic recrystallization occurs in all the alloys,and the recrystallized grains become much finer with...     

Te对Ni-Cr合金高温抗氧化性能的影响

采用粉末冶金方法制备含Te的Ni-Cr合金试样.在800士5℃高温进行抗氧化实验.通过氧化动力学曲线分析、氧化皮金相组织和断面形貌观察、X-ray分析表明:Te的加入在合金内部形成新相Cr2TeO4和Fe3TeO,提高合金材料氧化皮的粘附性.并且有效抑制Cr2O3的挥发反应,从而改善Cr2O3氧化层的致密性.     

溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析

利用红外(infrared, IR)显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared, FTIR)光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相. 讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因, 及其对晶体中位错密度(etch pit density, EPD) 和红外透过率的影响. 实验结果表明: 沿生长轴方向, Te 夹杂相密度增大, 相应的位错密度也增大; 红外透过率随Te 夹杂相密度的增大而减小, 生长末端晶体的透过率低至45%.     

Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体

碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长?25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从?56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达10~8Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1～20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。     

半导体热电材料Bi2Te3膜的电化学制备

研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分别研究了纯Bi3 、纯Te4 及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征。研究表明:生长的样品为斜方六面体(rhombohedral)晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有(110)择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结晶性也越好。     

Bi2Te3/Si异质结中的侧向光伏效应

碲化铋(Bi₂Te₃)是一种典型的拓扑绝缘体材料,在热电、光电和自旋电子学领域具有广阔应用前景.本文采用脉冲激光沉积技术在Si衬底上制备了不同厚度的Bi₂Te₃薄膜,详细研究了Bi₂Te₃/Si异质结中的侧向光伏响应特性.结果表明,该异质结的侧向光伏响应强烈依赖于Bi₂Te₃层厚度,随厚度增加呈现先快速增加至一极值,然后逐渐减小的变化趋势.用不同波长和功率的激光照射测量时发现,该异质结具有405~808 nm的较宽响应波段,且位置灵敏度随激光功率增加而增大并最终趋于饱和,其中671 nm的侧向光伏响应性能最好,最高位置灵敏度达到3.4×10^-2 V/mm.以上结果为研发基于Bi₂Te₃的高灵敏、宽波段光位敏探测器提供了重要参考.     

脉冲激光烧蚀Hg0.8Cd0.2Te晶体过程的分析

文中测量了Hg0.8Cd0.2Te靶在波长为1064nm、脉宽10ns的脉冲激光辐照下的蒸发损伤阈值,理论计算值与实验结果符合得很好．进而根据能量守恒定律数值计算了Hg0.8Cd0.2Te的蒸发温度。     

Bi0．5Sb1.5Te3热电材料掺杂对其性能的研究

通过熔炼、机械粉碎、热压法制备了Bi0.5Sb1.5Te3（三碲化二铋、三碲化二锑固溶体,比例为1∶3）热电材料,研究了不同掺杂浓度对材料性能的影响。材料的XRD图谱显示,随着Te浓度的增加,衍射峰后移。性能测试表明,随着Te浓度的增加,材料的温差电动势率增高,电导率下降,这说明Te浓度对材料的热电性能有重要影响。     

稀土和碲对ZLl07复合变质的研究

采用SEM、材料性能检测等手段对复合变质处理后的铝硅合金显微组织、形貌和力学性能进行了分析．结果表明：稀土和碲复合变质后，使片状共晶硅的尺寸明显减少并变为蠕虫状、颗粒状，从而使该合金的力学性能显著提高．