稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应

基于晶场理论,通过对Chen测量的稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)磁化率倒数-温度曲线的模拟,得到了RPt2In2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3 和Nd3 在晶场效应的作用下基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3 基态分裂后得到了单基态.     

稀土化合物RCuAs_2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的晶场效应研究

通过对稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的磁化率倒数—温度曲线的晶场模拟,得到了该系列化合物的晶场系数和晶场分裂能.并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响,计算结果与实验获得了较好的吻合.     

化合物Ce_3Rh_2Ga_2和Ce_3Rh_3Si_2的晶场效应计算

通过对D.Kaczorowski等人磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+基态简并部分消除得到了双基态.     

Ce5Ni2Si3 CeNiGe3和Ce2NiGe3晶场分裂能的理论计算

通过模拟Mari偄n Mihalik、Piku和Huo测量的Ce5Ni2Si3、CeNiGe3和Ce2NiGe3的磁化率倒数-温度曲线来计算稀土化合物的晶场系数、分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应为Ce3 基态的影响.本文的计算值与Mari偄n Mihalik、Piku和Huo分别通过模拟Schottky比热得到的值获得了较好的吻合.     

近藤化合物Ce2CuxNi1-xGe6的磁性和晶场模拟

通过对磁化率的模拟,研究了晶场效应对Ce2CuxNi1-xGe6磁性的影响,得到了该系列化合物的分裂能和相应波函数.计算表明,Ce3 六重基态在晶场作用下分裂为混合的双基态,其晶场分裂能随X的增大而变大.Cu含量的增加引起了更加复杂的f电子和传导电子的杂化,低温区域的电子—磁子近藤散射变得更加强烈.     

化合物CeCuIn和PrCuIn的磁性与晶场效应

基于晶场理论,模拟Szytu(l)a小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeCuIn,PrCuIn的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为5个双态.模拟得到的磁化率倒数随温度变化曲线与实验结果吻合得很好.     

稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场效应研究

通过模拟Kitazawa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3 在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3 分裂为9个单态.计算得到PrPtAl的第一激发能和第二激发能与中子散射实验结果吻合较好.     

四方晶系下钕离子的基态分裂

采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好.     

Tm_2 ( Fe Ga)_( 1 7)化合物自旋再取向的分析

本文用单离子晶场模型分析了 Tm2 (Fe Ga) 1 7- x Gax 化合物自旋再取向现象 ,计算了这些化合物的自旋再取向温度 ,并与实验数据进行了比较 .还计算了 4 f -3d交换能 ,讨论了 Ga取代对晶场的影响     

CsMgC_3:Co~(2 )和CdCl_2:Co~(2 )的EPR谱的研究

应用三角晶场中d3(d7)电子组态的强场能量矩阵元 ,采用精确计算零场分裂D值和 g因子的方法 ,计算了具有D3d对称的CsMgC3:Co2 和CdCl2 :Co2 的EPR谱 ,其结果与实验符合得很好     

镨离子基态分裂的晶场模拟

通过对A.Szytula小组测量的稀土化合物PrAg2Ge2磁化率倒数-温度曲线的晶场模拟,得到了PrAg2Ge2的分裂能和相应波函数.并从理论上分析了晶场效应对Pr3 基态的影响,计算结果与实验吻合较好.计算表明:非Kramer离子pr3 的九重简并基态在四方晶场的影响下分裂为五个单态和两个双态.     

旋轨耦合作用对Ti3+:Al2O3能级分裂的贡献

运用晶体场理论对钛宝石能级分裂的精细结构进行了计算，结果说明，在不计Jahn-Teller效应的情况下，考虑晶场和自旋一轨道耦合的共同作用能很好的解释其基态能级分裂，解决了Macfarlane认为不能用晶体场理论进行计算的困难．理论数据与实验结果符合得很好．     

不同Nb,Mo含量的Fe基微晶软磁合金磁性能的频谱特性

利用无磁场、纵向磁场和横向磁场３种热处理方式，制力求４种不同Ｎｂ、Ｍｏ含量的Ｆｅ７４．５Ｃｕ１Ｍ３Ｓｉ１２．５Ｂ９．５（Ｍ为Ｎｂ、Ｍｏ原子质量百分数之和）纳米晶试样，分别测量试样的复值磁导率｜μ｜Ｏ．３，矫顽力｜Ｈｃ｜和铁芯损耗Ｐｃｏ．２，分析试样的频谱特性和成分的影响．结果表明，不含Ｍｏ的Ｆｅ７４．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１２．５Ｂ９．５合金的｜μ｜０．３随频率增加而下降的趋势最小，需含Ｍｏ的Ｆｅ７４．５Ｃｕ１Ｎｂ２Ｍｏ１Ｓｉ１２．５Ｂ９．５合金的｜μ｜Ｏ．３值最大，且｜Ｈ｜和Ｐｃｏ．２的值最小．在３种磁场热处理中，无磁场热处理后的试样的｜μ｜０．３最大，且｜Ｈｃ｜和Ｐｃｏ．２的值最小；而纵向磁场热处理后的试样的｜μ｜０３最小，且｜Ｈｃ｜和Ｐｃ０２的值最大     

Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Ce~(3 ),Eu~(2 )的光致发光特性

对Ca8Mg（SiO4）4Cl2:Ce3 ,Eu2 系列荧光粉进行合成与测试,探讨Ca8Mg（SiO4）4Cl2：Ce3 ,Eu2 中Ce3和Eu2 之间的相互作用,初步判断Ca8Mg（SiO4）4Cl2：Ce3 ,Eu2 中Ce3 →Eu2 的能量传递主要是电偶极-偶极相互作用的结果.     

Na_2Z_nCl_4·3H_2O:M_n~(2+)的零场分裂随压力变化的迭加模型研究

本文使用迭加模型建立起了~6S(d~5) 态离子零场分裂 D 与 C_(3V)空间对称晶体结构间的关系。并用于计算 N_aZ_nCl_4·3H_2O:M_n~(2+)的零场分裂 D 随压力的变化,得到了 D 值随压力增加而增大是通过晶胞键长 R 和键角θ同时随压力改变而引起的结果,满意的解释了实验现象。