雪崩光电二极管APD直流偏压源设计

文章介绍了雪崩光电二极管APD的特性,设计了一种APD工作时的直流偏压源电路,提出了温度变化时偏压源的修正方案.     

直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化

在不同直流偏压下，测试了[001]和[111]方向的PMN-32%PT单晶的介电温度谱, 研究了其介电响应和相变行为. 当施加的偏压在E = 1.5～4.0 kV/cm范围内, 在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现; 当E > 4.0 kV/cm时, 异常介电峰消失. 而对于[111]方向的单晶, 在偏压下没有新的异常介电峰出现. 对直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化进行了讨论.     

旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制

在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象. 通过测试不同旁栅电压条件下的GaAs MESFET输出特性, 研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系, 发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用, 无论旁栅偏压朝正向还是负向变化都存在一个阈值可以消除此低频振荡. 理论分析认为这种调制作用与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关. 这一结论对于设计低噪声GaAs IC具有十分重要的指导意义.     

Bias tunnel hole processing

施工单位修建山区隧道时,经常遇到不良地质段洞口偏压情况,如适逢雨季进洞,易发生洞口段坍塌.文章通过渝怀铁路妙泉隧道的进洞处理,对偏压隧道的进洞施工方法进行探讨.     

负偏置沉积法可控制备Cu_2O多孔纳米结构薄膜

由于具有低成本、无毒、铜源丰富等优点,以及在气敏传感器、太阳能电池、光催化等领域的潜在应用前景,Cu_2O薄膜引起了人们的广泛关注.采用射频平衡磁控溅射镀膜系统,在薄膜沉积过程中通过施加不同衬底负偏压可控制备了Cu_2O多孔纳米结构薄膜.研究发现,所得Cu_2O薄膜具有灵活可调的孔隙度和纳米构筑单元形貌特征,并且它们与衬底负偏压的大小密切相关;薄膜沿衬底法线方向呈柱状生长且具有显著的(111)择优取向;禁带宽度在2.0~2.35 eV之间可调.很明显地,传统的溅射离子轰击、再溅射理论并不适合用来解释上述负偏压效应,因此在此基础上提出了一种负偏置沉积过程中材料原子或分子在薄膜表面选择性优先沉积机制.     

负偏压作用下TiO2膜电极光催化降解染料MG的机理研究

为了揭示TiO₂光催化降解染料的反应机理, 研究了可见光照射下染料孔雀绿的光电催化降解过程, 同时采用扫描电子显微镜与X射线衍射对自制的TiO₂膜电极进行了表征. 通过紫外-可见吸收光谱、总有机碳与电子自旋共振(ESR)技术等, 检测了不同条件下染料降解的动力学及矿化, 外加偏压对光电流的影响, 偏压诱导染料的吸附, 电子在TiO₂电极中的积累, 各种添加剂如苯醌等对降解动力学的影响及活性氧自由基的形成. 结果表明, 通过调节外加偏压与染料的荷电性质可以控制染料与TiO₂电极表面的作用. 阳离子型染料MG在可见光及负偏压作用下发生有效矿化, 而正偏压作用时主要以脱甲基为主. 在负偏压−0.4 V (vs SCE) 的作用下, TiO₂电极与电解液界面同时形成了超氧自由基与染料正离子自由基, 而且这两种自由基的存在对可见光诱导光催化中染料的矿化起着至关重要的作用.     

武广客专铁路马山隧道施工技术

文章就武广客运专线铁路马山隧道施工技术方法进行综述，对大断面偏压隧道的施工技术和方法进行了分析阐述，并做了体会。指导以后的施工。     

RAPD分子标记技术概述及应用

文章阐述了AAPD分子标记技术的原理和该技术的优缺点,着重介绍了I～APD分子标记技术在植物育种中的应用.     

沟道-衬底结对旁栅偏压条件下GaAs MESFET沟道电流迟滞行为的影响

旁栅偏压条件下, GaAs MESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关. 实验研究发现, 外加旁栅偏压条件下, 沟道电流的迟滞行为发生的根本原因是沟道-衬底结耗尽区展宽和收缩对深能级EL2的电子俘获和电子发射的响应比较慢. 当旁栅偏压稳态变化时, 沟道电流的迟滞现象将消失, 即存在一个迟滞行为消失的“准静态”. 这一发现和结论对于MMIC的设计将具有比较重要的指导意义和参考价值.     

银河系中心发现毁灭源

天文学家最近公布，他们发现了从银河系中心喷发出来的一个“毁灭源”。这些天文学家说，这个毁灭源是由物质和反物质相遇并互相摧毁时产生的热气体组成的。它也许是说明存在着一个恒星爆炸地区和黑洞周围有风的证据。     

高功率、长寿命GaAs光电导开关

通过改进GaAs光导开关衬底材料研制工艺、机械结构设计、欧姆电极研制工艺、绝缘封装工艺和脉冲电源馈电方式,研制了3mm异面电极的GaAs光导开关.在56.12μJ光能激励、1kHz重频、15kV偏压、50?负载实验条件下,测得光导开关使用寿命超过3.6×106次,输出电脉冲峰值功率2MW、脉冲宽度2ns、触发抖动方均根值为65ps;最高工作电场达到100kV/cm,对应峰值功率达到10MW;实验还给出了光导开关电压转换效率、触发抖动随偏压升高的测试结果;考虑GaAs对1064nm光吸收系数随电场的变化,定量分析了光导开关电压转换效率随偏压变化的实验现象.     

NiO_x多晶薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

利用射频磁控溅射方法沉积制备了Ag/NiO_x/Pt存储单元,研究了其微结构、电阻开关特性随测试温度的变化.微结构观测分析发现,沉积制备薄膜为富氧的NiO_x多晶薄膜.Ag/NiO_x/Pt存储单元的电流-电压测试曲线呈现阈值型电阻开关特性:分别在2.1~2.4 V的正偏压范围和-2~-2.2 V的负偏压范围内观测到了高低电阻态之间的稳定可逆跳变.随着测试温度的升高,负偏压范围的电阻开关现象在140℃基本消失,而正偏压范围内的电阻开关现象可维持到270℃.运用指数定律拟合室温电流-电压曲线结果表明,薄膜隧穿电流属于缺陷主导的空间限制电流;运用Arrhenius作图法拟合的电流-温度曲线满足线性关系,表明薄膜隧穿电流随测试温度的变化符合肖特基热激发隧穿机制.在周期性电场作用下,从银电极扩散进入薄膜内的Ag离子的氧化还原反应导致存储单元呈现阈值型电阻开关特性.     

管棚法高压注浆与小导管注浆结合处理隧道塌方

介绍了处理偏压段隧道塌方,采用高压管棚法、注浆种类与效果及管棚法的施工步骤流程及小导管超前注浆.     

管棚法高压注浆与小导管注浆结合处理隧道塌方

介绍了处理偏压段隧道塌方,采用高压管棚法、注浆种类与效果及管棚法的施工步骤流程及小导管超前注浆。     

塔里木盆地海相原油的油源问题的综合述评

塔里木盆地台盆区油气源问题争论已久，争论的焦点是盆地内已发现的海相油气资源主要来源于寒武系一下奥陶统烃源岩还是中、上奥陶统烃源岩．文中对前人的主要观点及其论据进行了总结，并对塔里木盆地台盆区油源研究中的有关核心问题，如对比参数的选择、成熟作用及物理分异作用对油源对比参数的影响、有关对比参数的地质、地球化学意义等问题进行了讨论．认为在应用那些受成熟度、物理分异效应等影响较大的参数进行油源对比时引起的歧义可能较大，只有那些地球化学意义明确、受成熟度影响小、次生变化过程中变化小的参数才是有效的油源对比参数．塔里木盆地海相原油包括了这两套烃源岩贡献，广泛存在混源油，发现有来源于寒武系的原油．建议塔里木盆地海相原油成因的进一步研究应优化油源对比参数，采用综合的地质地球化学方法．     

武广客专铁路马山隧道施工技术

文章就武广客运专线铁路马山隧道施工技术方法进行综述,对大断面偏压隧道的施工技术和方法进行了分析阐述,并做了体会,指导以后的施工.     

多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结电子输运性质

利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论,我们研究了多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结的电子输运特性.结果显示,电子输运性质强烈依赖于氮/硼的掺杂数目和掺杂位置.单氮/硼掺杂时出现最好的整流行为.随着掺杂数目的增多,整流性能显著降低.此外,一些掺杂情形在非常低的偏压下出现明显的负微分电阻行为.     

分子马达单向梯跳运动的偏压涨落模型

提出了一个研究分子马达单向梯跳运动的含色噪声的偏压涨落模型 .在绝热近似下给出了几率速流的表达式 .用Monte_Carlo方法模拟了马达分子的力与速度关系和梯跳运动     

客运专线铁路大断面隧道施工技术

文章以武广客专XXTJIV标段内马山隧道的施工为例。对浅埋、偏压的大断面隧道的开挖支护、防排水、衬砌及回填注浆等工序的施工方法进行了阐述和总结。     

分子马达单向梯跳运动的偏压涨落模型

提出了一个研究分子马达单向梯跳运动的含色噪声的偏压涨落模型。在绝热近似下给出了几速流的表达式。用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟了马达分子的力与速度关系和梯跳运动。