在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量

测量ＧａＡｓ—ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器阈值电流随温度的变化，表明在室温附近符 合指数规律．通过这一测量，可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应 测量方法．通过激光器光谱峰位的移动．也可以推算器件的热阻与串联电阻．     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As异质界面极化子的温度效应

ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ异质界面极化子的温度效应李春圃，班士良（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＥｆｆｅｃｔｏｆＰｏｌａｒｏｎｓｏｎａＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）ＡｓＨｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅ￥Ｌ...     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

N型合金半导体的低温电子喇曼散射

研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射．根据晶格动力论,讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心的物理起因．结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中存在施主双稳态特性．在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＜０．４５）的低温持续光电导．当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的ＤＸ中心的深能态．     

用电液相外延法制备透射式GaA光阴极的研究

采用电液相外延法在ｎ型ＧａＡｓ衬底上连续生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７５）过渡层及ｐ型ＧａＡｓ发射层，测试结果表明，电液相外延法适合于制备透射式ＧａＡｓ光电阴极。     

电阻箱零值电阻的误差分析

电阻箱是电磁学实验中的重要实验器材．实验中,计算实验误差时常常不考虑电阻箱零值电阻所引起的误差．而实际上,存放一段时间的电阻箱其零值电阻将大大超过原来的额定零值电阻．用这些电阻箱去做实验时,会对实验数据正确性造成一定影响．在用电阻箱代替高值电阻时,其影响比较微小可以忽略,而用电阻箱代替低值电阻时,电阻箱零值电阻造成的误差是比较大的,所以在实验中就要对其进行测量并修正.为了使电阻箱保持比较正常的零值电阻,必须按照正确的方法来保存电阻箱．     

低碳钢和不锈钢粉末渗铝研究进展

文章介绍了低碳钢、不锈钢粉末渗铝的特点和原理。钢经过渗铝后,表面硬度增加,渗铝层的耐磨性、抗高温氧化性能、耐蚀性均得到提高,在石油、化工、电力等行业具有广泛的应用前景。     

体温下降是抗寒功能开发的重要特征

本文阐述了寒冷环境有助于减缓人体衰老速度，并通过实验观测证实了人体体温下降是抗寒功能开发的必然结果，预示在正常生活状态下，为非药物地实现体温下降方法探索出了一条新途径．     

纳米碳管化学复合镀层组织、沉积机理及性能

了进一步提高Ni-P镀层的耐腐蚀磨损性能,采用化学镀的方法,使纳米碳管与Ni-P合金共沉积在45#钢表面,分析了复合镀层的沉积过程、组织结构,研究了纳米碳管复合镀层的腐蚀及磨损性能。研究表明：复合镀层中纳米碳管与Ni-P以化学键结合,Ni-P-CNTs复合镀层具有较优异的耐腐蚀磨性能。     

多输入端运算放大器加减电路的分析方法

本文阐述了一种用于多输入端运算放大器加减电路的计算规则。当运放两个输入端均有多路信号输入时,利用本规则可以很方便地求取其传输特性,该规则简单、明确、行之有效。     

用差动放大器测量低电阻

根据伏安法测量电阻的优点以及电压跟随器和差动放大器的特点，提出了在低电阻测量中能消除导线电阻和接触电阻影响的一种新方法．设计了完整的实验电路，经过实际测量证明了该方法是可行的．     

用直流电位差计测低值电阻

详细介绍了利用直流电位计测量1Ω以下低值电阻的工作原理和测量方法。     

道碴电阻小和分路电阻大情况下轨道电路存在问题的解决方法探讨

古交矿区煤炭铁路专用线由于现场条件所限,装车点附近线路道床污染严重造成道碴电阻小或分路电阻大,至使轨道电路不能正常工作,严重影响了行车安全和运输效率。针对这种情况,提出了改进的办法。     

高电阻材料界面静电荷的衰减机理

研究了高电阻材料表面集聚的静电荷的不同衰减方式,对比分析了集聚的静电荷通过表面向空气中的泄漏方式和在材料中的逸散方式2种衰减途径的异同.得出了在一定的条件下,在材料中的逸散方式会成为主要的静电荷衰减方式的结论,解决了表面近乎绝缘而体积电阻很小的一种新型抗静电材料用传统的抗静电指标无法界定的困难.对干燥工作环境抗静电材料的选取提供了理论依据.     

云南昆钢医院2013年三、四季度细菌耐药性监测分析

目的:分析云南昆钢医院2013年三、四季度的细菌耐药情况,为临床治疗提供可靠依据。方法:用VITET-2 Compact全自动微生物分析仪鉴定细菌,采用肉汤微量稀释法做体外药敏试验,依照美国临床实验室标准化协会2013年制定的判断药敏试验标准。结果:第三、四季度检验科收到标本3 920份,检出致病菌953株,阳性率24.3%。其中排在前5位的病原菌株种类分别是:大肠埃希氏菌263株、肺炎克雷伯112株、金黄色葡萄球菌56株、铜绿假单胞菌48株、鲍曼不动杆菌41株。药敏大肠埃希氏菌对复方新诺明、氨苄西林的耐药率分别为93.6%、100.0%,肺炎克雷伯菌对复方新诺明、哌拉西林耐药率分别为100.0%、96.4%,鲍曼不动杆菌对头孢唑林、复方新诺明耐药率均大于75.0%,金黄色葡萄球菌青霉素P的耐药率为90.3%,未发现万古霉素耐药的金黄色葡萄球菌,铜绿假单胞菌氨苄西林、头孢唑啉、头孢曲松耐药率均为100.0%。结论:结合昆钢医院细菌耐药趋势参照抗生素目录及使用指南合理选用抗生素,减少或减缓耐药菌株的产生。