Co/GC离子注入修饰电极的制备及表征

用离子注入法在玻碳表面注入钴制备了钴离子注入修饰电极 (Co/GC) ,用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱 (AES)等表面分析手段对Co/GC电极表面的元素组成和元素深度分布进行了表征 .在环丙氟哌酸 (CIF)溶液中 ,用线性扫描伏安法 (LSV)对Co/GC电极的催化活性进行了初步研究 .     

在Co2+注入修饰电极上米托蒽醌的电化学行为及其应用

米托蒽醌(MX)在0.005mol*L-1 Tris-0.05mol*L-1 NaCl (pH7.1)缓冲溶液中, 在Co离子注入玻碳修饰电极(Co/GCE)上,有一灵敏的伏安还原峰,峰电位为-0.68V,峰电流与MX的浓度在1.8×10-7～9.0×10-6 mol*L-1 间呈线性关系,检出限为9.0×10-8 mol*L-1.将该法用于病人尿样的测定,回收率为94.6%～105.7%. 用线性扫描和循环伏安法研究该体系的电化学行为和电催化.实验表明,体系为不可逆过程.Co/GCE上的电流比GC电极的大,扫速对催化效率的影响实验证明,存在着催化作用.X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)实验表明,Co确实被注入在GC表面,注入的Co催化了MX的还原.     

钴离子注入对Ni（OH）2／NiOOH电极行为的影响

用波长扫描现场椭圆振光谱方法和电化学实验技术研究Ｎｉ（ＯＨ）２／ＮｉＯＯＨ电极上的电化学反应，用离子注入技术将钴引入到镍电级表面层中，可提高Ｎｉ（ＯＨ）２／ＮｉＯＯＨ电极的充电效率。拟合椭圆法实验数据确定了充，放电过程中表面膜的转化模型，所得结果表明：在钴离子注入之后，光学模型保持不变，但Ｎｉ（ＯＨ）２／ＮｉＯＯＨ电极的充电效率可得到提高。     

离子注入钯玻碳电极上硝基苯在非水介质中的电化学行为

用循环伏安法在离子注入钯的玻碳电极上,研究了硝基苯(NB)在非水介质0.1mol/LKClO4+DMF溶液中的电化学行为,通过AES测量了离子注入电极的表面组成和各元素的浓度-深度分布,在40keV下,剂量为1×1017离子/cm2的钯注入到玻璃碳(GC)中可产生钯原子最高百分含量为20%的近表面区,GC注入钯后NB的电化学还原会产生中毒现象,用现场ESR与电化学方法联用检测到NB的单电子还原产物硝基苯阴离子自由基,根据实验结果讨论了NB电化学还原的机理.     

Ti／Ni／La离子注入电极的贮氢性能研究

用离子注入的新方法制备了贮氢合金材料,将Ｎｉ和Ｌａ离子依次注入Ｔｉ基体中,形成Ｔｉ／Ｎｉ／Ｌａ离子注入电极。研究了Ｔｉ／Ｎｉ／Ｌａ电极的贮氢性能以及Ｌａ的注量对这些性能的影响。用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）测定了各种元素在电极表面的摩尔分数随深度的分布。Ｔｉ／Ｎｉ／Ｌａ电极表现出良好的贮氢性能并且容易活化,其贮氢性能与注入Ｌａ的注量有关。     

Ti/Ni/La离子注入电极的贮氢性能研究(英)

用离子注入的新方法制备了贮氢合金材料．将Ni和La离子依次注入Ti基体中,形成Ti／Ni／La离子注入电极．研究了Ti／Ni／La电极的贮氨性能以及La的注量对这些性能的影响．用俄歇电子能谱（AFS）测量了各种元素在电极表面的摩尔分数随深度的分布．Ti／Ni／La电极表现出良好的贮氢性能并且容易活化,其贮氢性能与注入La的注量有关．     

碱性溶液中离子注入钯的玻璃碳电极上硝基苯的电化学还原

用循环伏安法在离子注入钯的玻璃碳电极上 ,研究了硝基苯在 0 .1 mol/L Na OH溶液中的电还原过程 ,通过 AES测量了离子注入电极的表面组成和各元素的浓度 -深度分布 .在 40 ke V下 ,将注入剂量为 1× 1 0 1 7离子 /cm2 的钯注入到玻璃碳 (GC)中可产生钯原子最大百分含量为2 0 %的近表面区 ,原基体注入钯后比未注入的 GC对硝基苯 (NB)的电还原有更高的活性 .用现场ESR与电化学方法联用检测到硝基苯的单电子还原产物硝基苯阴离子自由基 ,用现场 UV光谱法也检测到硝基苯的电还原产物苯胺 ,根据实验结果讨论了硝基苯电化学还原的机理     

基于聚硫堇/纳米金固定酶的过氧化氢生物传感器

将电子媒介体硫堇（Thi）聚合于玻碳电极（GC）表面形成带正电的多孔聚硫堇（PTH）复合膜,再利用共价结合和静电吸附将纳米金（nano-Au）和过氧化物酶（HRP）修饰于电极上,从而制得HRP/nano-Au/PTH/GC传感器.用循环伏安法和计时电流法考察该修饰电极的电化学特性,发现该修饰电极对过氧化氢（H2O2）的...     

2,3,16,17-四羧基酞菁钴对氧还原的电催化作用

用循环伏安法及旋转圆盘-环电极研究了2,3,16,17-四羧基酞菁钴(CoTCPc)在溶液中及CoTCPc/GC修饰电极上对O_2还原的电催化作用。实验结果表明,CoTCPc对O_2电还原有明显的催化作用。在Co(Ⅱ)TCPc还原为Co(Ⅰ)TCPc的第一个峰电势附近,O_2在CoTCPc/GC修饰电极上定量地还原为H_2O_2,在稍负的第二个峰电势附近,有H_2O_2还原产生H_2O的过程发生。本文并对CoTCPc对O_2还原电催化过程的机理进行了讨论。     

C^＋离子注入与CoSi2薄膜就力的研究

根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型，分析了CoSi2薄膜中本征应力的起源，证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100）基体注入碳离子（C^ ），然后沉积钴（Co）薄膜，再进行快速退火（Rapid Thermal Annealing，简称RTA）形成二硅化钴（CoSi2）薄膜，发现薄膜中的应力随C^ 离子注入剂量的增加而减少，理论计算了由C^ 离子注入引起的应力减小的数值，并与实验结果进行了比较。     

La离子注入H13钢氧化层结构分析

研究了Ｌａ离子注入Ｈ１３钢的抗氧化特性，运用扫描电子显微镜（ＳＥＭ），背散射能谱（ＲＢＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对离子注入生成的表面优化层的结构进行了分析，探讨了抗氧化机理，实验结果说明Ｌａ注入Ｈ１３钢能够得到表面改性的良好效果。     

离子注入TiNi SMA及Co合金耐蚀性与血液相容性研究

采用离子注入法对生物医用TiNi形状记忆合金及二种Co合金进行表面改性，利用电化学测试技术，动态凝血时间及溶血率的测量，研究了改性前后合金的耐蚀性及血液相容性，结果表明，离子注入后合金的电化学稳定性显著提高，阳极极化性能变优，对TiNi、CoCrNiW和CoCrNiMo合金分别进行Mo C和Ti C双离子注入后，表面改性合金的腐蚀电位升高200mV以上，维钝电流密度减小，钝化区拓宽；合金的凝血时间延长，溶血率下降，说明离子注入提高了合金的耐蚀性及血液相容性，其中双离子注入较单离子注入效果更为显著，对双离子注入合金进行X射线衍射分析发现，在TiNi合金表面主要形成了TiC相及少量TiO、Mo2C、Mo9Ti4及Mo，在Co合金表面主要为CoCx和Co3Ti及少量TiC、TiO相，这些相弥散分布在合金表面，形成无序膜层，阻止了合金元素溶解，改善了合金的耐蚀性及血液相容性。     

聚四氨基酞菁钴的电化学性质

研究了聚四氨基酞菁钴修饰电极(p—CoTAPc／GC)的制备及电化学性质．用电聚合法在玻碳电极上制备P—CoTAPc／GC，并用循环伏安法研究其电化学性质．结果表明：在高扫速时，P—CoTAPc／GC的电极表面为扩散控制．P—CoTAPc／GC具有良好的电化学性质．     

葡萄糖在碳纳米管负载钴修饰电极上的电催化氧化

以碳纳米管为模板采用湿化学法制备碳纳米管负载纳米钴(Co/CNTs)复合材料,用X射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对Co/CNTs进行表征,通过循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对碳管负载纳米钴修饰玻碳电极(Co-CNTs/GCE)在碱液中进行电化学行为和对葡萄糖电催化氧化的研究.结果表明:平均粒径约为21nm的面心立方结构Co纳米粒子均匀分散在碳纳米管上;Co-CNTs/GCE在碱性介质中的电化学行为既受电化学控制又受扩散控制的准可逆过程;Co-CNTs/GCE在碱性介质中对葡萄糖具有较高的催化活性,其电催化氧化过程主要是受电极表面的多孔催化层内薄液界面上扩散控制.     

四硝基酞菁合钴化学修饰电极的制备及对氧的电催化还原

合成了4,4′,4″,4″′—四硝基酞菁合钴(Ⅱ),并进行了表征,用不可逆吸附法制备了该化合物为修饰物的化学修饰电极,以光电子能谱法进行了表面表征。并研究了分子氧在该化学修饰电极上的电化学行为,发现该化学修饰电极对氧的还原有明显的电催化作用。     

二代像增强器 MCP 的 XPS 分析

为降低微通道板（ＭＣＰ）的噪声，提高二代像增强器的产品成品率，该文利用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对二代倒像管和近贴管的ＭＣＰ电极表面进行组份分析。实验发现用氩离子（Ａｒ＋）溅射３ｍｉｎ后，在近贴管的ＭＣＰ电极表面检测不到碱金属元素钾（Ｋ）、钠（Ｎａ），而在倒像管ＭＣＰ电极表面Ｋ的含量为２．１６％，Ｎａ的含量为５．６４％，且在ＭＣＰ电极表面发现铅（Ｐｂ）原子谱峰。实验分析认为，ＭＣＰ电极表面吸附的碱金属Ｋ，Ｎａ与从ＭＣＰ体内偏析于表面的Ｐｂ是二代像增强器背景噪声的主要来源之一。     

MH电极添加剂的电化学性能研究

使用循环放电法，研究在储氢合金中添加适量的钴系添加剂后的电化学性能。结果表明：添加Co、CoO、Co(OH)2的MH电极0．2C放电容量可以从原来的283mAh/g(Alloy)，提高到313ma/g(Alloy Co)、291mAh／g(Alloy CoO)及315mAh／g(Alloy Co(OH)2)，同时在电极中加入Co、CoO、Co(OH）2后，电极在放电过程中发生了Co的氧化反应，为电极提供了容量。     

离子束修饰提高钛阴极析氢活性

研究了双重离子注入Ｗ＾＋／Ｎｉ＾＋,Ｗ＾＋／Ｍｏ＾＋及溅射Ｆｅ后再单离子注入Ｃｏ＾＋或Ｗ＾＋等离子束修饰的钛电极在１ＮＨ２ＳＯ４中的析氢电催化性能,结果表明：与纯钛电极相比,离子束修饰电极的催化析氢活性得到显著改善,其中,注Ｗ＾＋／Ｎｉ＾＋电极的析氢过电位降低３００ｍＶ,用ＸＰＳ和ＡＥＳ能谱分析了离子束修饰电极的表面元素及相结构,讨论了修饰电极催化所氢机理。     

纳米薄层Pt—Ru表面合金电极对一氧化碳的电催化氧化

本文通过循环伏安法在玻炭基底上沉积得到纳米薄层Pt－Ru表面合金电极（nm-Pt-Ru／GC）和Pt电极（nm－Pt／GC）．并测定这二种电极对一氧化碳的电催化氧化．结果表明：nm－Pt－Ru／GC电极对一氧化碳的电氧化比nm－Pt／GC电极具有更高的电催化活性．     

平面双核酞菁钴修饰电极的制备及催化性能研究

用电化学生长法将平面双核酞菁钴(bi-CoPc)修饰到玻碳电极(GC)的表面,制成化学修饰电极,用循环伏安法对该电极的电化学行为进行了研究.结果表明:化学修饰电极对溶液中的O2具有很好的电催化活性,当pH＜3时,可以经过两步四电子催化将O2还原成H2O;在碱性溶液中对巯基乙醇(2-ME)亦具有很好的电催化活性.