ZnO对LMAS系微晶玻璃微波介电性能的影响

采用微扰法,研究了不同质量分数的ZnO以及不同的热处理制度对SiO2-Al2O3-MgO-La2O3微晶玻璃系统微波介电性能的影响。结果表明,ZnO能有效地改善SiO2-Al2O3-MgO-La2O3系微晶玻璃的微波介电性能。当ZnO质量分数为8%,在850℃下保温处理72 h,得到的样品最佳参数为:εr=14.053,Q=1 338.821,τf=85×10-6/℃。     

热处理对CaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃性能影响

以CaO-Al2O3-SiO2为主要原料,采用烧结法制备出微晶玻璃.利用DSC确定了核化温度和晶化温度.利用XRD和SEM研究微晶玻璃的物相组成和显微结构.通过研究热处理温度对微晶玻璃性能的影响,可得出在780℃核化1h、948℃晶化2h时,微晶玻璃的性能最好.     

Pb,Ba对微晶玻璃的微波介电性能的影响

在SiO2-Al2O3-MgO-La2O3微晶玻璃系统中,研究了以BaO取代MgO、PbO取代La2O3对微晶玻璃系统微波介电性能的影响,并用微扰法对样品进行了介电性能的测试。结果表明:添加BaO对系统的介电性能影响不大;当PbO的质量分数为10%时,介电常数有较大提高,样品的Q值仍保持较高值,说明PbO的加入并没有增大介电损耗。实验中得到的最佳样品的性能为:εr=15.68,Q=2598,τf=75.9×10-6/℃。     

BaO-Fe2O3-SiO2系微晶玻璃的制备

选择B aO-F e2O3-S iO2玻璃体系,通过采用分步晶化热处理方法制备出了以B aF e12O19为磁性主晶相的无变形硬盘用微晶玻璃,并利用XRD、SEM、V SM等测试手段对微晶玻璃进行了分析和性能检测.研究结果表明:采用分步晶化热处理方法制备的微晶玻璃性能优于传统的1步晶化热处理方法,并且样品在分步晶化热处理过程中不会产生变形.经过700℃/5 h 850℃/10 h分布晶化热处理方法所制备出的微晶玻璃的主晶相为B aS iO3,B aF e12O19,晶粒尺寸在1μm以内,其比饱和磁化强度可达248.89 Am2/kg,矫顽力可达142.44 kA/m.     

热处理对CaO-Al2O3-SiO2系烧结微晶玻璃吸水率的影响

为降低微晶玻璃的吸水率，通过测定不同颗粒尺寸玻璃在烧结过程中吸水率的变化和扫描电镜的观察，研究了热处理对ＣａＯ－Ａｌ２ Ｏ３ －ＳｉＯ２ 系烧结微晶玻璃吸水率的影响。实验结果表明，在较低温度（９００ ℃）烧结，微晶玻璃具有较高的吸水率，随温度升高吸水率急剧下降，但高温区（１ ０５０～１ １００ ℃）较长时间停留吸水率又有所回升，玻璃原始颗粒尺寸对高温烧结时微晶玻璃制品吸水率的影响作用较小。     

SiO2-Al2O3-ZnO-SrO-La2O3系微晶玻璃性能的研究

SiO2-Al2O3-ZnO-SrO-La2O3为基本成分制备了微晶玻璃样品,在750℃下不同时间热处理。用微波微扰法测量其微波介电性能,结合扫描电镜和X射线衍射分析了其晶相。结果表明,随保温时间的延长,样品的主晶相经历了SrZrSi2O7→SrAl2Si2O8→新玻璃相La2ZrTiO7的变化。SrAl2Si2O8相是亚稳过渡相。反应生成的新玻璃相La2ZrTiO7的Q值高达1800,温度系数约为＋500×10^-6／℃。     

铁尾矿制备的功能微晶玻璃及其微波介电特性

以鞍山铁尾矿为主要原料制备了BaO-Fe2O3-Si O2微晶玻璃,并利用DSC,XRD,SEM以及FT-IR对晶化过程和微观结构及结晶动力学进行了研究.微晶玻璃的最佳热处理制度为:700℃核化3 h,950℃晶化2 h;这样可以制备出主晶相为BaFe12O19、次晶相为BaSi2O5的微晶玻璃.微晶玻璃结构中出现了BaFe12O19的红外特征吸收峰;晶体生长指数为2.8,属三维生长;介电损耗角正切值达到了0.44,而磁损耗正切值为0.017,具有较好的微波介电特性.     

碱金属氧化物对MgO-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃析晶和性能的影响

采用示差扫描量热法(DSC)、X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等分析方法,研究玻璃组成中碱金属氧化物(Li2O 和Na2O)总量不变时,Li2O 逐渐取代Na2O 对MgO-Al2O3-SiO2 系统微晶玻璃的析晶、热膨胀系数及介电性能的影响.研究结果表明Li2O 和Na2O 总含量(质量分数)为3.6%,其中Li2O 含量为1.8%时,微晶玻璃以α-堇青石为主晶相,热膨胀系数为5.11×10-6 ℃,微波频率下介电常数εr 为5.5,介电损耗tan σ为2.1×10-4;随着Li 对Na 的取代,玻璃的析晶能力增强,初始析晶峰温度从950 ℃降至900 ℃左右,但没有降低第二析晶峰温度;随着Li2O 含量增加,热膨胀系数及介电损耗都出现明显的混合碱效应,曲线呈现先降低后升高的变化趋势;样品的介电常数随Li2O 含量增加单调降低.     

CaO-Al2O3-SiO2系烧结微晶玻璃的结晶过程

为控制微晶玻璃中晶体的数量、晶粒尺寸和形貌,采用Ｘ射线方法测定了ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３ －ＳｉＯ２ 系玻璃颗粒在烧结过程中的相对结晶率,并结合扫描电镜研究了不同温度区域内的结晶过程。实验结果表明,在低温（９００ ℃以下）烧结时,晶体沿原玻璃颗粒的界面生成,向玻璃颗粒内部生长,而在原玻璃颗粒的内部无析晶发生,此时的结晶率较低; 在中温区（９００～１ ０５０ ℃）烧结,晶体在玻璃颗粒界面和颗粒内部同时析出并长大,可获得较高的结晶率; 高温区（１ ０５０～１ １００ ℃）烧结时由于玻璃颗粒界面的快速粘合以及相变驱动力的减小,结晶率又趋于下降。     

添加BaO-B2O3-SiO2玻璃对Sr0.3BaO0.7Nb2O6陶瓷烧结和介电性能的影响

以分析纯的BaCO3,SrCO3,Nb2O5,H38O3和SiO2粉末为原料,采用传统的固相合成法制备添加50BaO-4082O3-10SiO2玻璃(物质的量比)的Sro.3Ba0.7Nb2O6(即SBN70)陶瓷.采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪研究添加玻璃对SBN70陶瓷的烧结和介电性能的影响.研究结果表明;随着玻璃含量的增加,陶瓷样品的相对密度先增大后减小;当玻璃含量为5%(质量分数,下同)时,样品的密度达到最大值;添加玻璃降低了陶瓷的烧结温度,于1 250℃时添加5%玻璃的SBN70陶瓷已烧结致密,陶瓷的平均晶粒尺寸约2 μm,晶粒呈短柱状结构;当玻璃含量增大时,晶粒尺寸呈增大趋势;当玻璃添加量≤5%时,样品仍为单相四方钨青铜结构;当含量为10%时,出现了第二相SrB4O7;随着玻璃含量的增加,SBN70衍射峰的位置先移向低角度后移向高角度,而居里温度T0逐渐降低,从195℃下降到25℃左右;随玻璃含量的增加,最大介电常数εmax呈先减小后增大的变化趋势,而介电损耗tan δ则随玻璃含量的增大而减小;添加玻璃的SBN70陶瓷具有弥散相变特性,其弥散系数γ随添加玻璃含量的增加而增大.     

MgO、PbO对LMAS系微晶玻璃温度系数的影响

研究了不同PbO和MgO质量分数以及不同的热处理温度对SiO2Al2O3MgOLa2O3微晶玻璃系统谐振频率温度系数的影响。结果表明,PbO和MgO质量分数分别为10%和12.3%,温度在850℃下热处理10 h时,样品的谐振频率温度系数为75.9×10-6/℃     

Cr, Li, W等添加物对瓷介电容瓷料性能的影响

研究了Cr2O3,Li2CO3,WO3对于0.90(Sr0.54Pb0.26Ca0.20)TiO3-0.1Bi2O3*3.5TiO2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加Cr2O3对于该瓷料的ε-t曲线有压峰作用;而Li2CO3的掺加有提升ε-t峰作用,介电常数随着掺加量的增加而提高,损耗在45 ℃以下随掺加量的增加而提高;WO3的添加也具有提峰作用,并且同时可以降低高温段ε的温度系数.     

微波介质陶瓷的低频介电特性

通过对一系列BLT系陶瓷材料的低频（103～107Hz）介电频谱和介电温谱的测试和分析,不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数。来估计其微波性能提供理论依据,也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法．     

微波在无机材料热处理中的应用

微波是波长介于可见光与通讯波之间的电磁波。微波照射可以引起物质的发热而升温。其原理是电磁波耦合内部的极化因子并使之高频反转。文中归纳影响材料微波加热效应的材料相关因素有介电常数、损耗正切、耦合温度、材料密度等因素,列举了目前微波加热处理的关注领域,主要有微波合成、微波焊接、微波烧结等。其中,微波将在原子扩散、结晶相变和复合材料设计中发挥特殊的优势。     

涂层对三维碳纤维编织体/Al2O3陶瓷复合材料性能的影响

从自制的SiO2和SiC涂层/三维碳纤维编织体出发,采用溶胶浸渍-原位分解法得到三维碳纤维编织体/涂层/Al2O3陶瓷复合材料.采用等温氧化失重、XRD、SEM、电子拉伸试验等测试手段研究了涂层对碳纤维编织体抗氧化性、复合材料力学性能的影响及复合材料的强韧化机理.结果表明:涂层可明显提高碳纤维编织体的抗氧化性能;梯度SiC涂层可明显改善纤维与陶瓷颗粒的界面结合性能,使复合材料的强度、断裂韧性和弹性模量分别增加5~10倍,材料的断裂呈层间紧密的复合断裂;裂纹扩展和断口分析表明,复合材料的强韧化机理为Cf的拔出、桥接和诱导裂纹偏转.     

微波介质特性高温测量方法研究

简要介绍了目前温度高达1000℃以上的介质材料复介电常数测量技术的发展现状，分析了高温介质材料复介电常数测量中的关键技术，给出了多种材料复介电常数随温度变化的曲线。     

LED封装用玻璃/Al2O3系LTCC基板材料的性能

以硼硅玻璃和Al2O3陶瓷粉料为原料,通过改变玻璃和Al2O3质量比(60∶40～40∶60),采用低温烧结法制备低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)材料。采用热膨胀仪、电子万能试验机、导热仪、X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪表征样品的性能。结果表明:样品在烧成温度超过650℃以后,开始出现快速的收缩。随着Al2O3含量增加,样品的密度先增加后减小,烧结收缩率减小。随着样品密度下降,样品的热导率(λ)、抗弯强度(σ)和介电常数(εr)降低,介电损耗(tanδ)恶化。当Al2O3质量分数为45%时,复相材料于875℃烧结致密,显示出较好的性能,λ=2.89 W/(m.K),σ=203.1 MPa,εr=7.66,tanδ=9.1×10-4(于10 MHz下测试)。