利用GAL器件与ABEL语言实现 交通信号的自动控制

讨论了GAL器件的输出特性及ABEL源文件的基本结构.利用GAL器件输出特性和ABEL语言实现了在交通信号控制中的应用,并给出设计系统实例.     

关于ABEL软件若干应用技术问题的探讨

ABEL软件是新一代高效可编程逻辑器件(PLD)设计工具。本文对ABEL开发软件的GAL器件库定义、逻辑功能描述方法、测试向量的确定以及源文件的处理等关键应用技术问题进行了深入探讨。正确运用这些技术对于提高可编程器件的逻辑设计效率和可靠性具有实际意义。     

GAL器件的应用

介绍一种在数字逻辑系统设计中应用比较广的新型电子器件,即可编程逻辑器件PLD中的GAL器件.并通过一个实例交通灯控制系统的设计,应用两种不同方法且进行了对比,即用SSI、MSI集成电路和用GAL器件设计的方法,充分显示出GAL器件,在数字逻辑系统设计中的优越性.     

通用阵列逻辑GAL的破译

本文介绍一种实用的GAL器件破译方法,它是GAL器件破译仪的基础,能够对各种加密编程的GAL器件进行破译。在使用普通PC机作为主机的情况下,破译时间也只需几分到20多分。     

基于ISP器件的复杂交通灯信号控制器的设计

描述了基于ISP器件下设计的复杂交通灯信号控制器的电路图、ABEL－HDL描述语言编程,利用PC机和ISPSynarioSystem软件、pDS SynarioFitter适配软件对Lattice公司的ISP器件进行开发。     

用CPLD器件实现24位同步计数器的设计

文章提出用AMD公司的CPLD器件MACH211SP实现24位同步计数器，给出了设计过程、ABEL语言源文件和实现结果．     

GAL器件的编程和复制系统的研制

本文在原有破译仪的基础上,研制了GAL器件的编程系统,扩充了原系统的编程和复制功能,使用户能对任何GAL16V8或GAL20V8编程的GAL芯片进行破译、编程和复制,在用户自己的开发环境中设计所需的逻辑系统。     

GAL十进制可逆计数器的设计

介绍用通用阵列逻辑器件GAL设计十进制可逆计数器的方法。通过计算机煽程器对GAL煽程。实现设计目的。整个设计电路简单。工作稳定可靠。煽程灵活方便。     

基于GAL设计的智力竞赛抢答器

通用阵列逻辑（GAL）是一种非常流行的可编程逻辑器件,它采用CMOS电可擦工艺制造。由于它具有一种非常灵活的、可编程的输出结构,因此,它几乎可取代所有的中。小规模数字集成电路。又由于GAL具有响应速度快、功耗低、保密位、可重复编程上百次等特点,因此,GAL的应用十分广泛。在许多场合都要用到智力竞赛抢答器。按传统的设计方法,智力竞赛抢答器主要由标准的数字逻辑电路如触发器和基本逻辑门组成,其特点是所用器件较多,电路体积大,从而系统的功耗大,稳定性和可靠性也较差。若采用GAL器件来设计,则可降低系统造价、减小…     

用可编程逻辑器件实现汽车运行状态显示

利用可编程GAL器件的特性，设计出一个完整的电路以实现车辆运动状态的显示，同时对器件的选择进行必要的分析。     

用可编程器件实现PWM

用GAL器件实现了脉冲宽度调制（PWM）。阐述了设计原理、设计实例以 及与单片机的接口。     

氮化镓基共振隧穿二极管中极化效应的研究

目的 理论分析极化效应对用于太赫兹波段的氮化镓(GaN)基共振隧穿二极管(RTD)器件特性的影响。方法 通过半导体工艺以及器件模拟工具对GaN基RTD器件进行建模,在此模型的基础上对器件展开详尽的理论分析,从微观机理上揭示极化效应对器件输出特性的影响。结果 提取的存在极化效应的RTD器件的输出特性曲线显示出明显的非反对称性。结论 极化效应是影响器件输出特性的关键因素之一,因此器件性能的提升必须以弱化极化效应为目标。     

PLD在计算机控制器设计中的应用

介绍通用陈列逻辑器件GAL的特点、开发工具及在计算机系统控制器设计中的应用.     

用GAL器件实现图象采集卡中的同步机

本文介绍用GAL器件实现的同步机电路，该电路已成功地运用在数字图象处理系统的图象采集卡中。     

用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度

在均匀的高电场应力下,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变.这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的.在本文中,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度.得到了阈值电压和比例差分峰值,界面陷阱密度和应力时间的关系.此种方法也适用于PMOSFET器件.这是一个简单而快捷的技术.用这个技术实验数据可以在测量的过程中进行分析.     

通用阵列逻辑GAL的破译软件

本文介绍与GAL器件破译仪主机运行有关的软件,包括异步通信程序模块、数据的二次处理和逻辑化简程序模块,以及菜单和附加功能程序模块。本文采取了一些措施,使破译时间得到减少。     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．     

利用可编程器件实现程序硬加密的实例

EPROM和PROM均无加密功能，以此为存储器的单片机系统程序很容易被解读复制。若利用可编程器件GAL可加密保护的功能，将系统原程序编码后再固化于EPROM或PROM中，实现了程序的硬件加密保护。     

垂直增强型氧化镓MOSFET器件自热效应研究

本文设计了垂直增强型Ga₂O₃ MOSFET器件,针对氧化镓材料的热导率低,通过研究不同晶向材料、不同热阻和不同温度下器件的输出特性,分析器件的温度分布特点,对Ga₂O₃ MOSFET的热学特性进行分析.热导率模型通过研究氧化镓不同晶向时对器件的输出特性及温度分布的影响,得到[010]晶向的热导率最好, T=300 K时,比其他晶向的热导率高约0.1 W/cm K,相同电压下对应的输出饱和电流最大(V_gs=3 V时, I_dsat>400 A/cm²).进一步研究了不同晶向Ga₂O₃ MOSFET在不同环境温度时的输出特性曲线,随着热阻降低,器件边界散热能力提高,自热效应的影响被抑制,源漏饱和电流增大,边界热阻在0.01–0.005 cm²K/W时可确保器件的正常工作.这些都为日后优化器件性能提供了可靠的方法和参考价值.     

AlGaN/GaN HEMT 微加速度计的设计和温度特性研究

采用一种新原理来设计AlGaN/GaN HEMT加速度计,从理论和实验两方面分析和验证了温度的变化对加速度计的输出特性带来的影响。测试了AlGaN/GaN基HEMT器件在常温下的Ⅰ-Ⅴ特性和在不同温度下输出特性的变化。结果表明,随着温度的升高,器件的饱和电流减小。根据计算速率约为0.027 mA/℃。加速度计可以在-50℃—50℃的温度安全稳定的工作。