正常金属-绝缘层-d波超导结中的隧道谱与散粒噪声

在正常金属-绝缘层-d波超导隧道结中,考虑到绝缘层的势垒散射效应,运用Bogoliubov-de Gennes方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk理论模型,计算系统的微分电导和散粒噪声随偏压的变化关系,研究表明,绝缘层的势垒高度与绝缘层的厚度都能使：（1）零偏压电导峰变得尖锐;（2）微分散粒噪声的峰位置向零偏压处位移;（3）散粒噪声功率与平均电流的比值随绝缘层厚度与高度的增大在大偏压下趋于2e值。     

正常金属-绝缘层-无序层-s波超导结中的隧道谱与散粒噪声

考虑到无序层中的体杂质散射以及绝缘界面层的粗糙散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-绝缘层-无序层-s波超导隧道结系统的微分电导、平均电流和散粒噪声功率,研究表明,无序层中的杂质散射和粗糙界面散射都能抑制系统的微分电导、平均电流和散粒噪声功率。     

正常金属—d波超导结中的粗糙界面散射和准粒子有限寿命效应对散粒噪声的影响

考虑到粗糙界面散射和准粒子的有限寿命效应,利用散射理论,计算正常金属-d波超导结中的散粒噪声,研究表明,粗糙界面散射和准粒子的有限寿命效应都可导致平均电流与散粒噪声功率降低,而噪声功率与平均电流的比值都增加。     

铁磁/绝缘层/铁磁/绝缘层/s波超导双隧道结中的微分电导与散粒噪声

考虑到铁磁层中的磁交换劈裂,两绝缘层的势垒散射以及量子干涉效应,计算铁磁/绝缘层/铁磁/绝缘层/s波超导结构中的微分电导与散粒噪声.研究表明:微分电导与散粒噪声都随中间铁磁层厚度作周期性振荡.     

Zeeman效应对d波超导特性及其正常金属/d波超导结中隧道谱的影响

通过外加Zeeman磁场在d波超导中, 研究磁场对d波超导及其正常金属/d波超导结中隧道谱的影响. 研究表明: (i) Zeeman磁场能使能隙变小, 且随着磁场变大, 超导态会变为正常态, 产生一级相变; (ii)Zeeman磁场可导致零偏压电导峰劈裂, 劈裂宽度为2h₀(h₀为Zeeman能); (iii)界面势垒强度与温度都能降低劈裂的电导峰的数值, 其中界面散射势会使电导峰变得尖锐, 温度可抹平其电导 峰, 但它们并不影响Zeeman效应.     

半导体异质结中场驱动下的散粒噪声特性

文章利用有效质量近似和Floquet理论,研究自旋轨道耦合和外场驱动作用下的半导体异质结中的散粒噪声特性。首先给出了系统中束缚态能级对外场的磁化强度的依赖,并进一步研究了低频极限下的零温散粒噪声对外加振荡场、两边的磁化强度及其夹角的依赖关系。外加振荡场使得散粒噪声谱中会出现光子辅助的双Fano共振峰现象。对于自旋向上的电子,散粒噪声随着交换劈裂能的增加而减小;但对于自旋向下的电子,散粒噪声随着交换劈裂能的增加而增大。较大交换劈裂能下,磁化夹角会使得散粒噪声谱发生劈裂现象,且随着交换劈裂能的增加,散粒噪声谱曲线中劈裂的双峰逐渐由对称转换为非对称。较弱外场会使得散粒噪声谱的双峰向相反方向移动,谷底的散粒噪声谱的高度会随着外场的减弱而增强。     

GaAs/AlGaAs异质结量子点接触中的散粒噪声实验研究

量子点接触是一种具有丰富物理内涵的准一维受限量子体系,是研究电子量子输运的理想体系.量子点接触产生的散粒噪声已经成为介观物理越来越感兴趣的一个热点.本文在传统的GaAs/AlGaAs材料中设计了量子点接触器件,分别测量了它处于零磁场与高磁场下的散粒噪声,分析了处于20 mK的极低温下器件的散粒噪声随源漏偏压、栅电压以及磁场等参数的变化规律.我们得到了Fano因子随栅电压的变化规律,并与器件的电导平台作对比,分析了前两个霍尔通道从关闭到打开的过程中电子的散射行为.本文的研究会加深我们对量子点接触结构中电子量子输运性质的理解.     

正常金属-绝缘体-s波超导结中的隧道谱和束缚态

在正常金属－绝缘体－ｓ波超导隧道结中,考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ）方程和Ｂｌｏｎｄｅｒ－Ｔｉｎｋｈａｍ－Ｋｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型,计算系统的微分电导和束缚态。计算表明：（１）粗糙界面散射和绝缘体中的杂质散射都能使能隙峰变低,凹陷升高;（２）当绝缘层厚度具有几个超导相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰,并在超导能隙内形成一些束缚态。     

Rashba自旋轨道耦合效应对散粒噪声的影响

计算了自旋电子隧穿铁磁/半导体/铁磁异质结的隧穿系数.根据Landauer-Büttier公式及其理论框架,计算了零温时的散粒噪声和电导,对散粒噪声和电导的函数曲线进行了对比分析,讨论了它们和Rashba自旋轨道耦合效应及量子尺寸效应的关系.     

正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中的隧道谱

以方势垒描述绝缘层,考虑正常金属区域的杂质散射,运用Bogoliubov-deGennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,对正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中的隧道谱作进一步研究.研究表明:(1)在U0>EF的情况下,微分电导随绝缘层宽度的增加而衰减,偏压不同,衰减的程度不同;(2)衰减能压低能隙电导峰;(3)较小的杂质散射即能在隧道谱的零偏压凹陷峰中感应出一小峰.     

外场中超导体/半导体/超导体结的直流Josephson电流

当外加磁场时,超导体/半导体/超导体结的临界电流受外加磁场的影响.超导结的临界电流与磁场的曲线非常类似于单色光在单狭缝衍射的夫琅和费图样.在未考虑外加磁场的超导体/半导体/超导体结的临界电流的基础上,进一步对外加磁场的情形进行了研究.     

稀磁半导体/半导体量子线中的散粒噪声

采用散射矩阵方法研究在电场、磁场作用下稀磁半导体/半导体量子线结构中自旋依赖的散粒噪声性质,揭示其中自旋噪声同外磁场、偏压、温度和体系的几何参数之间的依赖关系.研究发现,稀磁半导体/半导体量子线的噪声谱密度随外磁场的增加而显著减小.自旋向下电子的热噪声随温度变化近似线性增大,而自旋向上电子的热噪声随温度变化而呈现出振荡现象.自旋向下电子的散粒噪声谱,零温时随偏压变化而线性增加,而在低温时随偏压变化在小范围内呈现出振荡现象.     

散粒噪音驱动系统的平均首通时间

本文对散粒噪音驱动的一般扩散过程作了系统分析,为求平均首通时间提出了一个一般化的方法.并在Brown运动的情况下得到一个严格解.     

散粒噪音驱动系统的平均首通时间

本文对散粒噪音驱动的一般扩散过程作了系统分析,为求平均首通时间提出了一个一般化的方法。并在 Brown 运动的情况下得到一个严格解。     

纳米器件中双势垒结构的散粒噪声分析及抑制

分析了纳米电子器件中散粒噪声的散射理论,通过对电导问题和散射问题相似性的讨论,得到一种基于双势垒结构纳米器件的散粒噪声抑制的方法。     

长春师范学院校园噪声的测量与评价

对长春师范学院校园环境噪声进行了实地监测,根据监测结果分析了长春师范学院校园声环境质量.结果表明:长春师范学院整体校园声环境一般,除施工区附近的两个区域和学校正门附近的区域超过国家标准外,其它各区域均符合国家标准值.同时文章就如何更好地改善校园声环境提出了一些措施和建议.