尺寸对椭圆钴纳米环磁特性的影响

利用Monte-Carlo方法模拟了不同长、短轴以及不同内径的椭圆钴纳米环的磁特性.模拟结果表明:对于偏心率较小的椭圆钴纳米环,当内径不大时,系统的磁滞回线与圆形钴纳米环的磁滞回线相当类似;当内径较大时,系统的磁滞回线与圆形钴纳米环的结果有很大的不同.当椭圆的偏心率增大时,由于存在较多的过渡状态,系统磁滞回线的台阶变得更为平滑,这可以通过系统的磁化过程进行解释.当椭圆的偏心率较大时,由于出现了大量的过渡状态,系统的磁滞回线呈现的台阶变得更加平滑.     

缺损钴纳米环磁特性模拟研究

利用蒙特卡洛(MC)方法结合快速傅立叶变换微磁学(FFTM)方法,研究了缺损钴纳米环材料的磁特性,模拟结果表明:缺损钴纳米环的磁滞回线依然存在典型的双稳态特征.当缺损纳米环中的内半径变化时,在外磁场的作用下依然存在着洋葱态和涡旋态,但在外磁场变化过程中出现了多次局部涡旋的过渡状态,随着缺损程度的变化,其磁化行为也发生变化.     

偏心铁纳米环的磁化动力学研究

利用Monte Carlo(蒙特卡洛)方法结合快速傅里叶变换,模拟不同形状的偏心铁纳米环的磁特性.研究结果表明:偏心铁纳米环的磁滞回线与对称系统的磁滞回线类似,均具有双稳态,即存在明显的"vortex"态(涡旋态)与"onion"态(洋葱态).模拟结果还表明,相较于对称纳米环,偏心铁纳米环系统具有更为复杂的过渡状态.这说明形状和结构的不对称性对铁磁纳米环的磁化行为有一定的影响.这一结果对实验研究及磁性纳米环的实际应用具有很好的指导和参考意义.     

铁纳米环磁特性的尺寸效应——蒙特卡罗模拟

利用Monte Carlo 模拟方法研究了样品的尺寸对外径为200 nm的铁纳米环磁特性的影响.分别从不同尺寸纳米环的磁化反转机制、纳米环的磁滞回线以及矫顽力的特点等方面来研究.结果表明:铁纳米环的尺寸对其"Vortex"态的形成及稳定性有较大的影响,表明了其明显的尺寸效应.     

纳米接触点的位置和大小对磁涡旋核反转的影响

利用微磁模拟的方法研究了纳米接触点的位置和大小对坡莫纳米盘中磁涡旋核极性反转的影响.着重研究了纳米接触点的位置和大小对磁涡旋核反转的临界电流密度和反转时间的影响.微磁模拟结果表明,纳米接触点的大小对磁涡旋核反转的临界电流密度产生很大影响,而纳米接触点的位置对磁涡旋核的反转时间影响很大.     

平板滞止区内水-氧化铜纳米流体的喷流沸腾传热特性

对高温平板滞止区内水-氧化铜纳米流体圆形喷流冲击沸腾的核态沸腾特性和临界热流密度(CHF)进行了系统的稳态实验研究,考察了纳米颗粒质量分数、流速、过冷度等系统条件对喷流沸腾和CHF的影响,建立了预示核态沸腾的经验型方程.研究结果表明:水基纳米悬浮液的喷流沸腾换热特性与水相比大幅度降低,但CHF有较大增加;沸腾特性的变化主要来源于传热面表面特性的变化.     

Fex（In2O3）1—x颗粒膜磁性的研究

报道了“铁磁金属－半导体基体”Ｆｅｘ（Ｉｎ２Ｏ３）１－Ｘ颗粒膜的磁性研究。根据低场磁化率Ｘ（Ｔ）温度关系和不同温度下的磁滞回线研究表明：膜中的Ｆｅ颗粒有大小不同的两种尺度,随温度降低,颗粒膜的磁特性由超顺磁态转变为超顺磁和铁磁的混磁态,最后在１０Ｋ变为类反铁磁态;在截止温度以上,其ＭＳ（Ｔ）关系符合Ｂｌｏｃｈ的Ｔ＾３／２定律。     

两个纳米点接触下磁涡旋的动力学行为

研究了两个纳米点接触系统中磁涡旋的动力学行为.平面外的两个极化电流分别通过一个位于盘中心的纳米接触点和一个不在盘中心的纳米接触点通入坡莫纳米盘.随着电流密度的增加,磁涡旋依次出现了旋转回归运动、极性反转、奇异的磁涡旋构型等动力学现象.重点研究了磁涡旋旋转回归运动的轨迹和旋转频率.     

矩形磁纳米点的磁反转及动力学特性研究

基于微磁学模拟方法研究了矩形纳米点的磁反转和动力学特性.获得了矩形纳米点的磁反转过程、自旋波本征动力学特性,以及两者间的内在联系.矩形纳米点的磁反转过程从边缘畴壁的失稳开始,伴随着边缘畴壁移出纳米点外微磁结构从"Flower"态转变为"C"态,随着"C"态边缘畴向磁体中央扩展形成大角畴壁,最后伴随着畴壁移出纳米点外实现反转.磁反转过程中微磁结构相变总是伴随着某种自旋波模式的软化;对称的边缘模式(S-EM)模式软化诱发微磁结构从"Flower"态向"C"态演化,在反转场附近,局域于Y形畴壁的Y-D畴壁模式自旋波的软化激发矩形纳米点不可逆磁反转.     

纳米接触点的变化对磁涡旋核极性反转的控制

通过微磁模拟的方法研究了纳米接触点的个数、尺寸以及位置对磁涡旋核极性反转的影响.模拟计算显示,与纳米接触点被设置在盘中央对比,如果纳米接触点被设置在偏离盘中央时,磁涡旋核极性反转的临界电流密度和反转时间都会大幅度减小.当设置两个纳米接触点时,如果改变半径小的接触点的位置,则仅对临界反转电流密度有明显影响;如果改变的是半径大的接触点的位置,则对临界反转电流密度和反转时间都有影响.所有的模拟计算都显示纳米接触点的个数、尺寸以及位置均不影响磁涡旋核的反转速度.     

磁性多层膜的磁滞回线和磁阻曲线的唯像理论研究

基于相干转动的局域能量极小模型和经典的热激活模型研究了包含二次、双二次耦合的磁性多层膜的磁化过程。计算结果表明双二次耦合和磁层的层数对多层膜的磁相图、磁滞回线、磁阻曲线都有重要的影响。在有限温度下，热激活使得磁性多层膜的磁状态间发生跳跃而达到动态平衡。当引入了具有高斯分布的微磁畴元后，计算了系统的磁状态，得到了不同温度下的磁滞回线和磁阻曲线。计算结果较好地解释了形态各异的磁滞回线和磁阻曲线。     

反铁磁耦合双层膜结构体系的磁滞回线相图研究

基于Stoner-Wohlfarth模型研究了非对称型反铁磁耦合三层体系的磁滞特性,得到了不同磁层厚度以及磁参数下发生线性磁相变临界转换场的解析表达式,以及9种可能存在的不同类型易轴磁滞回线．基于磁相变的临界条件获得了非对称反铁磁耦合双层膜体系在k1-k2如空间的磁滞回线相图．非对称反铁磁耦合双层膜体系作为磁隧道结的自由层时,相对于单层结构自由层具有更好的热稳定性．     

具有垂直各向异性的Co/Pt多层膜中各Co层之间铁磁性耦合

使用磁控溅射法制备了一系列具有不同Pt中间层厚度的glass/NiO(1.nm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3/Pt(xnm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3样品并对Co层之间的铁磁性耦合强度进行了测量.整体磁滞回线和局部磁滞回线的测量结果表明,上下两层Co/Pt多层膜之间的铁磁性耦合强度随着Pt中间层厚度的增加单调减小,当Pt中间层厚度超过4.nm时铁磁性耦合消失.除了上下两层Co/Pt多层膜之间通过Pt中间层产生的铁磁性耦合作用之外,它们之间也存在弱的次耦合作用,这导致底层出现宽的磁滞.     

Strain-induced modulation of magnetic anisotropy in Co/BaTiO_3 composite

A uniaxial magnetic anisotropy Co film was grown on a single-crystal Ba Ti O3（BTO） substrate. The strain yielded by the voltage-induced ferroelastic domain switching in the BTO substrate was recorded by atomic force microscope and modulated the magnetism of the Co film. The manipulation of the magnetism of the Co film is experimentally demonstrated by voltage dependence of magnetic hysteresis loops measured via magneto-optic Kerr effect.     

铁纳米管壁厚度对磁性的影晌

采用改进的溶胶凝胶还原法,利用阳极氧化铝模板（AAO）制备出了不同管壁厚度的Fe纳米管阵列,利用震动样品磁强计测量了平行和垂直于Fe纳米管阵列的磁滞回线,结果表明易磁化轴平行于纳米管的轴向方向,样品具有明显的磁各向异性．     

磁性超晶格的磁层间交换耦合与巨磁阻

评述了磁层间的交换耦合和巨磁阻研究的进展，特别是磁层间的交换耦合和巨磁阻随夹层厚度和磁层厚度作周期性振荡的现象及其理论模型，并采用唯像理论计算了磁性超晶格的磁相图、交换耦合、起始磁化曲线、磁滞回线与巨磁阻。     

无线电层析成像中的恒定离心率椭圆模型

修正无线电层析成像方法采用的变化离心率椭圆模型,引入恒定离心率椭圆模型. 当采用链路2节点为椭圆焦点时,该链路RSSI的变化量是以恒定椭圆离心率所覆盖的每个像素点阴影衰落的加权求和. 比较了不同模型和椭圆离心率的Tikhonov正则化重建图像;选择美国犹他大学和北京理工大学的试验数据,成像结果表明恒定离心率模型的效果优于变化离心率模型. 还表明恒定椭圆离心率越大,定位精度越高,但存在伪迹. 当采用恒定离心率椭圆模型时,合理的离心率应在0.996附近.      

硬磁/软磁多层膜的成核场、磁滞回线、磁相图和临界厚度

本文通过微磁学方法,较为系统地研究了同组合的硬磁/软磁多层膜的磁矩分和磁滞回,并出了成核场以及成核场和钉扎场分离的软磁厚度（临界厚度）的解析公.研究发现,当软磁厚度Ls较小时,钉扎场与成核场一致,磁滞回为矩形,对应的磁为刚性磁体;随着Ls增大,钉扎场与成核场发生分离,磁滞回在第二开发生倾斜,磁由刚性磁体变为交换弹簧磁体;随着软磁厚度进一增大,硬磁和软磁的磁矩反转对独立,磁由交换弹簧磁体变为退耦合磁体.解析推导表明,临界厚度和硬磁的磁晶异性的平方成反比,这一点与Kneller的估算公一致.据临界厚度的解析公,我们计算了同材料的临界厚度,并与实验值和Kneller等人的估算值进行了比较,探讨了差别产生的原因.     

双膜片石英谐振式力传感器设计及其性能研究

将石英谐振器分别假设为正交各向异性体和各向同性体 ,利用有限元法对其进行失稳时临界力的计算和分析 ,得出了传感器结构稳定性与谐振器厚度及支撑条件的关系。在此基础上 ,对传感器结构进行了改进 ,并对单、双膜片结构传感器的各种性能进行了实验研究 ,得出如下结论 :传感器由单膜片结构改制成双膜片结构后 ,其非线性误差、滞后误差、重复性误差和蠕变误差普遍降低 ,滞后和重复性指标的提高尤为显著 ;另外 ,双膜片结构传感器的抗偏载及横向冲击能力大大增强 ,可靠性明显提高