方石英的制备及其对磷酸盐包埋料性能的影响

评价方石英的制备方法及方石英对磷酸盐包埋料性能的影响。分别将石英置入1400，1500，1600，1650℃温度下并保温3h．另将石英升温至1600℃并分别保温4，5，6h，检测方石英的转化率分别为8％，43％，92％，99％，95％，98％，99．2％；用所制备的方石英及其他原料包埋铸造，随着方石英的增加，包埋料的显气孔率上升，体积密度下降，烧900℃后耐压强度呈减小趋势，热膨胀呈上升趋势，铸件边缘浮出量逐渐减小。通过升高温度和延长保温时间可提高方石英的转化率，适当调节方石英的含量可提高修复体的适合性。     

稀土氧化物对碳化硅晶须形成的影响

研究了氩气气氛下稀土氧化物对不同碳源形成SiC晶须的影响.结果表明,稀土氧化物能够在一定程度上促进碳化硅晶须的形成.稀土氧化物能够改变碳化硅晶须的形貌,主要表现在提高碳化硅晶须的直晶率和直径.不同种类的稀土氧化物,其催化效果不同.     

表面氧化物含量对SiC浆料黏度影响的研究

研究了表面杂质对SiC浆料黏度和固相含量的影响,利用HF酸洗可有效降低SiC微粉表面SiO2和金属氧化物含量,从而提高SiC微粉的表面Zeta电位.试样SiC1的Zeta电位由酸洗前的60.71mV升高至酸洗后的72.49mV,试样SiC2的Zeta电位由酸洗前的55.728mV升高至酸洗后的63.546mV.HF酸洗还可破坏SiC微粉表面羟基结构,并以F-取代OH-的位置,使SiC表面由亲水性变为疏水性.Zeta电位的提高可使SiC微粉充分分散并保持稳定;表面疏水可大量释放出因氢键作用而与SiC表面牢固结合的吸附水,使之可自由流动.二者综合作用,可大大降低SiC浆料的黏度并提高固相含量.通过HF酸洗,试样SiC-1和SiC-2的浆料在黏度小于1Pa·s时,φ(SiC-1)、φ(SiC2)可分别达到61%和51%,基本满足胶态成型的需要.     

用氧化物粒子增韧的SiC基复相陶瓷高温氧化行为

用恒温热重法测定了热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复相陶瓷在１５００℃空气中的氧化增重速率，并研究其高温氧化行为。氧化动力学测定结果表明，热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复相陶瓷材料的氧化增重速率随氧化时间延长而减小；反应气体氧和反应气物气体ＣＯ通过氧化产物边界层的扩散过程与氧化反应过程相比是很慢的，成为氧化速率限制过程。     

稀土氧化物对液相烧结碳化硅的影响

采用AIN-稀土氧化物系统烧结助剂,通过液相烧结制备了碳化硅陶瓷．研究了不同稀土氧化物对烧结行为、烧结体显微结构和力学性能的影响．结果表明：Nd2O3-A1N,La2O3-A1N系统烧结失重较大,无法达到完全致密．Y203-A1N或AIN-Nd203-Y2O3,A1N-La203-Y20。系统可以在较低的温度下实现致密化;所有样品的晶粒细小,尺寸为1-2μm,无异常长大现象;在烧结体中除有高温烧结液相之外,还形成了稀土硅铝酸盐新相;致密的碳化硅陶瓷烧结体不但具有高硬度,而且断裂韧性高达6-8MPa·m^1/2     

氧化物结合碳化硅复合材料的研究

通过对氧化物结合碳化硅复合材料中添加的氧化物种类和数量，以及烧结温度、试样尺寸的分析发现：氧化钙的加入有利于试样抗弯强度的提高；氧化硅的质量分数为0.5%时试样抗弯强度最高，达42.3MPa；最高烧结温度为1530℃时试样无晶粒长大现象，抗弯强度较高；试样的强度有明显的尺寸效应，尺寸越大，既试样的有效体积越大，则试样的断裂概率越大，抗弯强度越低。     

SiC材料发光性能表征综述

本文从SiC材料发光性能表征方法出发,介绍了光致发光、阴极荧光和离子激发发光三种光学测量方法．不同发光表征技术适用研究材料不同的品质特征,光致发光是一种无损检测,阴极荧光对SiC外延层的位错缺陷具有更好的测量效果,离子激发发光可以观测缺陷发光的原位信息．发光变化与材料中的缺陷中心相关,因而光学测量可以很好地反映材料内部特征．通过不同光学测量方法研究SiC材料的发光性能,为更好地拓展SiC发光应用奠定了重要基础．      

氮化硅结合碳化硅材料抗氧化性能的研究

研究了氮化硅结合碳化硅材料１１００℃时的高温氧化行为，结果表明，该材料的氧化特性符合氧化动力学方程；高温氧化产物的数量及其特性对材料室温强度的变化起主导作用；随氧化硅含量降低或碳化硅颗粒的增大，材料的抗氧化性能得到明显改善。     

SiC晶须的含量对ZTA陶瓷基复合材料抗热震性能的影响

采用国产SiC晶须（SiCw）制备SiCw-ZTA陶瓷基复合材料，研究了SiC晶须含量对复合材料的抗热震性能的影响。     

不同结合剂对熔融石英窑具性能与析晶结构的影响

主要对熔融石英结构、不同结合剂结合的窑具性能和高温析晶结构进行研究．通过不同结合剂含量的性能比较,确定最佳配方（高铝结合剂最佳含量为３０％,粘土结合剂最佳含量为２０％）,高温烧成析晶结构（α－石英,α－方石英,莫来石）及其含量．     

中型氧化硅簇的性质及其在纳米硅线生长中的作用

应用量子化学计算法和前线轨道理论研究了中型氧化硅簇体系的结构和反应性，并从该理论研究出发，对一种新型的可以高产量生长纳米硅线的实验技术，即氧化硅辅助生长方法的生长机制做了相应的探讨。初步得出了富含硅的氧化硅簇和类似SiO配比的氧化硅簇在纳米硅线的成核和生长中起到了重要作用。     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

制备活性二氧化硅实验的设计

本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。     

激光辐照加工的硅氧化结构的受激发光(英文)

我们用1064nm脉冲激光在硅表面加工出小孔结构,再作高温退火处理形成硅氧化纳米结构,发现该结构在692和694nm波长处有很强的光致受激发光(PL).通过进一步实验发现:该PL发光有明显的阈值表现和光泵线性增强效应,证明该PL发光确实是光致受激辐射.我们提出氧化界面态模型来解释光致受激发光机理,在氧化界面态与价带顶空穴态之间形成粒子数反转.这项工作为硅基上发光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.     

烧结温度对WC-Co(Cu)硬质合金性能的影响

通过粉末直接混合和真空烧结法制备WC-Co(Cu)硬质合金。用XRD、ICP-AES和SEM分析了硬质合金的成分和组织结构。用万能实验机和洛氏硬度计测试了抗弯强度和硬度。结果表明:随烧结温度的升高,显微组织的均匀性先增加后降低,当烧结温度为1460℃时,显微组织分布均匀。真空烧结时,Cu产生挥发,少量的Cu固溶到WC-Co中。随着烧结温度的升高,抗弯强度和硬度呈先增大后减小的趋势,当烧结温度为1460℃时,抗弯强度和硬度最大,分别为2595 MPa和90.7 HRA。     

氧化膜对半金属汽车刹车材料摩擦磨损性能的影响

以一种半金属汽车刹车材料为研究对象,分析了按不同比例配入铜纤维后材料摩擦表面氧化膜的生成及其对摩擦磨损性能的影响．结果表明,中温下半金属刹车材料的氧化对摩擦磨损性能起着较为重要的作用,中温下的氧化磨损为其主要的磨损机理．增加铜纤维的含量有利于减少低温下的粘着磨损和中温下的氧化磨损．     

唐山市水稻田土壤施硅肥对作物产量的影响

唐山市各县区长期种植水稻 ,逐渐表现出缺硅现象 :群体植株高度下降 ,茎叶变软 ,叶片披垂 ,易感病 ,籽粒空秕率高 ,导致产量降低。水稻田灌溉水有效硅含量 :沿海地区平均 1 2 92mg/kg ;内陆地区平均 2 37mg/kg。水稻田土壤有效硅含量 :沿海地区平均 74 57mg/kg ;内陆地区平均 59 63mg/kg。水稻田施用硅肥的最佳施肥量 :沿海地区施有效硅 1 2 1 5kg/hm2 ;内陆地区底施有效硅 1 61 6kg/hm2 。水稻田施硅增产的因子有 4个方面 :1、促进根系发育 ,增加白根数量 ,减少红、黑根数量 ,提高根系的吸收能力 ;2、提高植株有效分蘖和成穗率 ,减少养分消耗 ;3、增加植株高度 ,使茎叶健壮 ,提高抗病性 ;4、从产量结构分析 ,穗数、穗粒数、千粒重均增加 ,从而增高单位面积产量     

碳化钨晶格中的氧原子及其对催化活性的影响

用XPS、XRD、EXAFS及EHMO量子计算等多种分析方法确证了低温合成的碳化钨晶格中嵌入了氧原子.碳化钨对烷烃转化反应及CO加氢反应都有活性。晶格氧使碳化钨的比活性略有下降.     

碱式氯化铝中三氧化二铝含量的测定——氟电极直接电位法

在微酸性溶液中,加入一定过量的氟化钾沉淀剂,使铝与它定量生成铝氟酸钾沉淀。用氟离子选择电极测定过量的F~-量,间接计算出试样中铝的舍量。此法简便、快速、干扰少、结果与常规的络合滴定法相比无显著性差异。