共查询到17条相似文献,搜索用时 656 毫秒
1.
按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρo值.计算结果以势垒高度φB自0.3~1.0eV,ρo与载流子浓度(1018~1021cm-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φB并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φB降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论. 相似文献
2.
掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究.结果表明,薄膜中氮含量随工艺中氮气/甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和.光谱中CH键吸收峰(2859~3100cm-1)逐渐消失,而且CNH键(1600cm-1)、C≡N键(2200cm-1)和NH键(3250cm-1)对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加.拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应.偏振光谱分析认为,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由1.8降低到1.6. 相似文献
3.
在0.110~0.510cm-1波数范围和15~170℃温度区间研究了非晶共聚体PMA0.1PMMA0.9的布里渊光谱. 相似文献
4.
5.
基于傅里叶变换红外光谱法(Fourier transform infrared spectroscopy, FTIR),研究了5类食用植物油(菜籽油、玉米油、葵花籽油、花生油和棕榈油)的快速鉴别方法。通过5种食用油的FTIR光谱分析,选择了1 162和1 463 cm-1,1 747和2 852 cm-1两组特征吸收峰面积比值,结合2 910 cm-1附近的特征吸收峰位偏移,给出了5种食用油样品的三维分布图,从而实现了对这5种食用油的快速分析鉴别,对其他多种食用油的快速分析鉴别具有很好的借鉴价值和应用前景。 相似文献
6.
基于傅里叶变换红外光谱法(Fourier transform infrared spectroscopy, FTIR),研究了5类食用植物油(菜籽油、玉米油、葵花籽油、花生油和棕榈油)的快速鉴别方法。通过5种食用油的FTIR光谱分析,选择了1 162和1 463 cm-1,1 747和2 852 cm-1两组特征吸收峰面积比值,结合2 910 cm-1附近的特征吸收峰位偏移,给出了5种食用油样品的三维分布图,从而实现了对这5种食用油的快速分析鉴别,对其他多种食用油的快速分析鉴别具有很好的借鉴价值和应用前景。 相似文献
7.
金属离子和氧化剂对4-氯酚光化学降解的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
在实验条件下,Mn2+/Fe2+/Cu2+/Zn2+/Al3+/Y3+/La3+(特别是Y3+和La3+)、KMnO4/K2S2O8/KClO3/KClO4/KBrO3/KIO3对4氯酚光化学降解起加速作用,且随其浓度增大而增强.KIO4对4氯酚光化学降解起抑制作用,且随其浓度增大而增强.KClO3/KBrO3+Y3+对4CP光化学降解的加速作用更为显著.无光照时,KMnO4、KIO4+Mn2+/Fe2+都能够使4氯酚立刻发生化学降解,尤其以KMnO4、KIO4+Mn2+的作用更为显著. 相似文献
8.
近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道. 相似文献
9.
10.
Konowalow等人首先从理论上预言了在钠和锉的双原子分子里获得b3∑g+-x3∑u+的受激辐射[1,2].文献[3]在钠蒸气里观察到b3∑g+-x3∑u+辐射带,但是至今尚未见到关于Li2(b3∑g+-x3∑u+)辐射带的报道. 相似文献
11.
12.
13.
14.
利用俄歇谱线的形状和能量位移分析了阳极氧化InP的表面和界面,对在pH=2.6和pH=6两种酒石酸+丙烯乙二醇电解液生长的InP氧化物,研究了其组分和键合态. 相似文献
15.
本文以编号为Fe1.5的发射型压电陶瓷材料为对象,采用标准试样和某种规格的压电振子,分别实验考察在不同温度(室温,60℃和100℃),压力(30kg/cm2)以及电功率密度(0.3W/cm3·KC和0.5W/cm3·KC)作用下,压电陶瓷材料和换能器性能随时间对数的变化.实验结果表明,导致压电陶瓷机电耦合系数和介电常数的老化原因不尽相同.在0.3W/cm3·KC电功率作用下陶瓷元件的老化行为与单一因素作用下的变化规律不同,机电耦合系数和介电常数稍有上升.看来这与发射型材料自身的内偏置电场有关.我们认为,在给定的应力、温度和电功率的综合作用下,压电陶瓷性能的劣化并不严重,它不会引起压电陶瓷换能器性能的衰退.适当的温度处理有助于压电陶瓷材料和换能器性能的稳定. 相似文献
16.
采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×1010陷阱/厘米2-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×1013离子/厘米2)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因. 相似文献