溶剂效应对香豆素模型分子中密度泛函活性指标的影响（英文）

运用密度泛函活性理论研究了香豆素在非极性和极性溶剂中的行为和规律.结果表明香豆素的分子结构和活性指数与溶剂介电常数ε相关因子(ε-1)/(2ε+1)直接关联.在非极性和极性溶剂中一些结构参数和电荷分布数与该因子成良好的线性关系,但密度泛函活性指标与相关因子却存在完全不同的相关性.在非极性溶剂中它们是线性相关关系,而在极性溶剂中它们表现出二次方的相关性.本文讨论了这种行为差异存在的可能内在原因,为理解溶剂效应对活性指数的全面影响提供理论依据.     

三羟甲基胺基甲烷晶体非极性轴方向电学性能的实验测量

三羟甲基胺基甲烷(TAM)晶体是一种新型极性有机晶体.本文较全面地研究了它在非极性轴方向的介电常数、损耗角正切、交直流电阻率、光透过率等有关电学性能.     

4种药用植物抗氧化活性的研究

采用DPPH法测定马兰、鼠曲草、刺五加和苍耳等4种药用植物醇提液的石油醚、乙酸乙酯、正丁醇和甲醇不同极性部位的抗氧化活性.结果表明,4种植物不同极性部位对DPPH均有清除作用,其中马兰的乙酸乙酯部位的清除作用最好.     

半无限极性晶体内的极化子与温度的关系

随着科学技术的发展,人们越加重视对极性晶体表面层中极化子性质的研究^[1~4].但对有限温度情况下表面极化子的研究很少.梁希侠和顾世洧^[5]研究了在零温情况下半无限极性晶体内的极化子,本文将讨论有限温度下,半无限极性晶体内极化子的性质.     

番茄下胚轴系列切段离体培养反应的研究：Ⅲ 不定芽的发生

离体条件下,番茄幼苗下胚轴系列切段在有外源IAA、玉米素和TIBA时,其不定芽的发生表现出:1.外源IAA和玉米素均促进不定芽产生,玉米素作用大于IAA;TIBA具有较强的促进生芽效应。2.切段形态学两端不定芽形成存在极性现象,IAA和玉米素均可减弱这种极性表现,而TIBA在削弱极性方面作用不显著。3.下胚轴系列切段中不同切段在外源IAA、玉米素、TIBA刺激下,形成不定芽的反应存在明显差异,总体上讲其中部切段为敏感区,上、下部切段敏感性差。     

非极性电介质极化规律的信息论研究

使用信息论中的最大信息熵原理,研究了非极性电介质在电场中的极化规律.发现当非极性电介质处于不很强的电场中时,电极化强度与电场强度成正比;而当它处于非常强的电场中时,电极化强度与电场强度不再成正比,而呈现较复杂的非线性关系.     

葡萄籽饱和烃馏分中生物标志化合物分布特征

用柱色层族组成分离方法,将从葡萄籽抽提出的混合有机物经过双层柱层析,用不同性质的洗脱剂对其进行族组成分离,依次得到非极性(饱和烃馏分)、弱极性、极性3个馏分,再将这3个馏分分别GC/MSD进样分析,从饱和烃馏分中分析检测出正构烷烃、类异戊二烯烷烃、三环二萜烷、五环三萜烷及甾族5个系列58种生物标志化合物,分析研究了其分布特征,为生物标志化合物用于天然有机物的分析研究提供了参考.     

4-(对二甲氨苯基)-3-丁烯-2-酮作为荧光分子探针检测乙醇水含量

以对二甲氨基苯甲醛为原料,在碱性条件下与丙酮缩合得到4-(4-(二甲氨基)苯基)-3-烯-2-丁酮(DBO).研究了DBO在不同极性溶剂中的吸收和荧光光谱,以及乙醇中含水量对其光谱的影响.发现溶剂极性能够显著影响DBO的光谱性质;乙醇中含水量的增加使得探针分子的荧光强度降低、发射波长红移.利用这种变化能够简便、高灵敏地检测乙醇中的含水量.     

邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶电学性能研究

邻苯二甲酸氢铷单晶是一种有机极性离子型晶体.本文介绍了它的介电、直流电导、P-E曲线、光透过率等有关性能的实验研究,并根据晶体结构特点给予定性解释.     

烟丝可溶有机化合物分布与卷烟品质的研究

采用柱色层族组成分离方法,系统的研究了4种兰州烟烟丝中有机物分布特征,找出了不同档次兰州卷烟中系列有机化合物含量的差异,尤其是为吃味和香味做贡献的系列化合物相对丰度上的差异,提出了利用烟丝中可溶有机质含量的高低、利用烟丝中的生物碱的含量、利用样品的极性馏分、弱极性馏分在可溶有机质中的相对丰度作为判识卷烟内在品质以及检测卷烟优劣的方法.     

坐标变换法对Newman方程参数的确定

由一次曝光得到背射赝Kossel线,然后通过坐标变换和非线性最小二乘法,可以得到Newman方程参数,从而计算出样品相应的晶面间距.本实验测量了硅单晶d{533}晶面间距,其精度可达8×10^-6nm.本文讨论了背射赝Kossel一次曝光法的实验步骤及实验的主要误差来源.     

硫氰酸钴络阴离子与结晶紫水溶液分光光度法测定钴的研究

在0．03mol·L－1的盐酸介质中,当有非离子表面活性剂tritonX-100存在时,硫氰酸钴络阴离子与结晶紫能生成可溶于水的三元离子缔合物,我们研究了缔合物生成的条件,测定了缔合物的组成。标准曲线表明,表观摩尔吸光系数为1．1×104L·mol－1·Cm－1。Co（Ⅱ）在0～3μg·mL－1范围内服从比耳定律,本法回收率为96．7～104．3％。     

新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制

报道了一种新型微流通池pE-ISFET集成传感器,该集成传感器采用常规IC工艺、微加工技术和键合技术,实现微流通池、四对长臂式ISFET/REFET传感器(差分测量用)和Ti/Au膜伪参考电极芯片一体化结构,芯片面积为8mm×6mm,微流通池体积为0.7mm×5.0mm×0.3mm,当集成传感器外部配上蠕动泵、注入阀和测量电路则构成微流通池pH-ISFET流动注入分析(FIA)系统。实验结果表明,该集成传感器和FIA系统具有响应快、耗样液量少等特点,且稳定性和可靠性大为提高。     

干燥HCl对热氧化生长SiO2的影响

采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×10¹⁰陷阱/厘米²-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×10¹³离子/厘米²)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

PVC膜铬(Ⅵ)离子敏感半导体器件的研究

铬离子敏感半导体器件,简称为Cr⁶⁺-ISFET.这种器件是以离子缔合物为活性物质,由于这种材料种类很多,容易制造,并可利用三元络合物来测定高价金属离子,测量一些有机离子,包括表面活性剂,药物、生物碱、浮选药剂和糖精等,这就为离子敏感半导体器件开辟了一个新的应用领域.     

光谱连续的脉冲真空紫外(VUV)辐射源研究

报道了一种光谱连续的真空紫外辐射源的设计和特性研究。为提高其辐射强度,辐射源设计在高气压、短脉冲状态工作。实验测得当充氢0.2~0.9MPa、极距0.4~0.8mm时,辐射源击穿电压为4~10kV,脉冲宽度1.2~2.2×10^-7s.与充氢压强、极间距有关,用Meek的击穿判据,理论计算了击穿电压,用放电通道膨胀理论,计算了放电脉冲宽度,发现两者都与实验基本相符。真空紫外辐射源的轴向光谱辐亮度,用一事先标定好的真空紫外光谱探测系统测量,其连续光谱辐射主要在140~160nm和175~200nm两个区间,来源于氢分子辐射,其最大积分轴向辐亮度可达11mW/Sr·cm²。     

辐射合成水凝胶材料的影响因素及性能

本文主要介绍以电子加速器为辐射源,影响辐射合成水凝胶材料性能的诸因素和材料生物学性能的一些研究结果.利用电子加速器的高剂量率的电子射线可以在常温下快速制得性能优越的水凝胶材料;本材料已用于制造超薄型软接触镜.     

精密的低频相位校准标准

一种新型高精密低频相位校准标准已研制成功,它采用相位误差倍减技术,在20Hz~100kHz (点频)内,相移量范围是0~n×360°(n是整数),准确度为±(1×10^-6×F±0.001)度,F为工作频率,单位为Hz.相移量分辨率为(3×10^-8×F)度.输出信号实测的失真度优于1×10^-4,幅度稳定度优于1×10^-5/10min.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.