交叉指电容的计算机辅助设计

本文用矩量法（ＭＯＭ）准确分析了单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）中一种常用电容元件──交叉指电容（ＩＮＴＥＲＤＩＧＩＴＡＬＣＡＰＡＣＩＴＯＲ）的静态电容矩阵之后，再利用耦合微带线（阵）理论计算了其等效电感和损耗电阻，从而得到其Ｓ参数，经文献验证和实验验证，所得结果准确。     

QDTA/T/EGD/GC在线联用技术 ⅩⅢ.倍半氧化羧乙基锗(Ge-132)在空气气氛中的热氧化分解反应历程

应用ＤＴＡ／Ｔ／ＥＧＤ／ＧＣ在线联用技术，在空气气氛中对Ｇｅ－１３２的热氧化分解反应历程（室温～９２５°Ｃ）进行了研究，应用Ｘ－ｒａｙ仪对Ｇｅ－１３２在不同温度（４５０°Ｃ、６５０°Ｃ、７２０°Ｃ、８００°Ｃ、９２５°Ｃ）下的热氧化分解反应残物作了物相鉴定；测定了Ｇｅ－１３２的ＴＧ／ＤＴＧ曲线（室温～９７０°Ｃ）；在ＤＴＡ／Ｔ／ＧＣ联用曲线的ＧＣ谱图上，检出了各反应温度下的Ｏ２、ＣＯ２和Ｈ２Ｏ及其热氧化分解产物（逸出气）的组成演变规律。从各残物的ＸＲＤ谱图上可观察到，Ｇｅ－１３２的晶相结构破坏到７２０°Ｃ时才析出微量Ｇｅ、ＧｅＯ２，并发现Ｇｅ在８００°Ｃ时被氧化为ＧｅＯ２，至９２５°Ｃ时形成为高纯度ＧｅＯ２。ＴＧＡ定量计算表明，Ｇｅ－１３２在空气气氛中被氧化为ＧｅＯ２的得率与理论计算值相当。综合上述的实验结果与数据分析，对ＤＴＡ曲线上呈现的二个吸热效应和三个放热效应的性质作出了判断和验证，并得出了Ｇｅ－１３２在空气气氛中被氧化为ＧｅＯ２的反应历程。     

DNA的CD谱和ORD谱的变换

本文介绍了用ＫｒｏｎｉｇＫｒａｍｅｒｓ变换公式将ＤＮＡ的ＣＤ谱变换成ＯＲＤ谱的方法，并将实验结果作了变换计算     

密度泛函方法研究HFe（CO）_5~＋中H~＋的电离反应

用密度泛函方法（ＤＦＴ）的ＬＤＡ和ＮＬ／ＬＤＡ优化分子片试剂ＨＦｅ（ＣＯ）５＋和Ｍｎ（ＣＯ）５－的几何结构，并计算了Ｆｅ（ＣＯ）５的ＮＬ／ＬＤＡ质子亲合能，其值为７５１．６ｋＪ·ｍｏｌ－１，介于文献报道的ＨＣＮ和ＮＨ３的质子亲合能之间，解释了Ｆｅ（ＣＯ）５容易从Ｈ２ＣＮ＋中得到质子而难以由ＮＨ４＋夺得质子的实验事实。ＨＦｅ（ＣＯ）５＋电离Ｈ＋后其几何结构由Ｃ４ｖ对称性变为Ｄ３ｈ对称性，与等电子体ＨＭｎ（ＣＯ）５电离Ｈ＋后几何构型的弛豫相类似。ＮＬ／ＬＤＡ计算的分子片Ｆｅ（ＣＯ）５的弛豫能为－５９．７８ｋＪ·ｍｏｌ－１。计算结果还表明，ＨＦｅ（ＣＯ）５＋电离Ｈ＋后Ｆｅ→ＣＯ反馈π键得到加强，使得ＦｅＣ键缩短，ＣＯ键增长；同时，Ｆｅ原子上的电子电荷减少，而Ｃ和Ｏ原子上的电子电荷增加。Ｍｕｌｉｋｅｎ布居分析同样表明，在ＨＦｅ（ＣＯ）５＋电离Ｈ＋后，Ｆｅ和Ｃ之间的Ｍｕｌｉｋｅｎ键级增加，Ｃ和Ｏ原子之间的键级减少     

芳香卤代物光致亲核取代反应的MO控制因素

用光致亲核取代反应选择并合成了若干有代表性的底物芳香化合物，并计算参加反应的各底物的ＨＯＭＯ与ＬＵＭＯ轨道能级，阐述了光照条件下电子转移的制约因素。实验结果表明，在光诱导下烯醇负离子向卤代芳烃的电子转移过程是整个Ｓ＿ＲＮ１（单电子转移的单分子亲核取代反应）机理的关键，烯醇负离子的ＬＵＭＯ轨道能级愈高愈有利于反应的进行，而芳环的ＬＵＭＯ轨道能级愈低则更有利于反应的进行，当两轨道能级差大约为０７β时，反应很容易进行，且产率很高，而当两轨道能级差小于０．２β时，则反应不能发生。     

云纹干涉法在压力容器断裂分析上的应用

本文介绍了贴片云纹干涉法对含有裂纹的压力容器变形测量的实验技术。同时测算出裂纹尖端附近区域弹塑性应变场，塑性区尺寸及ＣＯＤ值，并与理论计算值和四种ＣＯＤ设计曲线进行比较。数据表明本实验方法可行，实验结果可靠。     

微波密封消解快速测定化学需氧量

用微波密封快速法测定ＣＯＤＣｒ并与国标回流法比较和进行抗干扰实验，结果表明：两种方法的线性相关系数ｒ００１，８＞０９９９，且微波密封快速测定法消解时间（０２５ｈ）比国际法（２ｈ）短。建议尽快将微波密封快速法纳入国家标准。     

具生物功能的二氧四胺大环金属配合物的研究 Ⅱ．Cu（Ⅱ），Ni（Ⅱ）配合物的电化学研究

用循环伏安法研究了四个ｎｐｄｔ和ｄｔ的铜（Ⅱ）和镍（Ⅱ）配合物在水溶液中的氧化还原过程，讨论了ｐＨ值对ｎｐｄｔ的铜（Ⅱ）、镍（Ⅱ）配合物的ＣＶ曲线的影响，并测定了两种铜（Ⅱ）配合物在电极表面的异相电子转移反应速率常数，二者的速率常数相近。     

甲醇羰基化反应速率控制步骤的理论研究

采用以ＡＳＥＤ－ＭＯ（含原子对排斥的ＥＨＭＯ法）为基础的结构自动优化的ＥＨＴＯＰＴ法，对共聚物铑配合物催化甲醇羰基化制乙酸反应的速率控制步骤－氧化加成进行了理论研究，计算了不同共聚物配体形成的铑催化剂与碘甲烷的氧化加成反应途径，并得到反应活化能。分析了氧化加成反应过程中的电子转移和空间因素对活化能的影响，计算结果与实验结果是相符的，并从理论上解释了２－乙烯基吡啶形成的共聚物铑配合物催化活性高于４－     

几种Cu（Ⅱ）－氨基酸络合物的SOD样活性及配体结构对活性的影响

制备了数种作为ＳＯＤ模拟物的Ｃｕ（Ⅱ）－氨基酸络合物，在ｐＨ＝７．８及（２０．０±０．５）℃条件下，用细胞色素Ｃ法测定了各络合物对超氧阴离子自由基Ｏ－２歧化反应的催化活性，得到了催化速率常数ｋｃａｔ，其值比非催化速率常数ｋ提高了４～５个数量级。讨论了配体分子结构对络合物ＳＯＤ样活性的影响，并对实验结果作了初步解释。     

无机络合物中离子—配位体键的力常数计算

应用经典的改良平均偶极子定向(IADO)法和间略微分重叠(INDO/2)分子轨道法计算了无机络合物中离子—配位体键的力常数。由经典IADO法以及INDO/2-MO法得到的结果与由振动光谱实验数据的结果很好地一致。这种一致性说明了经典IADO法以及INDO/2-MO法可以用于计算一些未知金属离子—配位体键振动光谱的力常数。     

NaY（WO4）2:Eu3+红色荧光粉的水热法制备及其发光性能研究

采用水热法,在乙二醇:水=1:4的环境下制备出了NaY(WO4)2:Eu3+红色荧光粉,研究了体系pH值对粉体结构、形貌以及发光性能的影响.采用X-射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计(PL)对样品进行了表征.结果表明:在180℃下可以得到纯相结构的NaY(WO4)2:Eu3+荧光粉,反应体系的pH值对合成的粉体的形貌及发光性能有显著影响.     

N-甲基-2-(4-醛基苯基)-3,4-C60吡咯烷衍生物的合成及量子化学计算

设计合成了一种新的C60吡咯烷衍生物:N-甲基-2-(4-醛基苯基)-3,4-富勒烯吡咯烷(C70H11NO),以FTIR、UV-Vis1、H-NMR1、3C-NMR、ESI-MS进行了表征,运用Gaussian 98量子化学程序包,采用B3LYP密度泛函的方法,在3-21G水平上对分子的几何构型进行了优化,在优化的基础上用INDO/CI的方法计算了化合物的电子光谱.结果表明,吡咯环的引入导致HOMO与LUMO间的能级差减小,C60母体与加成基团之间存在分子内电荷转移.计算所得电子光谱值与实验结果基本吻合.     

主成分回归光度法同时测定钴镍铜铬

由于钴、镍、铜、铬有色离子的吸收光谱严重重叠,较难用光度法选择性测定试样中单一元素。为了探讨不经分离直接测定样品中的单一元素,应用主成分回归法处理校正样吸光数据,并根据校正样中的单一已知元素浓度向量求算浓度转换向量,转换向量求出后就可对任意待测样吸光度向量进行转换从而求出待求组分的浓度。对不同比例的钴、镍、铜、铬合成样分析均取得了满意结果。     

单原子Co修饰TiO2(101)面的结构和析氢性能的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论（DFT）+U的第一性原理方法研究了单原子Co在TiO₂（101）面的掺杂位置和方式、几何结构和整体能量以及掺杂后产物的制氢反应机制，得到了稳定且易出现的单原子修饰结构，即单原子Co吸附在4个O组成的表面空隙的中心位，记为Co/TiO₂（101）。进一步对Co/TiO₂（101）的析氢反应过程和性能进行研究，确定了当且仅当TiO₂（101）面完成表面羟基化反应后，H原子全覆盖的TiO₂（101）表面才能进行后续的析氢反应；此时单原子Co是唯一的反应位点，整体的制氢反应自由能ΔG_H*比Co（111）面更加趋近于0，显示出其具有远优于金属Co的催化性能。此外，Co和TiO₂间的电荷转移和相互作用使TiO₂带隙出现新的掺杂能级，可带来作为光催化基材的TiO₂光吸收性能的改善。     

流动注射化学发光法研究PAN对鲁米诺-亚铁氰化钾反应的催化性能

1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚(PAN)对鲁米诺-亚铁氰化钾化学发光反应有良好的催化性能,实验结果表明:在1.0×10-5-1.0×10-7mol/L范围内,发光强度与PAN的浓度之间有良好的线性关系,检测极限为5.6×10-8mol/L。同时发现一些金属对此化学发光反应有强的抑制作用,为此建立了用此反应测定这此金属离子的新方法,测定Ni2+,Cr3+,Zn2+,Co2+和Cu2+的检测极限分别为1.0×10-9mol/L、1.0×10-8mol/L、1.0×10-8mol/L、5.0×10-9mol/L和6.0×10-9mol/L,相对标准偏差在1.28-3.10%(n=11)范围内。     

MAXIMUM OVERLAP SYMMETRY MOLECULAR ORBITAL CALCULATION UNDER INDO APPROXIMATION Ⅰ.BASIC METHOD

提出了ＩＮＤＯ级别上的最大重迭对称性分子轨道计算方案,并采用通常的半经验分子轨道方法ＩＮＤＯ中完全相同的参数进行了计算．以上计算所得结果与通常的ＩＮＤＯＬＣＡＯ－ＭＯ结果相一致．由此,我们得出结论：提出的计算方案是可行的,同时,由于计算过程简单,从而更适用于大分子体系．     

MEHMO法计算F+H_2共线反应势能面

用改进的EHMO(MEHMO)法计算了F+H_2共线反应的势能面,本方法在H矩阵的对角元中引入了一项描述不同原子间排斥力的经验项,基组选用F原子的2p_(?)轨道和H原子的1s轨道,参数值B为0.64,在得到的势能面上,于R_(UH)~*=2.54 a.u.和P_(HH)~*=2.18a.u.处出现的位垒高度为15.72kJ/mo1.反应产物和作用物的能量差为-144.21kJ/mo1.本文所得结果与实验测定、从头计算法的结果一致。     

共沉淀法合成(Ni1/3Co1/3Mn1/3)(OH)2热力学分析

通过对共沉淀Me2+ (Me = Ni, Co, Mn)－NH3－OH-－H2O体系进行热力学分析,拟合出lg[Me]－pH关系曲线。以氢氧化钠为共沉淀剂,氨水为络合剂,采用共沉淀法进行锂离子电池(LIB)正极材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2前驱体(Ni1/3Co1/3Mn1/3)(OH)2的合成研究。热力学分析结果表明：共沉淀体系的最佳pH值为11,合适的氨水浓度[N]为0.1～0.5 mol/L,此时各种金属阳离子(Me2+)的损失最小。基于以上最佳合成反应条件,在不加其它还原剂和絮凝剂时,所得前驱体材料的振实密度达到1.32 g/cm3。     

Influence of Cr3+ concentration on the electrochemical behavior of the anolyte for vanadium redox flow batteries

The composition of electrolyte affects to a great extent the electrochemical performance of vanadium redox flow batteries(VRB).The effects of Cr3+ concentration in the anolyte on the electrode process of V(V)/V(IV) couple have been investigated by cyclic voltammetry(CV) and electrochemical impedance spectroscopy(EIS).It was found that Cr3+ causes no side reactions,but affects the electrochemical performance of V(V)/V(IV) redox reaction,including the reaction activity,the reversibility of electrode reaction,the diffusivity of vanadium ions,the interface film impedance,and the electrode reaction impedance.The experimental results show that Cr3+ within a certain concentration range can improve the reversibility of electrode reaction and the diffusion of vanadium ions.With the Cr3+ concentration increasing from 0 to 0.30 g L-1,the reversibility of V(V)/V(IV) reaction increases,while the diffusion resistance decreases.Correspondingly,the diffusion coefficient of vanadium ions increases from(5.48-6.77) × 10-7 to(6.82-8.44) × 10-7 cm2 s-1,an increase of ～24%.However,the diffusion resistance increases and the diffusion coefficient decreases when Cr3+ concentration is over 0.30 g L-1,while the impedances of the interface,the film as well as the charge transfer increase continuously.As a result,Cr3+ with a certain concentration improves the diffusion and mass transfer process,but the resistances of the film,the interface,and the charge transfer rise.Furthermore,Cr3+ concentration of no more than 0.10 g L-1 has few effect on the electrode reaction process,and that of no more than 0.30 g L-1 is favorable to the diffusion of vanadium ions.