莫来石烧结体的低温制备

用溶胶－凝胶法低温烧结合成了无裂纹的莫来石。实验表明，乙酰乙酸乙酯和异丙醇铝反应生成的螯合物同部分水解的正硅酸乙脂反应，改善了硅和铝之间的混合，促进莫来石的低温生成。ＥＡｃＡｃ明显降低莫来石凝胶在干燥过程中产生裂纹的倾向，因而可利用溶胶－凝胶法直接制取完整的莫来石。     

掺钯WO3薄膜的气致变色性能

以钨粉和双氧水为主要原料，采用溶胶－凝胶法制备了WO3气致变色薄膜，研究了WO3薄膜的结构和气致变色性能，结果表明用此种方法制备的WO3薄膜具有良好的气致变色特性。     

纳米晶Fe—Ti—N软磁薄膜的研究

用射频反应溅射法制备了含Ti量高低不同的两种Fe-Ti-N合金薄膜，研究发现，沉积态低Ti含量的薄膜是α－Fe的多晶体，晶粒尺寸约20nm，沉积态高Ti含量的薄膜则是非晶结构，经适当热处理后，纳米晶α－Fe从中晶化生成，晶粒尺寸约10nm，和低Ti含量Fe-Ti-N薄膜相比，高Ti含量Fe-Ti-N薄膜显现出良好的软磁特性。     

反应溅射中靶材成份对Si－Cr－Ni－O薄膜形成的XPS分析

本文用通氧反应溅射法制备了Ｓｉ－Ｃｒ－Ｎｉ－Ｏ薄膜，用ＡＥＳ和ＸＰＳ测定和分析了所制得的薄膜，发现靶村组份配比的改变将导致构成薄膜的化合物种类的改变，Ｓｉ含量的提高有阻碍Ｃｒ参与氧化的趋势，通氧量和热处理对薄膜的氧化起着一定的作用．     

γ—Fe2O3溅射磁膜的制作

用溅射技术制作γ－Fe2O3磁性薄膜，并通过透射电子显微镜观察磁性薄膜的电子显微像和选区电子衍射环，进行了γ－Fe2O3晶体结构分析，讨论了多晶薄膜的生长条件。     

脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ、ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想．采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜．用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路测试了这两种薄膜的铁电性能．结果表明,多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能,并且以氧化物为电极的铁电薄膜的铁电性能优于用金属为电极的铁电薄膜     

新型的具有电开关特性的含C60复合薄膜

利用真空双源同时蒸发法制备了新型Ｃ６０－１，４－ｂｉｓ（－１，１－ｄｉｃｙａｎｏｖｉｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＤＣＢ）复合薄膜。用高分辨扫描电镜和Ｘ－射线衍射仪分析了ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜的表面形貌和结构特性，结果表明ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜是一种不同于纯Ｃ６０薄膜和纯ＢＤＣＢ薄膜的结构相。Ａｇ／ＢＤＣＢ－Ｃ６０／Ａｇ的拓明治型结构具有电学双稳态现象和记忆特性。     

纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响

用退火的方法改变了纳米桂（nc－Si：H）薄膜的微结构。用Raman散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸是影响薄膜电导率的主要因素。     

超微粒子—有机聚合物薄膜的研究

我们用离子团束－飞行时间质谱（ＩＣＢ－ＴＯＦＭＳ）系统制备了金（Ａｕ）超微粒子－聚乙烯（ＰＥ）薄膜和Ｃ６０－聚乙烯薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）分析了所制备的样品。它们的结构是Ａｕ超微粒子镶嵌在多晶的ＰＥ薄膜中，其中Ａｕ原子团呈球形，直径分布在２．０－５．０ｎｍ窄范围内，当沉积基底温度为９０℃时，Ａｕ原子团相互靠近，几乎连接起来，但仍保持原来大小。基底温度为１４０℃蒸积的Ｃ６０－ＰＥ薄膜具有晶态     

超导薄膜制Bolometer器件的微透镜红外增强

采用离子束刻蚀制备线列熔凝石英柱微透镜阵列,准分子激光扫描消融法淀积性能均匀且稳定性良好的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜,湿法刻蚀制备导薄膜器件,微透镜阵列与超导薄膜器件用胶粘合构成组合红外探测器,测试了组合器件在１－５ｍ红外波段的光响应特性。     

滤纸增强壳聚糖膜的拉伸性能

为改善纯壳聚糖膜的力学性能，扩大壳聚糖在功能膜中的应用，采用滤纸与壳聚糖复合成膜．研究了该滤纸增强壳聚糖膜的表观性能和拉伸性能，对该膜的拉伸强度、弹性模量、最大点能量、最大点伸长率进行了数据分析．实验结果表明滤纸与壳聚糖有良好的复合性，并且其拉伸性能有一定的规律可循．     

磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO∶Al透明导电薄膜

用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出好的附着性、低电阻率、高透射率ＺｎＯ∶Ａｌ的透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性．     

原油各组分表面膜性质的研究

从草桥重质原油和草桥重油中分离出饱和分、芳香分、胶质和沥青质,用Ｌａｎｇｍｕｉｒ膜天平研究了这些物质在水面上形成的表面膜的膜压及水相ｐＨ值对膜压的影响。研究结果表明,在相同的归一化面积下,沥青质表面膜的膜压明显高于其它组分的表面膜膜压。与沥青质相比,胶质的表面膜膜压随水相ｐＨ值的增大有较显著的增高。     

可生物降解高分子PLLA/PHB混合薄膜结晶性的研究

 利用掠入射X射线衍射法（GIXD）对PLLA和PHB混合制成的薄膜进行研究。通过改变两者的混合比、分子量、膜厚等参数,观察PHB的加入对混合薄膜中PLLA的结晶性的影响,并与相同条件下可以近似视为本体的滴膜进行对比。实验发现在升温结晶的过程中,PHB的加入明显地提高了混合薄膜中PLLA的结晶性,同时还降低了PLLA的结晶温度并提高了熔融温度。但是在本体中却没有观察到这一现象。相对于分子量较大的PLLA,分子量较小的PLLA与PHB混合后结晶性的提升更为显著。     

中频溅射法制备薄膜电池正极LiCoO2薄膜结构的研究

采用大型中频磁控溅射系统制备了全固态薄膜电池用LiCoO_2阴极薄膜材料,研究了退火前后其结构及形貌的变化。结果表明,沉积的LiCoO_2薄膜具有晶态结构;沉积状态薄膜的晶体取向决定着退火后薄膜的晶体择优取向,退火只是使晶粒更加完整,并使择优取向发展得更好;沉积过程的O_2/Ar(氧分压)对薄膜的晶体取向影响很大,适当控制沉积条件,采用工业规模的中频磁控溅射设备可以制备出取向良好的LiCoO_2薄膜阴极材料。     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

热处理对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响

研究了热处理对电子束蒸发法制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射仪和原子力显微镜,检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示：沉积态TiO2薄膜为非晶态;低温（400℃以下）退火TiO2薄膜开始向锐钛矿相转变;高温退火（850℃以下）TiO2薄膜由锐钛矿向金红石相转变。     

2—壬基咪唑在铜表面形成覆膜的化学结构及其热稳定性

通过模型络合物方法及傅利叶转换红外光谱，热失重分析等手段，研究了２－壬基咪唑在过渡金属铜表面形成覆膜的化学结构及其热稳定性；进一步论证并提出了该覆膜结构；探讨了该覆膜耐热性及覆膜受热分解温度与２－壬基咪唑铜模型络合物第一分解温度的关系。本研究对开发该类特异覆膜具有实用及学术价值。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

聚苯胺与聚乙烯醇共混相容性研究

本文以乳液聚合法合成聚苯胺,分别用N-甲基吡咯烷酮为溶剂溶解本征态聚苯胺(PAN)、水溶解聚乙烯醇(PVA),再通过共混浇铸制备PAN-PVA共混膜.用差热分析法和扫描电镜对共混膜进行共混相容性研究,实验结果表明它们共混后具有很好的相容性.并初步探讨了PAN-PVA共混膜的静电屏蔽效应.