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RC正弦波振荡电路的EWB仿真分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以RC正弦波振荡电路为例,介绍了在电子电路中引用EwB进行模拟仿真实验的方法。通过实例分析,可以看到仿真技术在电子技术实验中的广阔前景,其直观的图形显示和数据监测,能够很好的了解电子电路的各种性质。 相似文献
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本文针对教学中的三点式LC振荡电路,利用其结构特点归纳了一种可以快速、准确的连接三点式振荡电路的方法,并对这一方法的依据加以论述,对其应用作了讲解和说明。 相似文献
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结合负阻振荡电路,采用五阶Runge-Kutta-Fehlberg方法分别用C语言程序和MATLAB进行求解,均得出了正确的结果,同时介绍了用MATLAB对C程序计算结果的调用.经比较,两种方法各有所长.在图形显示方面,MATLAB更具优越性 相似文献
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LC振荡电路的分析及仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
林伟雄 《漳州师范学院学报》2007,20(2):54-57
以LC振荡电路为例,先对其起振条件分析,然后利用PSPICE软件仿真典型LC振荡器电路——考比兹电路.仿真和分析过程表明,OrCAD/PSPICE为电子电路分析设计过程提供了一个实用、有效的仿真环境. 相似文献
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提供了运算跨导放大器和电容模拟电路R、电感L、和频变负电阻M的并联与串联电路的新方法,电路中的R、L、M又可分别作为接地和浮地的器件使用,给经们在滤波器上的应用例。 相似文献
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简单介绍了负电阻的概念和性质,并通过电路实验实现了负电阻,且画出该电路的伏安特性曲线.通过对典型的非线性电路进行分析且在示波器中观察到混沌现象,进一步说明了负电阻在混沌研究中的应用. 相似文献
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研究了有机染料掺杂聚合物薄膜器件的J-U特性,发现存在明显的负电阻现象,制备了不同结构的有机染料掺杂聚合物薄膜器件进行了能级分析,表明载流子的不平衡流入对器件J-U曲线负电阻特性影响显著。 相似文献
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从理论上论述了采用负动态电阻稳压器件为基准电压的稳压作用及其可行性,并通过实验证明了理论分析的正确性。 相似文献
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随着通信技术对射频收发机性能要求的不断提高,高性能压控振荡器已成为模拟集成电路设计、生产和实现的关键环节。针对压控振荡器设计过程中存在相位噪声这一核心问题,文中采用STMC 0.18μm CMOS工艺,提出了一种1.115 G的电感电容压控振荡器电路设计方案,利用Cadence中的Spectre RF对电路进行仿真。研究结果表明:在4~6 V的电压调节范围内,压控振荡器的输出频率范围为1.114 69~1.115 38 GHz,振荡频率为1.115 GHz时,在偏离中心频率10kHz处,100 kHz处以及1 MHz处的相位噪声分别为-90.9 dBc/Hz,-118.6 dBc/Hz,-141.3dBc/Hz,以较窄的频率调节范围换取较好的相位噪声抑制,从而提高了压控振荡器的噪声性能。 相似文献
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《华中科技大学学报(自然科学版)》2016,(5):76-80
提出了一种数控最小变电容结构,采用互补型变容管两端跨接固定电容结构,可以使用较大尺寸变容管实现较小的最小变容值,从而减小了工艺误差对设计结果的影响,同时解决了大摆幅振荡信号下的非线性问题,缓解失配电容对失配率一致性对最小变容值的影响.在相同工艺下,最小变电容值减小接近50%.采用180nm CMOS工艺,基于最小变电容结构设计了全数控LC振荡器,通过改变各级数控变电容阵列的结构,提高全数控LC振荡器的频率分辨率.仿真结果表明:提出的最小变电容结构可实现7.42aF的最小变电容值;全数控LC振荡器的振荡频率范围为3.2~3.8GHz,输出电压摆幅为1.75V,中心谐振频率3.5GHz的相位噪声为-1.2×10-4 dBc/Hz,归一化价值因子FOM为211;在相位噪声、功耗、FOM等性能指标维持在同等水平的前提下,调频精度显著提高. 相似文献
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采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款宽调谐、低相位噪声、低功耗的电感电容压控振荡器(voltage controlled oscillar,VCO),用于接收北斗卫星导航系统的B1,B2频段信号和全球定位系统(global positioning system,GPS)的L1频段信号的射频接收机中.振荡器中采用了开关固定电容阵列和开关MOS管可变电容阵列,有效地解决了宽频率调谐范围和低相位噪声之间不可兼顾的问题,另外,采用了可变尾电流源的结构,使得振荡器在整个可调频率范围内输出电压的幅度变化不大.利用Cadence软件中Spectre对电路进行仿真.结果表明,振荡器频率调谐在2.958-3.418 GHz和2.318-2.552 GHz这2个频段内,在1.8V的供电电源电压下,功耗仅为3.06-3.78mW.当振荡器工作在3.2 GHz和2.4 GHz的中心频率时,其在1 MHz频偏处的单边相位噪声分别为-118 dBc/Hz和-121 dBc/Hz. 相似文献
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为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitally controlled inductor-capacitor oscillator, DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)变容管.该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声.在中芯国际0.18 μm 互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO.仿真结果表明: 当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz, 与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB. 相似文献
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在Heisenberg表象,通过引入升降算符求解了量子谐振子,计算了任意初态情况下坐标、动量、动能、势能和哈密顿量的期望值,并同经典谐振子的相应力学量进行了比较,得出了量子谐振子只能在一定条件下趋近于经典谐振子而不可能等同。 相似文献
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高速锁相环的核心部件压控振荡器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了高速锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案,该VCO采用环路振荡器结构,主要由3级电流模驱动逻辑(CSL)反相器延迟单元、Cascode偏置电路以及输出缓冲整形电路这3大部分组成。仿真结果表明采用了CSL结构作为延时单元的压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率。 相似文献
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提出了高速锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案,该VCO采用环路振荡器结构,主要由3级电流模驱动逻辑(CSL)反相器延迟单元、Cascode偏置电路以及输出缓冲整形电路这3大部分组成。仿真结果表明采用了CSL结构作为延时单元的压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率。 相似文献
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音波振荡器的振荡特性和总压损失是影响静止式气波制冷机制冷效率的重要因素,通过数值模拟研究发现二者受元件几何尺寸的影响.计算了不同几何结构尺寸下音波振荡器内的流动,总结了几何因素对射流振荡和总压损失的影响规律,并分析了其内在原因,发现:射流振荡周期只随控制管长成正比例规律变化,不受其他几何因素的影响;分流劈距在一定区间范围内,射流才能稳定振荡,且振荡区间的上限和下限均随位差的变化而变;音波振荡器的喷嘴喉部长度、分流劈距、位差及分流劈形状对总压损失有显著影响,控制口宽度、分流劈张角、分流劈尖半径对总压损失也有一定程度的影响. 相似文献