(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜热敏电容器的研制

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的BST((Ba0 .7Sr0 .3)TiO3)铁电薄膜热敏电容器 .介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺 .根据热敏电容器的电容 -温度曲线 ,分析了热敏电容器的工作原理 .实验结果表明BST铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近 ,约 2 6℃处     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

（Ba0.7Sr0.3）TiO3铁电薄膜热敏电容器的研制

采用射频磁控浅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的ＢＳＴ（（Ｂａ０．７Ｓｒ０．３）ＴｉＯ３）铁电薄膜热敏电容器，介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺。根据热敏电容器的电容－温度曲线，分析了热敏电容器的工作原理。实验结果表明ＢＳＴ铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近，约２６℃处。     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积ＡｌＮ薄膜,讨论了脉冲能度,氮气放电基底温度等因素对膜的性能的影响,实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊ．ｃｍ＾－２,Ｐｎ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔａｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上,Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积 AlN 膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积了ＡｌＮ薄膜．讨论了脉冲能量密度、氮气放电、基底温度等因素对膜的性能的影响．实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊｃｍ－２,ＰＮ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上．Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ．     

PLZT铁电薄膜的制备及其性能

在温度为97℃,水浴回流10h的条件下,用旋涂法在Si（100）基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪（PIA）对其介电性能进行测试,研究发现：PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率厂的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率厂的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小．     

脉冲激光沉积法制备氧化铋薄膜及其电化学性质研究

首次采用355nm脉冲激光沉积在不锈钢基片上制备了氧化铋薄膜，X—射线衍射(XRD)测试表明在基片温度为300℃，沉积时间为0．5h制备得到的Bi2O3薄膜具有四方结构，SEM和Raman光谱测定对该Bi2O3薄膜的表面形貌和锂化前后的结构进行了表征，结果表明薄膜由小于100nm针状晶粒组成，锂化后的产物可能是LixBi2O3。此外，由电位阶跃法测定了上述Bi2O3薄膜电极的锂离子扩散系数。电化学测定表明，上述Bi2O3薄膜具有充放电循环性能,在电压范围为0．70～3．5V，该氧化铋薄膜在充放电速率为2C时的比容量大约为100mAh／g，并且保持经100次以上充放电循环而没有明显的衰减。     

脉冲激光沉积BST铁电薄膜的厚度分布

使用193nm脉冲激光在高真空条件下沉积Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,通过观测薄膜形成的等厚干涉条纹,发现溅射光斑形状对膜层厚度分布有显著影响.通过精确测量干涉条纹的分布,推出了溅射产物的角分布函数.     

(Ba1-xSrx)TiO3介电常数与温度、频率的关系

分析了影响(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷材料介电特性的诸因素，从温度依赖、频率响应两个方面，对BST陶瓷材料的介电常数进行了研究．在进行频率特性的测试中，选取x=0．35的BST、材料，即(Ba0.65Sr0.35)TiO3，测得不同晶粒度下的介电常数随频率的变化曲线．在进行温度特性的测试中，测量了不同晶粒度的BST材料介电常数与温度变化的关系，并绘制了关系曲线．     

(Ba,Pb)TiO3铁电薄膜的制备及其光学性质研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术在(100)Si及石英衬底上制备了Ba0.95Pb0.05TiO3(BPT)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微术(AFM)对薄膜的物相结构、结晶性和表面形貌进行表征,结果表明晶化完整的BPT薄膜呈多晶钙钛矿结构,薄膜表面均匀致密.用紫外-可见分光光度计在190～1000nm波长范围内,测量了不同温度退火的BPT薄膜的光学透射率,并通过透射光谱计算了薄膜折射率和消光系数的色散关系.     

Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷的制备工艺及其介电性能研究

应用传统陶瓷制备工艺制备了Ba0．65Sr0．35TiO3陶瓷，探讨了制备Ba0．65Sr0．35TiO3陶瓷的最佳工艺条件．用激光粒度分布仪测试预烧粉料的粒度分布，用XRD衍射仪观察陶瓷的物相结构，用SEM观察陶瓷的显微结构，用Archimedes方法测量陶瓷的绝对密度，用低频阻抗分析仪测试陶瓷的介电性能．实验结果表明：应用传统陶瓷制备工艺获得结构致密、性能优良的Ba0．65Sr0．35TiO3陶瓷的最佳工艺条件为：1050℃预烧2h，1390℃烧结2h．此工艺条件下制备的陶瓷的介电常数约为4200，介电损耗约0．002，密度为5．4631g/cm^3．     

水热合成Ba（ZrxTi1-x）O3的介电性能研究

在140℃加热14h的水热方法制备出Ba（ZrxTi1-x）O3（x=0，0.1％，0.2％，0.5％）粉体。研究了1200℃到1280℃的烧结效果。XRD物相分析证明其结构为单一钙钛矿相，在水热法合成过程中，引入Na^＋离子，使晶格半径减小。SEM结果显示，在1250℃烧结得到的陶瓷晶粒生长较好，结构致密，晶粒分布均匀。与固相反应法相比，水热法能够有效地降低烧结温度，合成的陶瓷密度可达92.4％。介电测量表明，作为矿化剂的Na^＋部分取代Ba^2＋，会导致Ba（ZrxTi1-x）O3样品的介电峰明显宽化。实验观察到样品在40℃时出现了明显的损耗峰，可能是钠离子替代钡离子并产生氧空位所致。介电常数随Zr掺杂量的增多呈上升趋势，居里点温度随Zr掺杂量的增多向低温方向偏移。     

络合溶胶-凝胶法制备Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷粉体

以硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯和柠檬酸为前驱体原料,采用络合溶胶-凝胶法制备出纳米级Ba0．7Sr0．3TiO3（BST）陶瓷粉体,并对材料组织结构和形貌进行了表征．结果表明：通过前驱体pH的控制可得到均匀的溶胶和凝胶．BST干凝胶经600℃热处理2h后出现钙钛矿结构的特征峰,但伴随有BaCO3的杂质峰．当煅烧温度达到950℃时,可得到结晶良好、单相的Ba0．7Sr0．3TiO3,晶粒粒径约为80nm．     

Ba(1-x)LaxTiO3纳米晶的正电子湮没研究

用溶胶-凝胶技术制备了La掺杂改性的BaTiO3纳米晶体,采用透射电镜、正电子湮没寿命谱仪对目标产物进行了测试.结果表明:当0相似文献   

溶胶-凝胶法制备(Bi0.5Na0.5)0.94 Ba0.06TiO3粉体

用溶胶-凝胶法制备了(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(BNBT-6)的稳定溶胶,经退火处理得到了BNBT-6无铅压电陶瓷粉体.用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS)对粉体的晶体结构、颗粒形态、原子价态及粉体组成进行了研究.结果表明800℃退火处理的粉体样品呈单一的钙钛矿结构,晶粒大小在125～200nm左右.XPS定性分析发现所制样品中含有Bi、Na、Ba、Ti等4种元素.定量分析表明样品中Ti离子与Bi离子的摩尔比为1:0.33.     

硅基氧化钆薄膜的生长及结构

采用脉冲激光沉积方法(PLD)在不同温度的Si(100)衬底上制备了Gd2O3栅介质薄膜,利用X射线衍射、X射线反射率以及光电子能谱等方法对它的结构、组成以及价带偏移等进行了研究.结果表明:衬底温度为300℃时,Gd2O3薄膜呈非晶态;当衬底温度为650℃时,形成单斜相的Gd2O3薄膜.XPS和XRR 结果确定其界面主要是由于界面反应形成的钆硅酸盐.通过XPS分析得到Gd2O3与Si之间的价带偏移为(-2.28±0.1)eV.     

模式识别对La_x Ba_(1-x)TiO_3纳米多晶制备工艺参数的设计

利用溶胶－凝胶法合成钡钛前驱体，经干燥、焙烧等工艺制备了一系列镧掺杂钛酸钡纳米多晶粉体，利用ＸＲＤ确定物相及原始晶粒尺寸；通过模式识别中非线性映照及逆映照方法以原始晶粒尺寸作为目标值将试样分为３类，并通过分类图对工艺参数进行设计，按设计结果进行实验验证，获得了预期结果的多晶粉体，说明模式识别的应用有利于克服传统“炒菜式”合成方法的盲目性．