用非均匀吸收层椭偏参数计算法求离子注入层的损伤分布(文摘)

作者研究了硅中注入各种不同剂量的P~ 、As~ 及Al~ 时,由椭偏仪结合阳极氧化剥层逐层测得的椭偏参数△和ψ随深度d变化的情况。当注入剂量较产生非晶层的临界注入剂量高到一定程度时,例如我们所用的注入5·10~(15)/厘米~2或10~(10)/厘米~2的P~ 及注入10~(15)/厘米~2的As~ 情形,得到一些新的实验现象。实验发现由△和ψ算得的表观折射率n和表观消光系数k随深度d振荡而变化,振荡幅度随深度d增大而增大;在注入能量为100kcv的P~ 情形,振荡可出现三个峰值,且在注入区的尾部出现k的谷,其值可达负值。在注入剂量低于     

酞菁铜薄膜的飞秒z-扫描研究

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,用z 扫描方法测量了酞菁铜的三阶非线性光学极化率 .用激光器振荡级测量的 χ( 3 ) 值为 - 4 3× 10 -7esu ,而用激光器放大级测量的结果为 2 6 2× 10 -11esu ,前者比后者大 4个量级 .酞菁铜薄膜对激光束的吸收以及振荡级激光脉冲的高重复频率表明振荡级测量的结果主要来自热致透镜效应的贡献 ,而采用低重复频率的放大级测量得到的值才真正反映酞菁铜薄膜的本征三阶非线性光学特性     

东昆仑断裂玛尼段震间形变场的INSAR观测及断层滑动率初步估计

利用干涉雷达方法(INSAR)产生跨越1997年11月8日东昆仑断裂玛尼地震(Mw7.5)主破裂位置的震间视线向(LOS)形变场,形变的时间跨度为1.63 a,距玛尼地震发生前71 d.通过消除卫星轨道相位误差、相位解绕误差,以及部分大气水蒸气延迟作用引入的相位误差,获得了较高信噪比的INSAR震间形变场.从形变场中选取垂直断层的一条220 km长、11 km宽的形变剖面,求得与断层平行的地表水平形变量和形变速率;再从上述剖面选取主要反映构造形变的部分(115 km),结合玛尼地震同震反演结果,基于反正切弹性位错模型反演断层的锁定深度和断层滑动速率.结果表明,若断层闭锁深度为18 km,得到的玛尼段震间滑动速率为(10.2±0.4)mm/a,与地质观测比较一致;同时没有发现任何震前断层形变突然加剧的迹象,"形变前兆"说不成立.     

纯铜在范性形变过程中的内耗对频率和速率的响应行为

在改装了的拉力试验机上测量了电解纯铜(99.98％Cu)在范性形变过程中的内耗。研究了拉伸速率ε、测量频率ω以及变形量ε等对内耗Q~(-1)的影响.所得内耗Q~(-1)随ε及ω~(-1)的增加而增加。除定频(f=2.02Hz)变速(ε=1.08×10~(-6)—37.6×10~(-6)/sec)过程的内耗与ε没有线性关系之外,定速(ε=9.04×10~(-6)/sec)变频(f=0.49-4.16Hz)过程的内耗与ω~(-1)或ω~(-1/2)亦不呈线性关系。但定速变频过程的内耗数据可分解为ω~(-1)及ω~(-1/2)两个过程的迭加由Q_1~(-1)-ω~(-1)及Q_2~(-1)-ω~(-1/2)关系计算出的Q_1~(-1)-ε曲线和Q_2~(-1)-ε~(1/2)曲线迭加后,得到的Q~(-1)-ε计算曲线与实验曲线符合得颇好。因此,纯铜在范性形变过程中的内耗可写为Q~(-1)=A_1(ε/ω)+A_2(ε/ω)~(1/2)。讨论了位错平均运动速度随时间的变化规律对形变过程内耗的影响,由实验数据计算出形变过程中位错平均运动速度V_0与形变量ε间的关系为V_0=V~*(10~3+ε~(-1/2)).     

高纯铝在范性形变过程中内耗对频率和速率的响应行为

考虑了位错平均速度V=f(σ)随时间或应变的变化之后,导出了金属在范性形变过程中内耗Q～~(-1)与位错动力学关系式V=f(σ),形变速率ε、测量频率ω、测量振幅σ_A 以及切变模量G 等的关系为(?)此处(?)t、(?)p 分别为扭切应力和拉伸应力的平均取向因子,Г(n)为取正值的积分常数,m 为除0,-1以外的整数。可见,形变过程内耗可能出现正比于(ε/ω)~(2/3)、((?)/ω)~(1/2)、((?)/ω)以及((?)/ω)~2等各种对于ω和(?)的响应行为。而且出现随测量振幅σ_A增大而减小的反常振幅效应内耗。高纯铝在拉伸速率(?)=50×10~(-6)/秒时,形变过程内耗Q~(-1)的实验数据与上式中n=-2时的结果符合得很好.此时的内耗可表示为Q~(-1)=0.245(G/σ_A)β_(-2)((?)/ω)~(1/2)/(V_0~′+β_(-2)ε~(-(1/2)).亦即Q~(-1)正比于((?)/ω)~(1/2).还观测到随着σ_A 的增加而减小的反常振幅效应内耗.高纯铝在恒速拉伸时,当ε>0.5%后,位错的平均速度(?)_0。与形变量ε间的关系可表示为(?)_0=V_0~′+βε~(-(1/2));而运动位错的密度ρ可表示为ρ=(?)/ab(V_0~~′+βε~(-(1/2)).     

基于光锥求和规则和重夸克展开B_((s))→a_2(1320),K_2~*(1430),f_2(1270),f′_2(1525)跃迁形状因子的计算

利用光锥求和规则和重夸克展开的方法计算了B_((s))到P波2~(++)轻张量介子a_2(1320)、K_2~*(1430)、f_2(1270)、f′_2(1525)跃迁形状因子并利用给出的形状因子对相关半轻衰变的分支比、纵向极化分数等可观测量给出了预言.研究表明,在重夸克极限下,描述企鹅类型形状因子的领头阶波函数与相应描述半轻类型形状因子的领头阶波函数完全一样,从而只有4个半轻类型形状因子是独立的.半轻衰变B_((s))→a_2(1320)(K_2~*(1430),f_2(1270),f′_2(1525))■的分支比在10~(-5)量级,纵向极化分数大约是0.6～0.7.这些过程将来有可能在超级B工厂和升级后的LHCb实验中观测到.     

三元混晶AxB1—xC中强束缚极化子的能量

目前人们广泛地研究超晶格和量子阱结构,这种研究在理论上和实验上以及高技术产业方面发挥着很大的作用.在超晶格和量子阱结构中.三元混晶材料得到了广泛的应用.所以,研究三元混晶材料的物理性质,对进一步研究超晶格和量子阱在高速数字运算和高频微波等器件中的应用.有着深远的意义和用途.我们讨论的对象是三元混晶中的束缚极化子,根据文献束缚极化子的哈密顿可写为其中以上各式中,a_k~ (a_k),b_q~ (b_q)分别是两支LO声子的产生(湮灭)算符.ω_(1L),ω_(2L)和α_1,α_2分别是两支LO声子的频率和耦合常数,这四个量与组分x的关系参看文献.ε_(10),ε_(20)和m_(AC),m_(DC)分别是二元晶体AC,BC中的静态介电常数和电子带质量,m和ε_0分别是三元混晶中电子带质量和静态介电常数,V     

一种新的热释电晶体—ATGSP的生长和性质

研究了一种新的永久极化的ATGSP晶体,它是用H_3PO_4部分取代H_2SO_4而得到的改进了的ATGS。ATGSP晶体结构和TGS相同,晶体易于用降温法自水溶液中生长。ATGSP的热释电系数是TGS的二倍。它在室温下的介电常数为30,而损耗在10~2—10~5HZ宽频率范围内低于0.01。新晶体的高自发极化和大的热释电系数可能是由于PO_4~(3-)取代SO_4~(2-)所引起。     

一类Mbius不变空间的无导数特征(英文)

通过运用Bergman度量,获得了一类Mbius不变的函数空间,即QK(p,p-2)空间的几个等价的无导数刻画,包括双重积分特征、振荡、平均振荡和p-平均振荡刻画.这些特征是QK(p,p-2)空间重要的分析性质,它进一步完善了QK(p,p-2)空间理论,有重要的理论和应用意义.     

一个两相压电陶瓷中薄界面电极诱导的电弹性场

分析了两个不同压电陶瓷之间含有多个共线电极诱导的电弹性场. 基于线电弹性理论和采用Fourier变换技术, 问题化为一个带Cauchy核的奇异积分方程. 对两种特殊情形进行了重点讨论. 对于一个单界面电极, 获得了由基本初等函数给出的整个双相压电陶瓷中的电弹性场. 而对于两个等长共线界面电极, 获得了由封闭形式给出的整个界面上的电弹性场. 结果表明对于任意两个沿垂直于界面(以相同或相反方向)极化的压电陶瓷, 电弹性场在电极边缘仅呈现平方根奇异性, 振荡奇异性不会发生. 应力分量在跨过电极时是连续的, 而由于两个压电陶瓷的材料常数的不匹配导致应变分量在跨过电极时是跳跃的或不相容.     

压电极化方向对磁电复合振子磁阻抗效应的影响

本文研究了压电体分别沿长度和厚度极化的磁电复合振子的磁阻抗效应.根据压电体的极化理论,在洛伦兹模型和德拜模型基础上,利用磁电耦合理论研究了磁电复合振子有效相对介电常数与磁场的关系,数值模拟了有效相对介电常数随磁场的变化.由磁电复合振子的磁阻抗与有效相对介电常数的关系,理论分析了磁电复合振子在谐振频率下的磁阻抗效应.在理论分析基础上,实验研究了"三明治"结构磁电复合振子的磁阻抗效应.实验结果表明,在谐振频率下,磁场在0～50 mT范围内,当压电体的极化方向为长度极化时,其磁阻抗随磁场的变化率是压电体厚度极化的22倍,实验结果与理论模拟基本吻合.在此基础上,对实验结果的磁分辨率进行了计算,在谐振频率下,压电体长度极化磁电复合振子的磁分辨率为2.76×10~(-12) T/μΩ,压电体厚度极化磁电复合振子的磁分辨率为78×10~(-12) T/μΩ,本研究为地磁场的探测提供了理论基础.     

水体中有机磷酸酯Fenton、电-Fenton的降解特性

采用Fenton、电-Fenton高级氧化技术降解水体OPEs(TCEP和TEP),通过系统实验和表观动力学方程的建立,比较、探讨Fenton、电-Fenton降解水体OPEs的特征。主要结论为:(1)在一定条件下,Fenton氧化降解水中OPEs的反应速率和OPEs、H_2O_2以及Fe~(2+)的初始浓度均呈正相关关系;(2)水体中TEP的电-Fenton降解速率受电极初始电位、初始Fe~(2+)浓度以及初始TEP浓度影响,其中电极电位对反应速率的影响更大;(3)与Fenton高级氧化技术相比,电-Fenton对有机物降解更彻底,且能耗低,但反应时间较长;(4)Fenton降解水体TCEP、TEP和电-Fenton降解水体TEP的表观动力学方程分别为γ=10~(0.202 9)P~(1.059 9)F~(1.418 1)H~(0.673 6)、γ=10~(0.817 7)P~(1.081 0)F~(1.155 1)H~(0.510 8)、γ=10~(-1.065 0)P~(1.113 8)V~(1.748 7)。     

La掺杂BiFeO_3薄膜的铁电性能分析

为了研究La掺杂BiFeO_3(BLFO)薄膜的铁电性能与频率的相关性,采用溶胶-凝胶法和高通量组合材料技术快速制备了不同La掺杂物质的量分数(0、5%、10%、15%、20%和25%)的BiFeO_3铁电薄膜.利用X线衍射分析仪(XRD)对样品的晶体结构进行分析,并测量掺杂样品的电滞回线(P-E)和漏电流特性(J-V),通过改变测试频率研究Bi_(1-x)La_xFeO_(3±δ)薄膜电学性能的频率依赖性.结果表明:560℃时所有样品均为纯相;在频率为10 k Hz的条件下,La掺杂物质的量分数为15%的样品具有最大的剩余极化值Pr,约为42.2μC/cm~2;电压为1.5 V时,漏电流密度最小,约为0.010A/cm~2;频率为100 Hz时,样品的剩余极化值远小于10k Hz和100k Hz,10 k Hz频率下样品的剩余极化值最大.     

溶胀聚合物网弹性力学性能的研究

本文从交联-缠结网和炭黑填充硫化胶的大形变弹性分子理论出发,推导出溶胀条件下聚合物网的四种应力-应变关系式(单向拉伸,等轴和不等轴双向拉伸和纯剪切).成功地将溶胀交联网弹性状态方程同高聚物的体积分数V_2用三个分子参数C_1~′,C_2~′,和C_3~′联系起来,并对单向拉伸的应力-应变关系式进行了实验验证,较好地解释了V_2同C_1~′,C_2~′同C_3~′的依赖关系,表明缠结对模量的贡献只能达到一个非零的极限值.结果证明,溶胀后聚合物网大形变弹性分子理论能很好地预测溶胀聚合物网大形变的弹性力学行为,并为用溶胀法定量测定交联度提供理论依据.     

对称单叶函数第四项系数的估计

本文得出了p次对称单叶函数: ■第四项系数的估计|a_(3p+1)~(p)|≤(4(A~2+BC)~(3/2))/(9(3)~(1/2)ACP~3)其中A=3P+2,B=P~2+3P+2,C=3P~2+3P+1,P≥2.(P是正整数)。     

0.5LaFe_(0.5)Co_(0.5)O_3-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的制备及电学性能的研究

采用溶胶-凝胶法在(111)Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了0.5LaFe_(0.5)Co_(0.5)O_3-Bi_4Ti_3O_(12)(0.5LFCO-BTO)薄膜。X射线衍射分析表明薄膜为纯相层状钙钛矿结构,扫描电子显微镜显示薄膜结晶度良好且无裂缝,粒径为100~400nm。0.5LFCO-BTO薄膜在室温条件下呈现出良好的铁电性能,其剩余极化值2Pr和矫顽场2Ec分别为48μC/cm2和290kV/cm。在频率为10kHz下,其相对介电常数εr和介电损耗tanδ分别为218.7和0.015。     

二步迭代法在中心仿射Hlder条件下的收敛性

研究了Banach空间中非线性算子方程的求解问题,在一阶Fréchet导数和二阶Fréchet导数分别满足L平均中心仿射Hlder条件和L平均Lipschitz条件下,讨论了二步迭代法的局部收敛性,得到了局部收敛性的条件,同时证明了该方法的R收敛阶至少是1+p/2+(1+p)24+p2.     

MeV P^＋／Si^＋共注入SI—GaAs制备高品质n^＋埋层

采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)～3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P~+与Si~+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si~+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n~+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm~2/(V·s),激活率可达95％以上。     

双层结构微波纳米振荡器件的振荡特性调控

针对由垂直磁化和面内磁化的CoPtCr合金组成的双层结构微波纳米振荡器件,本文利用微磁模拟软件OOMMF研究了其在电流驱动下的振荡特性,并提出了不同的纳米柱阵列结构以提高振荡器整体的功率输出。结果表明,纳米柱截面尺寸保持不变,当面内磁化区域的厚度超过20 nm时,其对双层纳米柱产生的振荡频率不再影响,振荡振幅则随厚度的增加而继续增大。本文提出了平行四边形结构排列的双层纳米柱阵列,各纳米柱之间锁相情况较好,在电流密度为3.89×10~(11) A/m~2的驱动下,纳米柱阵列整体产生的振荡振幅为单个纳米柱产生振幅的3.6倍左右。     

LC串联电路非共振固有振荡与谐波共振的区别

当正弦激励电压频率等于LC串联电路固有频率的1/N(N=2,3,4…)时,RLC串联回路中也会产生电磁固有振荡.通过改变电路参数,观察对非共振固有振荡波形产生的影响情况.分析研究了非共振固有振荡不是谐波共振,它与谐波共振有较大区别.