非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数

采用Tokuda的改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了磁场和极化子速率对非对称量子点中强耦合磁极化子性质的影响.导出了磁极化子的声子平均数与量子点的横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度、磁场的回旋频率和极化子的速率的依赖关系.结果表明磁极化子的声子平均数随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子尺寸限制效应.声子平均数随电子-声子耦合强度、磁场回旋频率和极化子的速率的增加而增大.     

量子点中极化子的速率对光学声子平均数的影响

研究了量子点中极化子的性质。采用Tokuda改进的线性组合算符法、拉格朗日乘子法和变分法，导出了量子点中极化子的振动频率和声子平均数，讨论了在强弱耦合情况下极化子的速率对光学声子平均数的影响。研究结果表明，光学声子平均数随极化子的速率增加而增大。     

量子点中极化子的速率对光学声子平均数的影响

研究了量子点中极化子的性质.采用Tokuda改进的线性组合算符法、拉格朗日乘子法和变分法,导出了量子点中极化子的振动频率和声子平均数,讨论了在强弱耦合情况下极化子的速率对光学声子平均数的影响.研究结果表明,光学声子平均数随极化子的速率增加而增大.     

抛物量子点中极化子的声子平均数

采用幺正变换及线性组合算符法,导出抛物量子点中极化子的声子平均数,讨论了强、弱耦合的两种极限情况．结果表明,电子周围的声子平均数随着电子-声子耦合强度的增加而增大．     

盘型量子点中弱耦合极化子的声子平均数

采用修改的线性组合算符和幺正变换的方法研究了在抛物限制势下量子盘中弱耦合极化子的声子平均数.讨论了在弱耦合情况下,电子周围的平均声子数与电子-体纵光学声子耦合强度以及极化子速度的关系.数值计算结果表明：盘型量子点中弱耦合极化子的声子平均数随电子-体纵光学声子耦合强度和极化子速度的增加而增大.     

电子速度对半导体量子点中极化子的声子平均数的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究半导体量子点中强、弱耦合极化子的振动频率和声子平均数的性质．导出了电子速度对半导体量子点中强、弱耦合极化子的声子平均数的影响．数值计算结果表明：半导体量子点中强耦合极化子的振动频率随量子点的受限强度的增加而增大，半导体量子点中强、弱耦合极化子的声子平均数随电子速度的增加而增加     

非对称量子点极化子平均声子数的温度效应

采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中强耦合极化子平均声子数的温度效应。导出了极化子平均声子数随有效受限强度、温度的变化关系。选择RbCl晶体进行数值计算,结果表明：声子平均数随有效受限强度、温度的升高而增加。     

有限温度下表面磁极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符方法，导出了有限温度下表面磁极化子的光学声子平均数，通过数值计算得出了光学声子平均数随表面光学声子的频率ωs、耦合强度αs、磁极化子振动频率λ、磁场B、极化子数n以及温度T的变化规律．     

量子棒中磁极化子的回旋共振特性和光学声子平均数

基于Huybrechts线性组合算符法,采用Lee—Low-Pines幺正变换和变分技术研究了磁场中量子棒内抛物限制势下电子一体纵光学声子强耦合磁极化子基态的回旋共振特性,推导出磁极化子回旋共振频率和光学声子平均数与磁场的回旋频率、电子一声子耦合强度、量子棒的纵横比和受限强度的变化规律。数值结果表明：磁极化子的光学声子...     

声子之间相互作用对弱耦合量子点中极化子内声子平均数的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了量子点中弱耦合极化子的性质。在考虑声子之间相互作用时,讨论了极化子的基态能量随量子点受限长度和平均声子数的变化关系。数值计算结果表明：极化子的基态能量和平均声子数都随量子点受限长度的增加而减少,平均声子数随基态能量的增加而增加。在基态能量相同时,考虑声子之间相互作用时的平均声子数比不考虑声子相互作用时的平均声子数要小一些,即声子之间的相互作用对量子点中平均声子数影响不能忽略。     

多声子对弱耦合体磁极化子性质的影响

研究了磁场中多原子极性晶体中多声子相互作用对弱耦合体极化子基态能量和有效质量的影响．采用么正变换、线性组合算符和拉格朗日乘子法。计算了多声子相互作用对磁极化子基态能量和有效质量的附加贡献．结果表明，基态能量的附加贡献为电子-不同支LO声子-磁场间耦合的附加能量以及电子-不同支LO声子间耦合的附加能量之和，有效质量的附加贡献为电子-不同支LO声子间耦合的附加贡献．     

Kondo effect in an integer-spin quantum dot

The Kondo effect--a many-body phenomenon in condensed-matter physics involving the interaction between a localized spin and free electrons--was discovered in metals containing small amounts of magnetic impurities, although it is now recognized to be of fundamental importance in a wide class of correlated electron systems. In fabricated structures, the control of single, localized spins is of technological relevance for nanoscale electronics. Experiments have already demonstrated artificial realizations of isolated magnetic impurities at metallic surfaces, nanoscale magnets, controlled transitions between two-electron singlet and triplet states, and a tunable Kondo effect in semiconductor quantum dots. Here we report an unexpected Kondo effect in a few-electron quantum dot containing singlet and triplet spin states, whose energy difference can be tuned with a magnetic field. We observe the effect for an even number of electrons, when the singlet and triplet states are degenerate. The characteristic energy scale is much larger than in the ordinary spin-1/2 case.     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min）,制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好,开启电压最低,只有5．5 V。     

磁场中强耦合束缚极化子的声子平均数的研究

采用线形组合算符和么正变换方法研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子的影响.通过对晶体CdF2作数值计算,结果表明声子平均数n→随温度的升高而增大,以及在温度不变时,量子点中强耦合束缚极化子的平均数随极化子的振动频率的增大而变小.     

三角量子阱中束缚磁极化子的性质（英文）

采用LLP变分法研究了三角量子阱中束缚磁极化子的性质.在不同库伦束缚势下,得到了基态能、基态结合能与磁场回旋频率及电子面密度之间的关系.数值计算结果表明:基态能量随着电子面密度和磁场回旋频率的增加而增加,基态结合能随着电子面密度和磁场回旋频率的增加而减少.     

Single-shot read-out of an individual electron spin in a quantum dot

Spin is a fundamental property of all elementary particles. Classically it can be viewed as a tiny magnetic moment, but a measurement of an electron spin along the direction of an external magnetic field can have only two outcomes: parallel or anti-parallel to the field. This discreteness reflects the quantum mechanical nature of spin. Ensembles of many spins have found diverse applications ranging from magnetic resonance imaging to magneto-electronic devices, while individual spins are considered as carriers for quantum information. Read-out of single spin states has been achieved using optical techniques, and is within reach of magnetic resonance force microscopy. However, electrical read-out of single spins has so far remained elusive. Here we demonstrate electrical single-shot measurement of the state of an individual electron spin in a semiconductor quantum dot. We use spin-to-charge conversion of a single electron confined in the dot, and detect the single-electron charge using a quantum point contact; the spin measurement visibility is approximately 65%. Furthermore, we observe very long single-spin energy relaxation times (up to approximately 0.85 ms at a magnetic field of 8 T), which are encouraging for the use of electron spins as carriers of quantum information.