LiNbO3光学性质与热力学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的赝势平面波法系统计算了LiNbO3晶体的电子结构、晶格振动和热力学性质,分析了掺杂抗光散射离子Mg2+和Sc3+对光学性质的影响.结果表明:室温时LiNbO3晶体的恒容热容为22J/mol·K,600K时,徳拜温度达到772.LiNbO3晶体中掺入Mg2+或Sc3+离子,导致光学性质发生明显改变,极限介电常数由4.8降低到3.7,极限折射率n0由2.2降低到1.9.     

N-Sn掺杂ZnO光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究N原子、Sn原子单掺和共掺ZnO体系的电子结构及光学性质.计算结果表明:掺杂前后其跃迁类型都是直接跃迁,N-Sn共掺体系能带宽度最小,费米能级附近出现了态密度峰.光学性质方面,N-Sn共掺发生了明显的红移现象,增强了其对可见光的响应范围.     

GaAs晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现GaAs晶的带隙是1.019 eV,通过态密度图分析可知:价带顶主要由As的4s态组成,导带底由Ga的4s、4p和As的4s、4p态形成的杂化...     

BaSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1．086eV;其价带主要是由Si的3s,3p及Ba的5d态电子构成,导带主要由Ba的6s,5d及Si的3p态电子构成;静态介电函数ε1（0）=11．17;折射率n0=3．35;吸收系数最大峰值为2．15×10^5cm^-1．     

CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0．353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等．经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好．     

Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的密度泛函理论,用广义梯度近似方法(GGA)计算了Mg掺杂纤锌矿GaN的电子结构和光学性质,分析了能带结构与电子态密度以及掺杂前后GaN体系的介电函数与能带结构之间的关系。计算结果表明掺有Mg的GaN晶体的晶格常数及禁带宽度增加,并在价带顶引入受主能级,通过对比分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和光学吸收谱,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据。     

掺杂CeO2光学性质和电子结构的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对CeO2进行掺杂改性研究.通过计算未掺杂及不同掺杂情况下CeO2的几何晶体结构、能带和态密度、光学吸收谱.比较发现Fe和N元素单掺杂以及共掺杂后,晶胞都发生了畸变,体积变大;三种情况的掺杂后,导带均下移,导带变宽,密度减小;每种掺杂情况的光吸收曲线都比未掺杂的曲线高,都可以提高Ce...     

CrSi_2电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等.经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好.     

BaSi_2电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.086eV;其价带主要是由Si的3s,3p及Ba的5d态电子构成,导带主要由Ba的6s,5d及Si的3p态电子构成;静态介电函数ε1(0)=11.17;折射率n0=3.35;吸收系数最大峰值为2.15×105cm-1.     

ZrB2电子结构和光学声学性质的第一性原理计算

利用第一性原理计算了ZrB2的电子结构、光学和晶格动力学性质.对ZrB2的能带和电子态密度(DOS)的计算表明,ZrB2具有金属特征,导带主要由B2p轨道反键态和Zr4d电子构成.B原子的σ键由2s和2p杂化轨道形成,Pz轨道单独形成一个连续的π键,这些态之间的跃迁在吸收光谱中会体现出来.布居分析表明,ZrB2中原子间...     

小尺寸MgO团簇结构与电子性质的第一性原理研究

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下,对小尺寸(MgO)n(n≤8)团簇的基态结构、最高占据轨道(HOMO)和最低未占据轨道(LUMO)的能隙、结合能和二阶能量差分进行了计算,结果表明,n=3和6是团簇的幻数,即(MgO)3和(MgO)6是团簇的稳定结构.     

MgO加入量和烧成温度对镁橄榄石材料物相组成和性能的影响

在镁橄榄石细粉中加入不同含量的电熔镁砂,以树酯为结合剂,在不同温度下进行烧成,制备镁橄榄石耐火材料.对烧成制品的物相组成、显气孔率、体积密度和常温耐压强度进行检测,研究不同电熔镁砂含量和烧成温度所制镁橄榄石的物相组成和性能.结果表明,随着镁砂含量的增加,镁橄榄石耐火材料的显气孔率逐渐增大;随着烧成温度的提高,镁橄榄石耐火材料的显气孔率逐步降低,有利于加速其合成.     

纳米氧化镁的合成

以ＭｇＣｌ２·６Ｈ２Ｏ和ＣＯ（ＮＨ２）２为原料,采用均匀沉淀法合成了纳米ＭｇＯ．讨论了反应温度、煅烧温度和时间对产物的影响,通过ＸＲＤ和ＴＥＭ对纳米ＭｇＯ进行了表征．     

新型复合MgO膨胀材料的膨胀效果

研究掺加不同量复合MgO的胶砂试件,在不同水化龄期的力学性能、膨胀性能以及在20、50、80 ℃水中养护,膨胀率的变化过程和趋势.结果表明:随着MgO掺量的增加,膨胀率相应增加,但强度降低,当掺量在6%～8%时,试件的膨胀量与强度可达到较好的平衡;随着水化温度的升高,相同龄期下水泥浆体膨胀率增大,且7～28d龄期内增加的速率比后期的快,但随着龄期的增加,高温养护时的膨胀速率又逐渐小于低温养护的膨胀速率.     

氧化镁纳米粉体的制备与表征

以硝酸镁为反应原料,硬脂酸为分散剂,采用溶胶凝胶法制备了MgO纳米粉体,并对其进行了XRD、TEM、FTIR表征.结果表明,制得的MgO颗料为椭球形,面心立方结构,粒径18nm,粒子分散均匀.     

MgO对卫燃带材料上煤灰结渣的影响

针对当前电厂主要燃用低质煤的问题,选择冷水江岩页煤灰作为基灰,分别配制MgO含量为4wt％,8wt％,12wt％,16wt％的灰样,然后依次将其置于SDAF 2000b灰熔点测试仪,测得灰样的变形温度DT、软化温度ST、半球温度HT和流动温度FT;将灰样散布在SiC质和铝质的耐火材料上,置于1250℃马弗炉煅烧20h,冷却观察并作XRD分析．研究结果表明,基灰的熔点随MgO含量的递增先降后升．在5wt％左右灰熔点最低,结渣强度却逐步加强;SiC和铝质耐火材料对MgO的结渣性具有相近的适应性．     

MgO能带结构的LMTO—ASA计算

来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的计算结果相当符合,该方案仅用16×16阶久期方程,计算量小,准确性高,可以给出MgO的合理的能带结构。     

用蛇纹石尾矿制备氧化镁和二氧化硅的工艺研究

对利用蛇纹石尾矿制取MgO和SiO2的工艺进行了探讨．实验证明，合适的工艺条件为：矿粒度小于80目，盐酸浓度为6mol／L，酸解温度为60℃左右，酸解时间约2～2．5h，产品MgO的收率为80％～85％，SiO2的收率为80％左右．     

MgO纳米粉制备及表征

以六水合硝酸镁为原料,以尿素分解产物为沉淀剂,以乙醇为反应介质,制备出氢氧化镁凝胶,反复冷冻－离心干燥,在773K下焙烧,制得氧化镁粉体。经XRD、BET、TEM表征,所获的氢氧化镁团聚程度小,平均粒度为26nm,属于立方晶系,对结果进行了讨论。     

氧化镁生产工艺的改进

针对铵盐循环法存在镁的浸出效果不理想和废渣量比较多的问题,提出了以硫酸铵溶液和硫酸两次浸取方法制备氧化镁的新工艺,以轻烧镁为原料,对溶浸和Mg ∧2 碳化过程中的主要影响因素,如物料粒径、溶浸时间、碳化温度以及配料组成进行了研究,该工艺总的镁溶浸率和原料利用率分别达到95%和88%。废渣废放量小,所制的产品MgO含量在98%以上,质量达到了国家优级品标准,由于产生的酸性废渣和碱性工艺洗涤废水可以互相中和,因此废弃物排放能够满足环保要求。