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1.
杨茂宇 《安徽理工大学学报(自然科学版)》1985,(2)
本文对差分电路高频特性提出了一种分析方法——把电路分成共集、共基、共发电路子以分析。就图1共集——共基电路,明确看出,共基电路的输入电阻就是共集电路的反馈电阻,从而可看出差分电路频率特性的改善。文章示出了电路参数对频带的影响。 相似文献
2.
清华大学晶体管放大器研制小组 《清华大学学报(自然科学版)》1975,(2)
本文叙述一种10厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数2-3db。三级放大器频率复盖±10%,增益20db以上。电路采用微波集成电路,制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两种基片上。利用电抗斜率补偿的方法改善频率特性,使增益不平坦度达到约1db。 相似文献
3.
清华大学晶体管放大器研制小组 《北京大学学报(自然科学版)》1975,(2)
本文叙述一种10厘米波段低噪声微波晶体管放大器的设计。已获得噪声系数2—3db。三级放大器频率复盖±l0%,增益20db以上。电路采用微波集成电路,制在双面敷铜聚四氟乙烯纤维板以及氧化铝陶瓷两种基片上。利用电抗斜率补偿的方法改善频率特性,使增益不平坦度达到约1db。 相似文献
4.
以实现声频放大器低噪声化为出发点,阐述了具体设计的几个方面.从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手,对晶体管放大器的噪声模型(En-In模型)作了分析,并推导出一种实用的最佳源电阻Rsopt近似求法.还对系统电路的低噪声设计略加探讨. 相似文献
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6.
本文就三种H型脉宽调制放大器对直流电动机供电时的性能进行了论证和比较,所得结论可供设计直流脉宽调速系统选择脉宽调制放大器类型参考。 相似文献
7.
论述了晶体管高频谐振放大器的3种匹配条件,并证明了第3种匹配是最佳匹配,其电压和功率放大倍数都最大. 相似文献
8.
空分接线器是交换设备的关键部件之一,其测试工作极为繁琐。为了简化测试,本文根据具体工作的实践结果,提出一种计算机模拟测试方法,介绍了硬件和软件设计。 相似文献
9.
OrCAD/PSpice平台对差分放大器的仿真分析,有利于对差分放大器的理解。通过探究文中的仿真过程,有利于对OrCAD/PSpice的了解和学习。 相似文献
10.
OrCAD/PSpice平台对差分放大器的仿真分析,有利于对差分放大器的理解。通过探究文中的仿真过程,有利于对OrCAD/PSpice的了解和学习。 相似文献
11.
倪汉成 《东南大学学报(自然科学版)》1979,(1)
本文给出最佳近似匹配网络的理论分析,导出最佳近似匹配条件和失配损耗公式,讨论S参数离散性和S参数测量误差的处理方法。也给出最佳近似匹配网络用于晶体管放大器的设计程序。 相似文献
12.
基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。 相似文献
13.
本文简要介绍Multisim10软件的特点,并对晶体管共射放大电路进行仿真分析,研究静态工作点对放大倍数及其波形失真产生的影响。仿真结果与理论分析计算一致,使模拟电子技术教学更形象、灵活,对学生理解实验原理、熟悉实验过程具有很大的帮助。 相似文献
14.
给出了一种新的电路元件零器、零口器、非口器的概念,并用它们构造晶体管模型──零器模型.还论述了零器模型在晶体管电路的分析和设计中的应用. 相似文献
15.
魏璁 《山东师范大学学报(自然科学版)》1989,4(2):29-34
通常用微带电路进行微波晶体管电路设计时,在微波的低频段,微带电路的尺寸比较大,给使用带来不便,为了缩小几何尺寸,本文着重讨论利用短微带线加以电抗支节调谐,作微波晶体管放大器级间匹配的设计方法。 相似文献
16.
本文采用理论分析和实验研究的方法,确定脉宽调制放大器的非线性特性,并提出了计算非线性特性参数的方法,为研究晶体管直流脉宽调速系统的自激振荡,强制振荡和分谐波振荡过程提供根据。 相似文献
17.
本文简单介绍了晶体管放大器电路的安装过程与调试方法及在调试过程中的注意事项,概述了晶体管放大器静态工作点的设置对输出特性的影响及性能指标测试电路的组成. 相似文献
18.
在模拟电子技术中,常遇到低频小信号放大器,但各种有关书籍都未给出小信号的具体量值,造成学生在做有关实验时,盲目地给放大器输入信号而导致得出错误的结论。因此,本文将从工程的观点出发定量地推导出放大器的小信号条件。 相似文献
19.
本文介绍了利用PWM方法进行同步发电机励磁的工作原理,分析了电路特性,给出了设计的基本方法.实验表明PWM方法比可控硅励磁具有更好的动态特性,可靠性亦较高. 相似文献
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用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应 总被引:1,自引:0,他引:1
利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers—Mo11)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.这样通过流经各个PN结的电流的变化,可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应. 相似文献