Si亚微米MOSFET Monte carlo模拟中散射机制的研究

讨论了用Monte carlo法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制,探讨并确定自由飞行时间的自散射方法,模拟电子在不同高场下的输运过程,并分析了速度过冲效应产生的原因.     

基于Monte Carlo方法的n+n-n+-GaAs二极管模拟

用Monte Carlo方法模拟了n n-n -GaAs二极管中载流子的输运。考虑了在输运过程中的主要散射机制,包括极性光学声子散射、声学声子散射、谷间散射以及杂质散射,给出了模拟程序的流程图,自由飞行时间,散射机制的选择和电子波矢量,最后得出平均电子速率和平均电子能量.     

深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟

用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管--MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案求电子的自由飞行时间.这两个措施的实施,减小了蒙特卡罗模拟时间,加快了模拟速度.模拟中主要考虑了电离杂质、声学形变势、表面粗糙散射和电子谷间散射四种散射机制.模拟的MOSFET输出特性曲线和电子速度在沟道中的分布与报道的相关结果符合得很好.     

康普顿效应的数值演示实验

在物理分析与数值计算的基础上，成功的设计了模拟康普顿效应实验的Mathematica模块，可以形象地展示光子与电子的散射过程．     

分子桥电子输运特性的计算机模拟理论及应用

根据Landauer散射理论和格林函数技术，较为系统地阐述了利用计算机模拟分子桥电子输运特性的理论方法和计算中应注意的一些问题，并将此方法应用于耦合到金电极的PDT分子桥，得到了令人满意的结果。     

面向纳米尺度金属互连线的蒙特卡洛模拟方法研究

考虑各种尺度下金属互连线中主要的电子散射机制,提出一种可以准确地仿真金属互连线中电子输运特性的蒙特卡洛模拟方法.模拟结果表明,等离子激元散射对体材料互连线的电阻率贡献最大,其次是电子间散射;晶粒间界散射则主导纳米尺度线宽的金属电阻率,是导致"尺寸效应"的主要原因.通过与实验数据对比,证明所提方法可以准确地模拟从体材料到...     

康普顿散射中的'反冲电子'

文章对康普顿散射后电子的状态进行讨论.依椐散射电子所获得的能量分析散射后电于所处的状态,并按相对论效应和非相对论效应分别得到散射电子的速度表达式.根据电子获得的能量,讨论了散射电子的可能状态有:当所获得的能量为零时,电子保持原状态;当cosθ＞1-Eifm0c2/(hv0-Eif)hv0时,电子保持原态并电离出获得的能...     

高能电子束的散射和准直

文章阐明了如何将加速器的电子束经散射和准直以后成为放射治疗的医用射线束。讨论了散射电子的角分布和能量分布及其对照射野的贡献。从利用散射电子和去除散射电子的两种不同设计原则对20McV医用电子直线加速器的电子束准直器分别进行设计,并给出实验结果,肯定了使散射电子最小化的准直器设计原则。     

用EGSnrc程序包对单能电子实验过程影响因素的研究

本文运用蒙特卡罗程序EGSinpRZ和EGSnrcMP模拟了不同能量的单能电子入射过程中与AL吸收物质的作用,得到了该过程产生并且进入了灵敏区的轫致辐射光子和散射电子平均能量以及他们在相应情况下的百分比,结合两种测量方法(全峰面积法TPA和半峰面积法SPA)讨论了轫致辐射和散射对测量结果的影响;研究了实验所用放射源与其包装材料产生的轫致辐射光子对测量的影响;同时用EGSnrcMP程序模拟了吸收过程,画出了吸收曲线,并与实验吸收曲线相比较,讨论了环境本底对计数的影响.     

用EGSnrc程序包对单能电子实验过程影响因素的研究

本文运用蒙特卡罗程序EGSinpRZ和EGSnrcMP模拟了不同能量的单能电子入射过程中与AL吸收物质的作用,得到了该过程产生的并且进入了灵敏区的轫致辐射光子和散射电子平均能量以及他们在相应情况下的百分比,结合两种计算方法(全峰面积法TPA和半峰面积法SPA)讨论了轫致辐射和散射对测量结果的影响;研究了实验所用放射源与其包装材料产生的轫致辐射光子对测量的影响;同时用EGSnrcMP程序模拟了吸收曲线,并与实验吸收曲线相比较,讨论了环境本底对计数的影响.     

电子被氨分子散射总截面的计算

本文利用光学势方法计算了能量在１０－１０００ｅＶ范围内电子被氢原子和氮原子散射的总截面，并利用可加性规则得到了电子被氨分子散射的总截面．计算结果与实验进行了比较，在２００—１０００ｅＶ能量范围内计算结果和实验结果符合得比较好．     

激光场中电子-氙原子散射

在电子入射方向平行于激光场的极化方向这种特殊的散射模式下,把二阶玻恩近似理论推广到电子与较重惰性原子-氙原子散射的过程,计算了小角度(5°～25°)情况下激光辅助电子与氙原子散射交换单光子、双光子和三光子的微分散射截面.并对计算结果进行了分析,对比电子与其它惰性原子散射过程,表明用二阶玻恩近似理论解释在激光场下电子与较重惰性原子散射也是比较成功的.     

Compton散射下激光等离子体与自生磁场对电子的加速

应用电子与多光子集团非线性Compton散射模型,对多光子非线性Compton散射下激光等离子体和自生磁场对电子的加速进行了理论分析和数值模拟.结果表明,不仅由Compton散射光与入射光形成的耦合光以及耦合光与等离子体相互作用形成的自生磁场所构成的混合场能使做回旋共振运动的电子在较短的长度内加速到很高的能量,而且注入电子的初始参数及耦合光的参数对电子加速亦有较大影响.     

电子被氮分子散射总截面的计算

本文利用光学势方法计算了能量在１０－１０００ｅＶ范围内电子被氢原子和氮原子散射的总截面，并利用可加性规则得到了电子被氮分子散射的总截面，计算结果与实验进行了比较，在２００－１０００ｅＶ能量范围计算结果和实验结果符合得比较好。     

氮气直流辉光放电阴极鞘层区电子行为的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟对氮气直流辉光放电等电子体阴极鞘层区内电子的输运过程进行了研究,计算了阴极鞘层中电子的能量及角分布的空间变化.模拟讨论了电子密度和电子平均能量在鞘层的轴向分布规律.结果表明:在鞘层电子主要以高能束的形式朝前散射,电子在输运过程中表现出的这一特征依赖于放电条件,电子碰撞电离和离解电离产生的次电子在鞘层边界附近迅速倍增.模拟结果为分子气体辉光放电等离子体过程的机理的认识提供了参考依据.     

磁场对放电阴极区中电子能量及角分布的影响

采用Ｃｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阻极鞘层中电子能量及角分布的影响。磁场垂直于阴极鞘层中电场的方向。电子与中性粒子的碰撞过程由自散射技术处理。计算了电子与中性粒子的非弹性碰撞次数。着重研究了电子的能量和散射角分布。结果表明，横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程。磁场中电子与中性粒子的非弹性碰撞增强，这一结果与实验结果基本一致。     

利用超高斯光模拟方势垒

方势垒是一个研究量子力学中隧穿问题的理想模型.提出了利用具有大蓝失谐的超高斯光和原子相互作用的偶极势能和超高斯光和电子的有质动力势能模拟方势垒.通过比较超高斯势垒对入射平面波散射的数值解和方势垒对物质波散射的解析解,发现当超高斯光场阶数大于20时能够有效地模拟方势垒对物质波的散射问题.进一步研究了物质波入射到双超高斯势...     

InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布, 但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小; 而在施加阶跃漏端电压时, 散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间, 降低了器件的截止频率。     

用复合势模型研究电子对原子的散射

构造了一种简化的电子与原子碰撞的复合势原子模型,并结合势能独立性原理的思想,研究了中等能量电子对原子的散射,得出了电子受原子散射的各种截面的理论计算公式,探索性地将独立性原理方法应用于电子与原子的碰撞截面的计算.应用复合势模型编程计算了电子被氦原子散射的总散射截面,计算结果与实验数据较符合.     

聚合物棒晶小角光散射图样的计算机模拟

以模型法光散射理论为基础，用计算机模拟出了聚合物棒晶的小角光散射图样。在模拟过程中，把聚合物棒晶视为处于均匀介质中的各向异性棒，采用了二维模型及计算结构因子的方法，模拟程序利用奔腾Ⅱ计算机和Win98操作系统，用Visual Basic语言编制，模拟结果表明，模拟图样和实验中得到的光散射图样一致，可成为研究聚合物棒晶小角光散射图样的理想辅助工具。