旋涂SiO_2乳胶薄膜形成的Si—SiO_2系统的特性研究

在硅衬底上形成SiO_2的方法是多种多样的,人们比较熟悉的有热氧化法、硅烷热分解法和正硅酸乙脂热分解法等。我们这里谈的则是另一种新方法——旋涂SiO_2乳胶法,它是由有机氧硅烷的水解聚合物,用特殊的涂布方法在Si衬底上形成SiO_2薄膜的。近几年来人们在SiO_2乳胶中,掺入各种不同的杂质,变成扩散源,应用于器件及集成电     

对GB223·5—81草酸—硫酸亚铁硅钼蓝光度法的改进

用草酸—硫酸亚铁硅钼蓝光度法可以测定钢铁中硅含量,本文对这种方法进行了改进,扩大了测定范围,提高了测定速度和精确度,解决了用国标方法测定铜镍低合金钢中硅含量出现的溶样不完全问题。     

浅谈活性硅粉：可活性硅的测定

在没有标样的情况下,试样采取盐酸介质、硝酸介质比色法进行对比,且与氟硅酸钾容量法进行对比,结果表明活性硅粉——可活性硅的测定采用钼蓝光度法进行测定结果稳定、操作简单、快速,能满足分析要求。     

掺铕(铽)多孔硅的制备及其光致发光

采用了一种新的掺杂方法——溶胶-凝胶法将稀土配合物掺入多孔硅中．研究结果表明：“溶胶-凝胶法”可有效地把稀土掺入多孔硅中,所制得的杂化材料中,观察到Eu^3＋、Tb^3＋特征的橙红色、绿色室温光致发光．而且,通过SiO2对掺入稀土的包裹作用和对多孔硅层的覆盖,提高了多孔硅的稳定性,部分减少了多孔硅的发光猝灭．     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

一种新的湿法钝化多孔硅的方法

采用硫代乙酰胺的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行钝化处理,改善了多孔硅表面结构并提高了发光强度.同时研究了钝化电流,钝化温度和钝化时间等一系列因素对钝化多孔硅光致发光强度的影响.实验发现,在60℃恒温下,对样品通电流1 mA/cm2,进行10 min的钝化处理可以获得最强的光致发光,发光强度比初始样品发光强度增强了一个数量级.另外,通过傅立叶红外吸收谱(FTIR)以及X射线光电子能谱(XPS)测试分析,探讨了钝化处理使得多孔硅发光强度提高的原因.     

三甲基硅烷化—气相色谱法研究水玻璃老化机制

本文采用三甲基硅烷化－气相色谱法（简称ＴＭＳ－ＧＣ法）,研究了水玻璃老机制,结果表明：由于硅酸聚合性质,水玻璃中存在着单硅,二硅,三硅等聚硅酸的混合物,在放置过程中,单硅酸含量逐渐增加,高聚硅酸含量也相应逐渐增加,即发生,“两级分化”现象;水玻璃经改性后,低聚硅酸含量提高,而高聚硅酸含量降低;水玻璃经回流冷凝后,组成有向原来方向转化的趋势。     

金在氮化硅—硅界面的电学效应

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au(扩Au片)等多种元素。在SiH_4—NH_3—N_2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同     

传统法生产氧化锆除硅工艺的研究

对传统的烧碱-盐酸法生产氧化锆中一次水漂洗除硅,二次盐酸提取除硅及工艺过程中的三次除硅进行了研究,提出了水处理法二次除硅新工艺,为硅胶的分离及生产高纯度氧化锆提供了较满意的工艺方法。     

SrSi2有序合金的制备及其热力学初探

二硅化锶(SrSi2)是一种新型有序金属间化合物。本文介绍了碳-硅热法制备SrSi2的过程及其热力学参数的计算,讨论了机械活化在碳-硅热法合成SrSi2有序合金中的作用。     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性

随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性,通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理,并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性,为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。     

龙格—库塔法结构程序设计方法

本文在比较了常微分方程(组)数值解的各种方法基础上,选定了四阶龙格——库塔(Runge-kutta法),法解决常微分方程(组)的初值问题,给出了固定步长的Runge-kutta结构程序和变步长的Runge-kutta结构程序,并通过具体例子对用这两种方法求解常微分方程数值解的精度作了比较。     

面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀

利用光刻热熔及法氩离子束刻蚀技术制作 １２８＊１２８元面阵硅场发射器件。采用扫描电子显征购 间和表探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微阵列的表面向一结构形貌特点。     

TPABr—正丁胺体系中TS—1的合成与表征

采用水热晶化法，以ＴＰＡＢｒ为模板剂，正丁胺为碱源合成出钛硅分子筛ＴＳ－１，并探讨了合成过程中的影响因素，利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ、ＳＥＭ等对合成的分子筛作了表征。     

ZSM—5沸石膜合成中几个影响因素

采用水热合成法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷载体和ＳｉＯ２复合膜上成功地合成了ＺＳＭ－５沸石膜。考察了ＺＳＭ－５沸石膜合成中载体性质,合成溶液的碱度,水硅质量比,晶化时间等对成膜的影响,探讨了沸石膜的生成机理并对合成的沸石膜进行了ＸＲＤ及ＳＥＭ表征,表明当合成液水硅质量比为１００时,主要是液相晶化机制起艇,表面的Ｓｉ－Ｏ键或Ａｌ－Ｏ键参与晶化,使膜与载体紧密结合。     

^1H—NMR内标法测定含氢硅油的含氢量

利用Ｈ－ＮＭＲ内标定量法测定含氢硅油的硅质子含量。并将该方法与Ｈ－ＮＭＲ上接定量法进行了比较，用化学法进行了验证。     

表面连接与核-壳型键合FITC荧光纳米硅球的制备及性能比较

以异硫氰酸荧光素(FITC)为荧光分子,二氧化硅为生物相容性载体制备荧光纳米硅球.为增强硅球的稳定性,引入γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)做桥梁分子,由于FITC、SiO_2与APTES连接顺序的非单一性,分别制备了表面连接型和核-壳型键合FITC的荧光硅球,并对其形貌和光漂白性进行了比较.实验结果表明,核-壳型和表面连接型荧光硅球形貌相似粒径接近,但表面连接型光漂白性严重.进而,对核-壳型中典型的包硅方法——St9ber法和反相微乳液法进行比较,结果表明,反相微乳液法制备的核-壳型键合FITC的荧光硅球荧光信号更强、粒径更小且分散性良好,同时在7h内荧光染料泄漏程度小于8%,30min内荧光强度仅降低2.2%,具备低染料泄露、光稳定性好等优点.     

1—酰基—2—芳基—1,2,3,4—四氢—4—喹喏酮及其烯醇硅醚的 …

由２′－氨基查尔酮合成了６个２－工基－１,２,３,４－四氢－４－喹喏酮,其中４个是新化合物。它们未能直接制成烯醇硅醚。但是它们的Ｎ－酰基衍生物在对甲基苯磺酸催化下,与Ｎ,Ｎ－甲基三甲硅胺反应顺利地生成相应的四氢喹喏酮的烯醇硅醚,收率９０％￣９８％。     

溶胶—凝胶法合成12—硅钼酸盐及其结构研究

本文报导了用溶胶—凝胶法自生压力下水热合成12—硅钼酸盐,并成功培养出结晶完美的大单晶体。四圆x射线衍射研究结果证明,这种12—硅钼酸盐具有Keggin结构。晶体由SiMo_(12)O_(40)~(4-)杂多阴离子及NH_4~+(C_4H_9)_2N~+H_2和H_2O分子组成,杂多阴离子SiMo_(12)O_(40)~(4-)按晶体所属空间群对称性要求,在三维空间中排列成网状结构,正离子NH_4~+,(C_4H_9)_2N~+H_2及中性水分子则处于网状结构所具有的结构孔道中,以其正电荷及氢键形成能力连接杂多阴离子网状结构,首次将二正丁胺引入杂多酸骨架,且二正丁胺以质子化的形式存在于结构中。