提高金属膜熔断电阻器的熔断性能

通过分析金属膜熔断电阻器熔断原理，主要从选择最佳的热处理温度、采用低碱瓷基体、锡镀层的铁帽盖材料等几方面论述了如何提高金属膜熔断电阻器的熔断性能。     

利用喷砂射流技术精调金属膜电阻器精度

精密金属膜电阻器的制造,目前国内普遍使用的是机械螺纹刻槽机,刻阻控制精度±0.5％以内,先进的激光螺纹刻槽机应用较少,其刻阻控制精度在±0.1％以内。电阻器刻槽后,随着生产工序的流转,阻值有所漂移,最终阻值精度只能控制在±1％左右,可满足普通或半精密电阻器的技术要求,而对最终阻值精度要求±1％～±0.02％范围的精密电阻器只有刻槽后再经过阻值精调(俗称二次调阻),才能满足最终的阻值精度要求。1.阻值精度精调方法     

氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响

本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。     

溅射靶材的制备及应用研究

随着电子及信息产业迅猛发展,全球溅射靶材的需求量越来越多。文章介绍了靶材的分类、制备方法和应用情况,并指出了目前溅射靶材急需解决的几个重大问题。     

合金靶材择优溅射的SRIM模拟研究

利用SRIM2013软件,分别模拟计算了3组合金靶材Fe-Cr、Cu-Ni和Au-Ag在氩离子入射时的溅射产额,根据计算结果得出3组合金均存在择优溅射现象,择优溅射与金属原子的表面结合能有关的结论。同时模拟了 Au-Ag合金的溅射产额随入射离子能量和合金成分的变化情况,并分析其择优溅射机制。     

LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究

采用改进的陶瓷烧结工艺，研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型ＬｉＮｂＯ３陶瓷靶材的烧结工艺，解决了烧结过程中Ｌｉ２Ｏ的外逸造成成分偏差和Ｌｉ２Ｏ含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题，探讨了Ｌｉ２Ｏ在烧结过程中的作用，制备出了高强度的ＬｉＮｂＯ３＋Ｌｉ２Ｏ系列陶瓷靶材．     

BaAl2S4∶Eu溅射靶材合成方法研究

采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4∶Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4∶Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的BaAl2S4∶Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470 nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4∶Eu溅射靶材.     

磁控溅射工艺中靶材溅射功率对BCMg薄膜性能影响

采用多靶磁控共溅射技术,利用高纯B、C及Mg单质靶材为溅射源,573K下在单晶Si(001)表面成功制备硬质非晶态BCMg薄膜.背散射扫描电镜(SEM)图显示薄膜成分均匀,与基体Si片结合良好.X射线光电子能谱(XPS)分析表明薄膜中存在B—B、B—C、C—Mg等键态.X射线衍射仪(XRD)及高分辨透射电镜(HRTEM)测试结果表明薄膜为非晶态结构.某单质靶材溅射功率提高时,沉积速率及相应元素在薄膜中的含量随之上升.随着薄膜中B含量增加,薄膜中B—B共价键数量增多,BCMg薄膜硬度与断裂韧性均上升.B含量为85%时,BCMg薄膜硬度及断裂韧性分别达到33.9GPa及3MPa·m1/2.     

用神经网络算法预测溅射镀膜时的溅射产额

文章运用人工神经网络理论建立预测模型,综合考虑了影响溅射产额的多个参数;用实例讨论了如何利用网络模型来预测不同条件的溅射产额,并对网络模型的适用性进行了检验,证明其有一定的适用价值;其结果可能在生产中应用,也指明了需要进一步研究的问题。     

用溅射方法制备金属超微粒

研究了一种制备金属超微粒的新物理方法——溅射法.介绍了该方法的装置并阐明了其基本物理原理.通过Ag、Au超微粒的制备及其透射电子显微镜和X射线衍射仪观察与分析表明,用此法可制备纳米量级的球形金属结晶超徽粒.     

用溅射方法制备金属玻璃

金属玻璃(玻璃金属或玻璃态合金)兼有一般金属和玻璃的特性,具有高的导电生和光学反射性.金属玻璃的制备方法大致可分为液体急冷法和原子沉积两大类,本文介绍     

Co、 Al共掺杂ZnO靶材溅射过程中离子与固体相互作用的模拟

根据随机碰撞过程中的级联碰撞原理,跟踪载能粒子在固体内的慢化过程,选用SRIM2008软件模拟了Co、Al共掺杂ZnO靶材在溅射过程中离子与固体相互作用.研究了溅射过程原子的选择性溅射现象,溅射原子的能量、角度分布情况,得出ZnO基靶材溅射过程中离子与固体相互作用的规律.欲获得成分接近Zn0.85Co0.1Al0.05O的薄膜,最佳的溅射工艺条件为:Ar+离子以68°的角度入射,靶材成分采用Zn0.7Co0.23Al0.07O.     

BaAl2S4:Eu溅射靶材合成方法研究

采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的Ba-Al2S4:Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4:Eu溅射靶材.     

用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征

采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.     

用万用表判别电阻器、电容器和电感器质量

文章阐述了在业余条件下如何用万用表判别电阻器、电容器和电感器质量的好坏。     

金属膜场发射特性研究

结合真空电子束气相沉积（electron beam evaporation deposition, EBVD）和磁控溅射（magnetron sputtering deposition, MSD）技术,分别在Al₂O₃陶瓷衬底上制备以Cu膜为发射层的单一Cu膜和Mo/Cu复合膜及Mo/Ni/Cu复合膜3种结构阴极薄膜。基于二极管场发射器件结构,研究了各样品的场发射特性。利用场发射扫描电子显微镜 （field emission scanning electron microscopy, FE-SEM）和能谱仪（energy dispersive spectrometry, EDS）对样品表面形貌和成分进行分析。结果表明：Mo/Ni/Cu复合膜的阈值电场为3.3 V·μm^-1;最大电流密度为63.0 μA·cm^-2;比在相同条件下制备的单一Cu膜和Mo/Cu复合膜具有更好的场发射特性,表明金属复合膜结构有效的改善了单一Cu膜的场发射性能。