锂离子电池正极材料中磁性杂质颗粒与电池安全性能

文章讨论锂离子电池正极材料中磁性杂质颗粒与电池安全性能间的影响关系,分析了锂离子电池正极材料中磁性杂质颗粒对电池安全性能的影响因素,探讨了工业生产过程中正极材料内磁性杂质颗粒的引入途径与降低磁性颗粒的方法,并对目前正极材料中磁性杂质颗粒的检测方法进行总结与讨论。     

服装面料表面反光性能的设计

服装面料表面反射光与面料的光泽及视觉风格有着密切的关系 .从服装面料表面反射光设计的一般原则和主要影响因素两个方面对这一问题进行了分析 ,并以缎纹织物为例对面料表面反射光的设计进行了探讨 .研究可知 ,影响服装面料表面反射光的主要因素包括纤维性状 ,纱线结构和织物结构 .另外 ,面料的后整理方法对面料表面反射光也有较大影响 .在众多影响因素中 ,以纤维的表面、纵向形态及截面性状影响最大 .服装面料表面反射光的设计应综合考虑各种因素 .     

Auger电子能谱分析方法及其在2.25Cr-1Mo钢回火脆性中的应用

介绍了Auger电子能谱（AES）分析方法、分析原理和试验过程，并对主要试验参数进行了讨论。同时，基于AES分析方法，对加氢反应器用2.25Cr-1Mo钢及其在步冷脆化和修正步冷脆化状态下进行AES分析试验。结果表明，2.25Cr-1Mo钢回火脆化机理是杂质原子P在晶界偏析所致，材料加速脆化的机理是材料中杂质原子P在晶界上不断偏析所致。     

接触载荷作用下非均质材料表层应力集中分析

利用数值化等效夹杂方法分析接触载荷作用下规则分布杂质单元影响材料表层最大von Mises应力大小和位置,并与相同工况下均质材料分析结果进行对比。在此基础上,研究不同分布参数下正态分布杂质单元对材料应力集中行为的影响。研究结果表明:在特定接触载荷作用下,均质材料表层最大von Mises应力随摩擦因数增大而增大,但杂质单元的存在将改变最大von Mises应力位置变化规律。非均质材料基体表层应力集中随分布杂质单元x方向平均坐标值增大而逐渐增大;随y方向平均坐标值增大而逐渐减小;随杂质单元半径增大而先增后减;分布杂质单元体积分数增大将导致基体最大von Mises应力上升。     

SIMOX材料结构,电特性及杂质分析

用扩展电阻（ＳＲＰ）,二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等方法,测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构、电特性和杂质分布。讨论了不同方法的测量,说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用。用制作适合器件需要的ＳＯＩ材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。     

利用反射光特性检验书写色痕的可行性研究

探讨书写色痕的反射光特性,建立利用反射光特性的差异区分书写色痕的理论基础．绘出书写笔迹各部位的光谱亮度曲线,测量各个品牌笔迹不同部位的反射光强度值,用检验法判定各反射光强度值有无显著性差异．结果表明：在置信度为95％的情况下,蓝色圆珠笔色痕在680nm处的反射光特性之间的区分率达到85％;利用反射光特性区分同种颜色不同牌号笔迹是可行的,光学检验的结论应该结合其它方法做出的结论和得出的信息综合使用．     

线接触载荷下材料非均质特性对滚动接触疲劳的影响

滚动接触疲劳是滚动轴承和齿轮等机械传动零部件极易发生的一种典型早期失效方式.此外,工程材料中不可避免存在杂质、夹杂和空洞等缺陷,严重影响接触副材料的性能.文中利用数值化等效夹杂方法分析x-z方向截面为椭圆形、正方形、正三角形等不同形状的杂质对基体材料应力场的影响,并以体积应力积分量化疲劳,探究非均质材料发生滚动接触疲劳的规律.结果表明,分布杂质的形状、弹性模量、深度、体积分数及摩擦系数等都对线接触载荷作用下非均质材料的体积应力积分具有重要影响.     

任意入射角情况额外程差的研究

对任意入射角情况薄膜反射光的额外程差进行研究.利用菲涅耳公式,分析斜入射光束薄膜上下表面二反射光s、p电矢量分量的方向和振幅比,推导薄膜二反射光的s、p分量大小的比例关系式,引入振幅比值函数M,分析M随入射角i1的变化规律.结果表明:仅当入射角θ1接近0°时,薄膜上下表面相邻二反射光额外程差为λ/2或0;对于一般斜入射光束由于薄膜上下表面二反射光的s、p分量的比例不相等,二反射光的振动方向不平行,不存在一般涵义的额外程差.     

提高反射型偏振器反射比的理论分析

用反射法产生偏振光是获取偏振光的方法之一,但反射比比较低.从介质膜的能量反射比R出发,探讨了在各向同性介质表面镀介质膜时,反射光为偏振光的条件.并通过分析表明：选择合适的介质膜材料,可以使反射比大大提高,从而优化反射型偏振器.     

利用反射光特性检验书写色痕的可行性研究

探讨书写色痕的反射光特性，建立利用反射光特性的差异区分书写色痕的理论基础．绘出书写笔迹各部位的光谱亮度曲线，测量各个品牌笔迹不同部位的反射光强度值，用检验法判定各反射光强度值有无显著性差异．结果表明：在置信度为95％的情况下，蓝色圆珠笔色痕在680nm处的反射光特性之间的区分率达到85％；利用反射光特性区分同种颜色不同牌号笔迹是可行的，光学检验的结论应该结合其它方法做出的结论和得出的信息综合使用．     

ZnS电致发光材料中电离杂质的散射

基于量子理论中分波法的思想,利用相移分析的方法,建立了电致发光材料中电离杂质对电子散射的物理模型,通过数值分析,得出了散射概率随电子能量、温度、杂质电荷及杂质浓度的变化规律.     

超滤加反渗透工艺分离浓缩橄榄苦苷试验研究

本研究采用膜分离技术部分替代橄榄苦苷传统有机溶剂萃取方法,根据每一步需要除去的杂质和保留的有效成分,确定适宜的膜材料、膜孔径和膜组件型式,建立膜过滤浓缩方式,以达到除杂质、分离纯化的目的。经过试验研究,本课题采用截留分子量1000Da的超滤膜对水提液进行膜过滤,利用反渗透膜对选定的超滤液进行浓缩,探讨膜孔径对产品指标成分橄榄苦苷得率以及膜通量的影响,比较膜过程前后组份的变化,最终确定工艺最佳条件。     

基于HPLC-Q-TOF-MS的非那雄胺原料杂质结构及来源分析

为优化非那雄胺(Finasteride)杂质控制和生产工艺,本研究采用高效液相色谱-四极杆飞行时间质谱法(High Performance Liquid Chromatography-Quadrupole Time of Flight Mass Spectrometry,HPLC-Q-TOF-MS)分析非那雄胺原料中的主要杂质结构,并结合强制降解试验推测部分杂质的来源。本研究共分离出15种杂质,并初步推测了杂质1,2,5,6,8,10,13,14等8种杂质的结构,其他7种杂质因含量过低或受其他因素干扰,未推断出其结构。强制降解试验结果表明,杂质1,3,5,7,9,10,11,12,14,15为工艺杂质,杂质2,4,6,8和C可能是降解杂质,也可能是工艺杂质。非那雄胺生产企业应优化生产工艺,并在贮藏及运输过程中控制温度,减少非那雄胺降解反应的发生。     

应用势垒电容研究半导体中深能级杂质

半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质的一些主要方法,特别是利用含有深能级杂质的p—n结(或Schottky 结)电容与时间有关的瞬态电容法,并且讨论了解释这些测量结果的理论模型。研究深能级杂质的 DLTS 法能比较迅速、精确地测定深能级杂质的多种参数,在此基础上进一步改进,从而提高测量精度。     

光子晶体形变传感器原理

当光子晶体材料承受外载荷时,必然会引起形变,并改变其组成材料的空间排列方式,从而导致其光带隙性能的改变。而外载荷与光带隙性能之间的对应关系,计算表明,压力的大小与禁带起始波长、截止波长和禁带宽之间呈简单的线性对应关系,通过测量光带隙性能而制造出感知外载荷的传感器。外载荷也可以是温度载荷,对含耦合缺陷的不对称结构光子晶体的研究发现,其缺陷模频率附近的反射率接近于1,而缺陷模频率附近反射光的相移随频率迅速改变;当缺陷层为折射率的温度敏感材料时,温度的极微小变化就能使处于缺陷模频率的反射光相移发生很显著变化。根据这一原理,设计了高灵敏高分辨率的相位温度传感器。     

硼和铈对Cu-Fe-P合金在NaCl溶液中耐蚀性的影响

Cu—Fe—P合金是一种广泛应用的高强高导电铜合金。本文研究了添加微量的硼和铈对Cu—Fe-P合金耐蚀性的影响。采用盐雾试验和电化学方法对材料腐蚀行为进行了分析,运用SEM、EDS及XRD等多种手段对材料腐蚀形貌和腐蚀产物进行研究,探讨了影响耐蚀性的机理。结果表明,由于晶粒的细化作用,B的微量添加会降低合金的耐蚀性能;Ce对合金有很好的净化杂质效应,从而使材料的耐蚀性能得到提高。     

奥曲肽PLGA微球的杂质分析

本研究建立了液相色谱法对奥曲肽PLGA微球中的有关物质进行检测,并通过强制降解试验、影响因素试验、加速试验和长期试验对奥曲肽PLGA微球的稳定性进行了考察.采用馏分收集器对奥曲肽PLGA微球中的7个杂质进行了收集,并使用LC-MS/MS成功地对7个杂质的结构进行了鉴定,解决了这些杂质在奥曲肽微球有关物质方法中的定位问题,对于完善奥曲肽微球的质量标准,加强药品的质量控制具有积极意义.     

车灯线光源的计算模型

讨论了车灯线光源的直射光总功率与反射光总功率之比,测试屏上直射光的亮区及反射光的亮区.     

酸性脱羧有关物质分析方法研究

目的，建立酸性脱羧有关物质分析方法。方法：高效液相法，色谱条件用十八烷基硅烷键合硅胶为填充剂，以乙腈-水（62：38）为流动相，检测波长为235nm，流速为1．0ml／min。对该方法进行了专属性、定量限、检测限、线性、重复性、准确度、系统精密度等试验，验证方法的准确可靠性。结果：本方法在杂质A0．1241～2．068ug／ml、杂质B0．0618-2．059ug／ml、杂质C0.2031～2．4372ug／ml浓度范围内线性关系良好，回收率的所有结果都落在加入浓度的±10％范围内，系统精密度试验和重复性试验结果均良好，溶液稳定性试验表明样品溶液在24h内是稳定的。结论，本方法适用于酸性脱羧物中杂质的检测。     

药用辅料——高分子聚合材料测定方法的正交试验

设计正交试验,建立药用辅料——高分子聚合材料测定方法.以L9(34)正交试验考查该方法的4个重要因素及水平.确立方法后按2010年中国药典要求做方法学研究.结果表明:该法检测的线性范围为2～100μg.mL-1;r=0.999 8;检出限为0.5μg.mL-1;该方法的平均回收率为0.96;日内RSD为0.02.该方法符合2010年中国药典关于杂质限量检测方法的规定,是检测此类PLLA辅料中乳酸含量的可行方法.