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Co/Ti/Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
CoSi2是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料,采用Co/Ti双层及TiN/Co/Ti多层结构,通过不同热处理工艺,可以形成CoSi2/Si异质外延结构。通过XRD,AES,RBS,四探针等测试,研究了CoSi2外延生长时,Co,Ti,Si,O原子的互扩散过程,阐述了Ti在些过程中的重要作用。 相似文献
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陈焕艮 《湖南师范大学自然科学学报》1996,19(4):15-19
研究了环的投射模在扩环上的遗传特征,得到了,设R∈S,C(R,S)为S的极大理想,则有:(1)R∈PF,则S∈PF,(2)若R「x1……xn」∈PF,则S「x1,…xn」∈PF;(3)若R「x1,…,xn」∈PF,则S「x1…xn」∈PF。 相似文献
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制备了不同铁含量、不同序列长度及分布的聚(苯乙烯──丙烯酸)铁配合物(SAAC·Fe)。考察了铁含量,序列长度分布和催化活性之间的关系,发现在Fe/COOH摩尔比为0.20时催化活性最高;当ASS+SSA=0.330,SSS=0.341,SAS=0.241时,SAAC·Fe显示最高的活性。 相似文献
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在通用半导体器件模拟软件PISCES(版本为9009I,SunOS4.1(Zhiping))的基础上,修改了模型方程,加进了低温参数模型,成功地开发和编制了适于低温半导体器件模拟软件SE-PISCES,模拟了77K下二极管的稳态特性、瞬态特性和交流小信号分析,并将模拟结果和300K下的作了对比分析。 相似文献
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采用逐步提高NaCl浓度的方法,获得了耐1%NaCl的烟草愈伤组织变异系(S1)。与原始型愈伤组织(S0)相比,在1%NaCl胁迫下,S1的干重增量高于S04.6倍,组织渗透势下降,而含水量提高;游离脯氨酸、蔗糖、还原糖含量及乙烯释放速率的增加S0高于S1,但腐胺的累积量相反。S1对甘露醇渗透胁迫和Na2SO4盐胁迫也具有适应性,但对低温(0-1℃)敏感。ABA促进了S0对盐胁迫的抗性,但对已耐盐 相似文献
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本文就在DOS状态下如何实现屏幕保护进行了研究和探讨,在全面剖析DOS的基础上,成功地解决了代码重入,任务切换、汉字系统伪文本方式的识别,计算机屏幕的保护与恢复等设计DOS下屏幕保护程序的难题,实现了DOS下的屏幕保护。 相似文献
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本文用相对论xα方法计算了Mg,Al,P,S,Cl,Ar,K,Sc,V等类Na离子3p,4p,5p能级的双重结构,并与实验数值进行了比较,在计算中应用了Slater变换势的修正。 相似文献
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系统结构动力学的科学统一性(Ⅱ)——自组织,进化,生命和意识 总被引:1,自引:0,他引:1
通过系统结构动力学(SSD)对自组织,进化,生命和意识等问题的讨论,揭示出它们统一的自然规律基础,不仅表明SSD架起了物理学与生命,行为,社会科学衔接的桥梁,而且为深入研究与认识这些问题提供了物理学探针和新的思维方法。 相似文献
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刘文德 《哈尔滨师范大学自然科学学报》1997,13(3):33-36
若群G的同阶元均在G中共轭,则称群G为SC-群。本文给出了可解SC-群,剩余有限SC-群的剩余中心SC-群的刻划。并对所为奇阶元SC-群进行了探讨。 相似文献
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研究了一种新型自对准硅化物MOS晶体管制备技术,通过Co/Si固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率CoSi_2薄膜,在CoSi_2/Si结构中进行杂质离子注入,用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算,选择适当的注入能量,使注入的杂质浓度峰值位于CoSi_2/Si界面附近,经快速退火,可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型NMOS晶体管。该文还研究了注入在CoSi_2/Si结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化,结果表明,磷在热处理过程中,存在向硅衬底较强的扩散趋势,而硼则明显不同。 相似文献
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木文通过SEM、XRD等手段研究了在氩气和空气下机械合金化SiTi3,结果表明,在氩气保护下,先形成SiTi3非晶,进一步球磨晶化成具有新结构的SiTi3;在空气氛围下,不经过完全非晶化过程而直接形成新结构的SiTi3.在这两种不同的反应方式中,氧气起了十分重要的作用. 相似文献
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研究了TS-2和TBS-2沸石在催化氧化苯乙烯重排反应中的酸催化性能,与不含硼的TS-2沸石相比,TBS-2的重排活性比TS-2的高出近一倍,生成苯乙醛的选择性也稍好于TS-2.XRD,IR及SEM表征证明具有较高结晶度、较高骨架钛、较适宜骨架硼以及晶粒细小均匀的沸石有着最佳的重排活性,晶粒较大的沸石催化活性有所下降,结晶度和骨架钛都较低的沸石重排活性明显下降。此外还考察了溶剂、反应温度和时间以及 相似文献
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本文利用切斜面拉开细胞的离析后扫描的方法,以北方广泛分布的小青杨为材料,较详细地观察了管间细胞壁的自然分层,小青杨管间细胞壁共分五个层次,即:内壁(S3)+网状层(S2)+中层(S1+P+胞间层+P+S1)+网状层(S2)+内壁(S3)。 相似文献
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研究了Cu^+,Eu^2+共激活的Ca1-nSrnS的发光性质,基质组分Ca/Sr摩尔比与荧光性质的关系,Cu^+和Eu^2+在纯CaS基质中的发射光谱分别位于430nm及630nm附近,随着基质中Sr含量的增加,红、蓝发射带都向绿区移动;当基质为纯SrS时,红、蓝发射带复合为一个主峰在517nm、半宽度为80nm的带谱,实验结果表明:Ca1-nSrnS:Cu^2+,Eu^2+是一种红、蓝发射峰值 相似文献
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介绍基于元对象和构件的MIS开发方法。提出了元对象的概念,给出了对象的定义及在MIS软件中的分类,并在元对象基础上建造支持MIS软件生成的MIS构件类。 相似文献
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研究了掺Sb对BiSrCaCuO超导电性的影响,对Bi系统料中Sb,Pb的最佳含量和烧结工艺进行了探索。 相似文献