ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相。分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢｓＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂＯ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的则减少。     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

MoSi2与B4C反应合成复合材料的显微结构及力学性能研究

研究了在热压过程中ＭｏＳｉ与Ｂ４Ｃ反应合成的硅化物与硼化物复合 显微结构及力学性能。结果表明,得到的复合材料以ＭｏＳｉ２,Ｍｏ２Ｂ５为主要组成相。复合材料的力学性能较纯ＭｏＳｉ２有较大改进。当Ｂ４Ｃ添加量ｗ＝１０％时,σｂ及ＫＩＣ均达到最大值,分别为３８０ＭＰａ和３．９ＭＰａ．ｍ＾１／２复合材料的硬度值则随添加量增加而增加。     

低温超高速BiCMOS数字电路的延迟特性分析

在常规ＢｉＣＭＯＳ技术基础上，该文充分考虑了低温下ＭＯＳ电流驱动能力增强，双极器件增益与频率性能退化，ＰＮ结正向导通电压增加和结电容减小等因素的影响，并由此建立起统一的低温ＢｉＣＭＯＳ数字电路延迟时间的非线性解析分析模型，所得到的有关结论对低温超高速ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计有现实的指导意义。     

换位子AP权有界性

设μ，λ∈ＡＰ〈Ｖ＝（μλ＾－１）＾１－Ｐ，１〈ｐ〈∞，ｂ∈Ｅ＾１（ｄｘ），如果ｂＢＭＯＶ，则换位子「Ｔ，Ｍｂ」满足，存在一个常数Ｃｆ与ｆ有关，使得∫／「Ｔ，Ｍｂ」ｆ－Ｃｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫／ｆ／＾ｐμ；相反地若Ｃｉ＝「Ｒｉ，Ｍｂ」是Ｌ＾ｐ（Ｒ，μ）到Ｌ＾ｐ（Ｒ，λ）有界算子，即∫Ｒ＾ｎ／「Ｒｉ，Ｍｂ」ｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫Ｒ＾ｎ／ｆ／＾ｐμ，（ｉ＝１，２，…，ｎ），则ｂ∈ＢＭＯＶ，此结果推广了Ｂｌｏｏｍ（     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

CuO基多金属氧化物复合陶瓷的制备及电性质

用硝酸盐热分解方法制备以ＣｕＯ为主体含１３种金属氧化物的系列复合陶瓷，室温下的电阻率与组成及烧结时间有明显的相关性，当组成（Ｃｕ：Ｃａ：Ｓｒ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃｅ：Ｌａ：Ｓｂ：Ｆｅ：Ｚｎ：Ｔｉ：Ｃｒ）为３：２：２：２：１：１：０．２０：０．６０：０．２５：０．５０：０．５０：０．２５：０．７５（ｍｏｌ：ｍｏｌ）时，陶瓷具有良好的绝缘性能。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

碳硅铬钼对高锰钢堆焊金属抗热裂纹能力的影响

本文研究了Ｃ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ等元素对高锰钢堆焊金属抗热裂纹能力的影响，认为Ｓｉ是影响堆焊金属产生热裂纹的主要元素，Ｓｉ在晶界偏析促使碳化物析出，Ｓｉ含量须控制在０．１５％以下；Ｃ不产生明显偏析，但为碳化物析出准备了条件，为防止热裂纹产生，较高的含Ｃ量须与其它元素适当配合；Ｃｒ、Ｍｏ两元素适当配合对堆焊金属抗热裂纹能力不产生有害影响．     

一阶非线性中立型方程非振动解的渐进性

本文研究了一阶中立型非线性方程在允许ｃ＿ｉ（ｔ）（ｉ＝１，２，…，ｍ）振动且的条件下非振动解的渐进性，其中δ＝±１，证明（Ｅ）＿＋最多有Ｓ（０，０）和Ｓ（ｂ，ａ）两种类型的非振动解；（Ｅ）＿最多有Ｓ（０，０）、Ｓ（ｂ，ａ）和Ｓ（∞，∞）三种类型的非振动解。     

交换子的一个注记

证明了 Ｃａｌｄｅｒｏｎ Ｚｙｇｍｕｎｄ 奇异积分算子交换［ ｂ ， Ｔ］ 的 Ｌ∞到 Ｂ Ｍ Ｏ 的有界性，当ｂ ∈ Ｂ Ｍ Ｏ；同时证明了极大算子交换子［ ｂ ， Ｍ］ 的 Ｌ∞到 Ｂ Ｍ Ｏ 的有界性，当ｂ ∈ Ｍ Ｂ Ｍ Ｏ     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

Tb^3＋,Ce^3＋离子在Al6Si2O13中的光致发光

采用溶胶－凝胶法合成了以Ａｌ６Ｓｉ２Ｏ１３为基质，掺杂Ｔｂ＾３＋，Ｃｅ＾３＋的发光材料。经ＸＲＤ结构分析表明，晶体结构属于正交晶，其晶胞参数为ａ＝０．７５９５ｎｍ，ｂ＝０．７７５６ｎｍ，ｃ＝０．２８８２ｎｍ。     

共掺杂痕量Bi~（3＋）的Sr_2SiO_4：Eu~（3＋）等发光体中Bi~（3

共掺杂痕量Ｂ能使Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ３＋．ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋发光强度明显增强．使用高温灼烧、高温高压及溶胶—凝胶共沉淀三种方法制备了样品，研究了此发光体中共掺杂痕量Ｂ对ＥＵ３＋离子的能量传递机理．发现与大多数稀土离子能量传输方式—共振方式不同，Ｂ对ＥＵ３＋的能量传递是通过再吸收的方式进行的．     

超薄基区SiGe HBT基区渡越时间模型

通过分析ＳｉＧｅＨＢＴ超薄基区中非平衡效应对载流子温度,扩散系数等参量的影响,建立了超薄ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间模型。     

热历史对Sialon／SiC_（p）复合陶瓷的相稳定性及力学性能的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性（ＫＩＣ），原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化．相对而言，Ｙｂ２Ｏ３可有效稳定α相，因此Ｙｂ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中含有许多等轴状α晶粒，高硬度是此种材料力学性能的显著特征．     

硫酸中Ti／RuO2阳极性能研究

本文用ＳＥＭ观察了Ｔｉ／ＲｕＯ２电极的表现形貌，考察了该电极在２．５Ｍ Ｈ２ＳＯ４中不同温度下的使用寿命，测定了不同温度下的极化曲线，并求出其动力学参数ａ、ｂ、ｉ。     

CMOS和BIOS的区别

ＣＭＯＳ是微机主板上的一块可读写的ＲＡＭ芯 片，主 要用来 保存当 前系统 的硬件 配置和 操作人 员对某 些参数 的设 定 ＣＭＯＳＲＡＭ芯片由系统通过一块后备电池供电，因此在关机状态后信息也不会丢失。由于ＣＭＯＳ ＲＡＭ芯片本身只是一块存储器，只具有保存数据的功能，所以对ＣＭＯＳ中各项参数的设定要通过专门的程序。目前多数厂家将 ＣＭＯＳ设置程序做到了 ＢＩＯＳ芯片中，在开机时通过按下某个特定键就可进人 ＣＭＯＳ设置程序而非常方便地对系统进行设置，因此ＣＭＯＳ设置又通常被叫做ＢＩＯＳ设置。 所谓ＢＩＯＳ，实际…     

热历史对Sialon／SiC（p）复合陶瓷的相稳定性及力学的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－ＳＡｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差异，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性，原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化。     

水热合成BaTiO3薄膜及其微观结构分析

利用水热反主尖，成功在地１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射谱发现：薄膜呈多层结构，退火前为立为ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔｉ／Ｓｉ，退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。