InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布, 但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小; 而在施加阶跃漏端电压时, 散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间, 降低了器件的截止频率。     

自洽法计算非晶硅的带隙态密度

本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10~(16)cm~(-3)·eV~(-1)。     

栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响

用根据实际制作的有机静电感应晶体管（OSIT）建立物理模型,Matlab软件中的偏微分工具箱通过有限元法对有机静电感应晶体管特性进行解析,着重分析栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响,特别是沟道电势分布的影响.结果表明,调节栅源距离能有效控制沟道势垒高度,从而影响载流子的传输.     

非对称型集成门极换流晶闸管(IGCT)在PISCES-2ET软件平台上器件模拟

运用PISCES-2ET软件对非对称型集成门极换流晶闸管进行器件模拟,给出了器件的杂质浓度、电子和空穴浓度和电势的二维和三维分布;通过模拟结果来验证设计是否合理,对下一步设计器件的物理参数和结构参数起到指导作用。     

高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理

针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,而是产生了界面态;栅氧化层电荷没有变化,使阈值电压基本不变,而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化.电场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因,较长的p型缓冲区可以改善沟道区的电场分布,降低碰撞电离率,从而有效地减弱热载流子退化效应.     

异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型

针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGaZnO TFT表面电势解析模型。该模型的拟合参数只有2个,能够较好地反映介电层厚度、沟道电压等参数对电势的影响。基于所建模型及TCAD分析,研究InGaZnO层厚度、栅介质层厚度以及缺陷态密度等物理量对独立栅控双栅晶体管表面电势的影响。研究结果表明:在亚阈区,表面电势随着底栅电压增大呈近似线性增大,且在顶栅电压调制作用下平移;在导通区,表面电势随着底栅电压的增加逐步饱和,且电势值与顶栅调制电压作用相关度小。表面电势的解析模型与TCAD数值计算结果对比,具有较高的吻合度;在不同缺陷态密度分布情况下,电势模型的计算值与TCAD分析值相对误差均小于10%。本研究成果有利于了解双栅InGaZnO TFT的导通机制,可用于InGaZnO TFT的器件建模及相关集成电路设计。     

全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型

针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.     

元素氧化还原能力的另一种表示方法——稳定态参比电势图

表示元素氧化还原能力常用的有两种方法:一是元素的电势图,另一种是伏特当量自由能-氧化态图.在此提出一种稳定态参比电势图,并对稳定态参比电势图的含义和应用进行研究,该方法具有其他两种方法没有的优势.     

对导体球外电势和场强分布的研究

对置于匀强电场中导体球周围空间的电势和场强分布给出了定量描述,其电势分布为在原匀强场基础上叠加了一个感应偶极子的电势;利用场强与电势的关系式,导出了电场强度的数学表达式,并在径向和切向对其分布进行了详细讨论。     

SITH耐压容量的控制和调节

分析了SITH结构的掺杂电阻率、N－基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响，分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅－阴极击穿电压的影响，讨论了如何进行正向阻断电压和栅－阴极击穿电压的控制和调节。     

α-Ala分子限域在螺旋型SWBNNT(10,5)与水复合环

采用量子力学与分子力学相结合的ONIOM(MP2/6-311++G(3-df,3pd): UFF)//ONIOM(B3LYP/6-31+G(d,p): UFF)方法, 研究α-Ala分子在SWBNNT(10,5)与水复合环境下基于氨基作为H转移桥梁的手性转变机制. 结果表明: 手性转变反应有2个通道a和b, 反应通道a以氨基作为H转移桥梁, 反应通道b依次以羰基和氨基作为H转移桥梁, H迁移能以1个或2个H₂O分子为媒介实现; a通道的最高能垒来自H从手性碳向氨基转移的过渡态, 以2个H₂O分子作为H转移媒介时, 高能垒降为126.5 kJ/mol, 远小于单体在a通道的能垒266.1 kJ/mol; b通道的最高能垒来自H从手性碳向羰基转移的过渡态, 以2个H₂O分子作为氢转移媒介时, 高能垒降为155.6 kJ/mol, 远小于单体在b通道的能垒319.9 kJ/mol. 即SWBNNT(10,5)与水复合环境对α-Ala分子的手性转变反应过程具有较好的催化作用.     

静电感应晶闸管(SITH)的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的长期工艺实践为基础，总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响，并分析了其原因，提出了改善ＳＩＴＨ器件性能的工艺和设计方法。     

重离子熔合反应的动力学势垒

用改进的量子分子动力学模型研究了与入射能量相关的重离子熔合反应^86Kr＋^100Mo的动力学势垒．在库仑势垒附近。随着入射能的降低可以观察到动力学势垒的最低值，这个最低动力学势垒与绝热势垒非常接近；另一方面，动力学势垒随着入射能的增加而升高，最终接近于静态势垒（非绝热势垒）．发现颈部的形成和体系的动力学形变是促使动力学势垒降低的主要原因．基于动力学势垒的研究，对于重离子熔合反应的势垒贯穿给出了一种全新的解释．     

导电介质中磁感应电场和电流分布的有限元法求解

根据Ｗａｎｇ和Ｓｏｌｏｍａｎ等人的思想，用有限元方法计算了均匀各向同性、均匀各向异性、非均匀各向异性及外加非均匀磁场导电介质的磁感应电场和电流分布．所得结果与其它分析方法所得结果一致．     

^18O＋^148Nd的准弹性碰撞研究

用Ｑ３Ｄ磁谱仪及其焦面探测器系统，９０．７２ＭｅＶ处测量了＾１８Ｏ＋＾１４８Ｎｄ的弹性散射和非弹性角分布，并利用ＤＷＢＡ和耦合反应道计算程序ＦＲＥＳＣＯ对实验结果进行了拟合。结果表明在弹性散射分析中，引入极化势的ＤＷＢＡ怀耦合道计算有类似的结果。另外，还讨论了非弹性散射激发过程中的核－库仑激发的相干效应，得出了描述相干强度的近似因子。     

板式电除尘器中粒子谱变化的矩量法估计

采用矩量法讨论了荷电多分散气溶胶粒子谱在除尘通道中的演化特征,得到了粒子在除尘器中的连续分布情况,计算了粒子谱分布随除尘通道长度和板距变化的情况.结果指出,小粒子和大粒子在通道前端即得到捕集;通道中的粒子谱将一直保持进口处的分布形态.模拟结果还发现,除尘通道增加到一定长度后,分级效率将逐渐稳定;而无论板间距如何变化,粒子捕集效率和通道中粒子谱的演化方式都基本上不会发生改变.     

注超临界气体井筒温度压力场计算方法

根据传热学、热力学和垂直管流理论 ,建立了注超临界气体井筒温度压力分布的数学模型 ,提出了节点解析法、数值差分法以及焓插值法 3种求解方法。对辽河油田静 35块高凝油注不同介质现场效果进行的对比计算结果表明 ,在 0～ 6 0 0m井深时 ,井筒温降很大 ,随井深的增加 ,温降逐渐变小 ,温度趋于稳定 ;压力随井深的增加逐渐变为线性增加。利用节点解析法和焓插值法计算均能得到满意结果 ,其中解析法结果最为准确 ,而用数值差分法求得的温度偏高、压力偏低     

一维溃坝涌波的特征线-激波装配法

基于特征线上的相容方程和激波点处的间断条件,构造了一维溃坝涌波的一种拟合计算的显格式,并进行了一维矩形断面水坝瞬间全溃洪水波演进的数值模拟.数值模拟结果与理论解的比较表明,这种方法精度高,很好地模拟了溃坝涌波和展示了溃坝波的运动特性,是研究溃坝涌波一种高精度的数值模拟方法.