片上螺旋电感的一种新增强型单π模型

针对片上螺旋电感提出了一种新型增强型单π等效电路模型.在宽频范围内,该模型仿真数据和HFSS中电磁仿真数据呈现出很好的拟合结果.所提模型充分考虑了高频下的衬底耦合效应、趋肤效应和邻近效应,基于电磁仿真得到的Y参数,采用拟线性函数法和二端口网络分析法来解析提取电路元件参数值,且所提参数无需进行优化.将各元件参数值应用于该对称单π等效电路,在0~20 GHz范围内可以精确地模拟片上螺旋电感各参数随频率变化的特性,从而验证了等效电路模型的准确性.     

抗过载片上集成MEMS悬浮螺旋电感

 针对微机电系统(MEMS)悬浮电感机械性能较差问题,设计了一种应用于高过载环境的片上集成MEMS 悬浮螺旋电感。通过采用一种新颖的阶梯式螺旋线圈结构,有效减小了悬浮线圈在高过载环境中的变形与应力。利用ANSYS 和HFSS 软件对设计的电感力学性能和射频性能进行联合仿真。仿真结果表明,采用阶梯式螺旋线圈的MEMS 悬浮电感的抗过载能力比采用等截面线圈的传统MEMS 悬浮电感提高了近3 倍,并且具有相当的射频性能;与增加了支撑柱的等截面MEMS 悬浮电感相比,所设计的MEMS 悬浮电感具有与之相当的力学性能,但是其射频性能明显优于增加了支撑柱的电感。     

平面螺旋电感的设计、制备和参数提取

设计和制备了一组6个平面螺旋电感,测量了其S参数,并基于电感等效电路提取了电感量和Q值等参数,对实验结果进行了详细的研究和分析,得出了一系列有用的结论.     

片上电感的研究

片上电感是射频集成电路中必不可少的元件。通过讨论了影响电感品质因数恶化的因素,如趋肤效应、邻 近效应和涡流损耗等］对片上电感的单∏和双∏集总参数模型进行了分析比较,分析了多种优化方案,并提出了 提高片上电感Q 值的研究方向。     

片上电感的研究

片上电感是射频集成电路中必不可少的元件。通过讨论了影响电感品质因数恶化的因素，如趋肤效应、邻近效应和涡流损耗等，对片上电感的单П和双П集总参数模型进行了分析比较，分析了多种优化方案，并提出了提高片上电感Q值的研究方向。     

一种CMOS集成MEMS片上螺旋电感设计与仿真

 设计了一种与CMOS工艺兼容的MEMS片上螺旋电感。电感为矩形平面螺旋线圈结构,并采用电导率较高的铜代替铝制作线圈。利用MEMS技术设计了厚金属线圈,同时在CMOS级低阻硅衬底中刻蚀空腔,减小了线圈的串联电阻和衬底损耗,提高了电感的Q值。设计了与CMOS工艺相兼容的低温MEMS工艺和基于该工艺的1nH电感模型。使用HFSS软件对该电感模型进行仿真,结果表明,该电感在仿真频率为6.6GHz和10GHz时Q值分别达到了22.37和20.74,且自谐振频率大于20GHz,较传统的CMOS片上集成电感有明显改善;同时随着电感线圈厚度的增加,电感的Q值增加,而电感值(L值)则减小,且在仿真频段内电感值的变化小于5.5%。     

MOSFET模型参数提取系统

应用电路分析程序SPICE的一个先决条件是要给出晶体管的各种模型参数.模型参数的精度,在很大程度上决定电路分析的精度.快速确定晶体管模型参数是在生产中监控集成电路的性能和成品率的重要手段之一.此外,模型参数的自动提取还可以为建立版图尺寸、工艺条件、模型参数等几个方面的数据库起重要作用.所以,模型参数的自动提取系统是电路和集成电路工艺的计算机辅助设计、分析的重要工具. MOSFET模型参数提取系统经过一个直接测量的方法,可靠、迅速、有效地提取出MOSFET模型参数.整个系统包括硬件和软件两大部分.硬件的功能是利用IBM-PC个人计算机自动产生对被测器件所需要的控制电流、电压信号,通过逐点扫描的方法将被     

时域有限差分算法与遗传算法在平面螺旋电感设计中的应用

文章通过电磁场时域有限差分(FDTD)算法与遗传算法(GA)相结合进行平面螺旋电感设计。通过优化单元网格大小，可优化设计整个平面螺旋电感（包含空气桥）的结构尺寸。介绍了该方法既能够进行严格的电磁场求解，又可以避免繁杂的实验过程，是优化设计的一种有效而准确的手段。     

IGBT模型参数提取方法研究

基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路,对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数:栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导电面积,进行了讨论并提出了推导方法.     

GEMTIP模型的广义趋肤深度计算及极化参数提取

在电磁探测过程中,感应场和极化场并存,如果不考虑介质的极化效应,成像结果存在明显误差,为此,基于平面波理论和广义诱导极化有效介质理论GEMTIP(Generalized Effective-Medium Theory of Induced Polarization)模型,在频域上推导了GEMTIP模型的广义趋肤深度公式。通过与经典趋肤深度的比较,验证了GEMTIP模型的广义趋肤深度的准确性。GEMTIP模型的广义趋肤深度计算主要与电阻率及体积分数有关。采取BP(Back Propagation)神经网络反演方法进行参数提取,通过构建合理的数据样本集,使训练误差达到精度要求,得到输入输出数据之间的映射关系。讨论了几种典型的三层地质模型结构,在考虑极化效应时,验证GEMTIP模型的广义趋肤深度公式提高了地下极化介质的识别精度。     

基于遗传算法的半导体器件模型参数提取

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。     

单片微波集成电路中的元件参数的提取

单片微波集成电路（MMIC）中集总元件和MESFET管的模型是微波电路CAD的关键,在确定电路模型后,为要进行正确的设计,还必须知道模型中各元件的参数。在给出了MMIC集总元件9种可能的等效电路形式,已知S参数与频率的关系后,可以确定集总元件应选用的最佳等效电路形成;推导了由S参数提取上述集总元件和管芯等效电路中各元件参数的方法,编制了相应的程序,为确保计算得到和各元件值的误差最小,在程序中用最小二乘法对计算结果进行了优化处理;推导了各参数在最小二乘意义下的最佳值;对各元件的计算结果分别进行了高精度的搜索比较,以使计算结果有最小偏差,计算实例证明了编制的程序可达到较快的运算速度和较高的计算精度。     

LSDBL模型的Yule-Walker型差分方程及参数的矩估计方法

时间序列分析中,Yule-Walker差分方程在模型识别和参数估计中起着非常重要的作用.在相当一般的条件下,导出了LSDBL(p,0,r)模型输出序列的二、三阶矩所满足的Yule-Walker型差分方程,这些结果足以用来辨识该模型.在此基础上,提出了该模型参数的矩估计方法.仿真计算验证了该理论和方法的正确性和可行性.利用这些结果,还分析了一个实际数据例子.     

无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器

物联网设备的数量将在不久的将来得到快速增长。延长电池寿命、提高信号动态范围是物联网通信系统射频前端的主要关注点。为解决射频前端功耗和线性度的问题,提出了一种改进型的吉尔伯特混频器。相比于传统吉尔伯特混频器,该混频器在跨导级采用工作在亚阈值区的PMOS/NMOS互补结构,结合了电流复用技术和导数叠加技术,实现了功耗和线性度的折中;并采用交叉电容耦合形成负阻抗,抵消了寄生电容的影响,从而在低功耗情况下提高了线性度。基于HHNEC 0.18 μm BiCMOS 工艺后仿真结果表明,该混频器在射频频率0.4~3 GHz时转换增益为6.2~7.6 dB, 在2.4 GHz频率下输入三阶交调点(input third-order intercept point,IIP3)为14.96 dBm,在电源电压为1 V的情况下功耗为1.8 mW。该混频器核心电路尺寸为460 μm × 190 μm。与相关工作对比,该混频器具有低功耗、高线性度的特点。     

用平面电磁场模拟有衬底损耗CMOS上的螺旋电感

讨论CMOS工艺上设计螺旋电感的一些问题.用以平面电磁场理论为基础的Moments方法来模拟螺旋电感,用测量得到的S-参数来验证模拟结果.     

晶体管模型参数提取的一种新方法

本文对一般半导体器件模型参数提取提供了一个有效且可靠的方法,着重分析了一个类似于EM3模型的双极性晶体管高频线性增量模型进行参数提取的全过程,同时提出了各种辅助措施以使参数提取工作更加有效和精确.克服了以往方法中收敛结果对参数初值非常灵敏及迭代速度缓慢的缺点,从而扩大了参数初值的选取范围,提高了参数提取效率。使参数初值选择得偏离最佳点在250%左右范围内,都能收敛到该最佳点.在IBM-PC机上调试,通过了参数的提取程序.最后给出3个算例,并与文献中的方法进行了比较.     

GaAsMESFET模型参数自动提取方法的研究

提出了一种基于ＰＳＰＩＣＥ４．０２通用电路模拟程序与优化技术相结合提取ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ模型参数的方法，根据实例的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小信号Ｓ参数与大信号Ｓ参数，利用约束优化技术提取模型等电路元件参数，并利用该电路模型参数设计制作１了３．７ＧＨｚ－４．２ＧＨｚ和５．２ＧＨｚ＝－５．８ＧＨｚ ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ放大器，给出了设计和测试结果并验证了该方法的正确性。     

音频贝叶斯谐波模型中参数的提取

由于音乐信号具有暂态特性、夹杂噪声、且它的基频在频域上具有复杂的结构,因此分析音乐信号是一项复杂的工作.本文在分析音乐信号时引入了音频贝叶斯谐波模型,并在此基础上提出了一个基于贝叶斯谐波模型的简化模型,然后采用可逆跳转蒙特卡罗(RJMCMC)采样算法对此模型中基频参数和谐波幅度进行了估计,仿真结果表明该算法取得了较好的效果.     

SPICE中MOS2模型参数的提取

本文提出了SPICE自治法,用来检验提取参数的算法,并说明了自治法的合理性。报导了提取几种参数的算法,包括用CHEBYSHEV拟合法去除串联电阻的影响;由单一衬底偏置的I-V数据提取GAMMA、PHI等电学参数;以及提取饱和速度参数。所有这些算法都经过程序验证。     

多芯片模块二维互联线分布电感电阻参数提取算法

研究了多芯片模块（ＭＣＭ）中二维互联线的分布电感电阻参数提取算法，在横向电滋波近似下对典型二维互联线（多线带线和多线微带线）的分布参数进行了分析，并在趋肤效应和邻近效应影响较大的数十至数百ＭＨｚ的频率范围内应用边界元方法对互联线中的似稳态磁场进行了求解，得到不同频率下传输线模型的单位长度电感、电阻等参数，其中电感参数为包括互感的矩阵参数，并将互联线导体对邻近导体分布参数的影响进行了计算。