铝—K壳层电离截面的测量

叙述了质子轰击名靶原子Ｋ壳层电离截面的测量,文中给出了实验原理,方法和结果,并与计算做了比较,还进行了讨论。     

电子、质子轰击核靶原子K壳层的电离截面初步计算

介绍了利用电子、质子分别轰击核靶原子K壳层电离截面的计算方法，给出了摸（Mg）、铝（Al）、钙（Ca）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、铬（Cr）等核靶的计算结果。最后进行了简要讨论。     

电子、质子轰击核靶原子K壳层的电离截面初步计算

介绍了利用电子，质子分别轰击靶原子K壳层电季截面的计算方法，给出了镁（Mg),铝（Al)，钙（Ca),钪（Sc)，钛（Ti),钒（V），铬（Cr)等核靶的计算结果，最后进行了简要讨论。     

电子碰撞K壳层电离截面的理论研究

基于相对论的电子离子碰撞的K壳层的电离截面理论,计算了原子C、Al、Ca、Ti、Cu、Ge、Mo、Ag、Au、Pb电子离子碰撞电离截面,并分析了其随入射电子能量和电子温度的变化趋势,所得的计算结果和其它理论值和近期的文献实验数值进行了比较,计算结果可为Kα光子产额与超热电子数额和能量模拟提供原子参数.     

质子激发K壳层电离截面的测定

通过测量质子轰击固体薄靶产生的特征X射线和卢瑟福散射粒子,确定了在1.6-2.4MeV能区内质子激发Ag、Cu、Ni等元素的K壳层电离截面,测量误差约为10%。用OPSSR、PWBA等模型做了相应的计算,OPSSR计算结果与实验符合得较好,PWBA计算结果与实验相比有一致性偏高。     

铝—K壳层电离截面的测量

叙述了质子轰击铝靶原子K壳层电离截面的测量。文中给出了实验原理、方法和结果,并与计算做了比较,还进行了讨论。     

电子碰撞Ag的L壳层电离截面的测量

作者用Si(Li)探测器测量了能量为5～2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面；用Monte Carlo方法计算的电子反射能谱，修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响．作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较．     

原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析

作者使用^241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法，对四川大学原子核科学技术研究所的2．5MeV静电加速器进行了能量刻度，并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列A1衬底金属薄靶的厚度，所测结果与称重法进行了比较，作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中，取得了满意的结果。     

Xe原子与H2分子碰撞的散射截面计算

本文使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似方法计算了惰性气体Xe与H2碰撞的散射截面, 并对计算结果进行了讨论, 总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

慢电子与高Z原子Xe、Rn碰撞总截面和动量转移截面的计算

本文采用Roothaan-Hartree-Fock波函数,运用等效势模型,并使用不含任意参数的交换势计算了0.1-30eV的慢电子与高Z原子Xe、Rn弹性碰撞的总截面和动量转移截面。对于Xe原子我们的计算结果与实验数据符合的比较好,对于Rn原子我们的计算结果和其他理论计算结果数据总的趋势是一致的。但至今尚未见有实验结果的报道,仍需以后实验来验证。     

He-N2碰撞体系分波截面的理论计算

运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。     

不同能量Kr原子与同位素分子H_2(D_2,T_2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子Kr与H2及其同位素D2,T2″替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响。     

类氢离子基态,激发态的电子碰撞电离截面及系统学规律研究

利用扭典波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对类氢离子Ｈｅ＾＋，Ｃ＾５＋，Ｏ＾７＋。Ｎａ＾１０＋，Ａｌ＾１２＋，Ｃｌ＾１６＋，Ｆｅ＾２５＋，Ｃｕ２８＋等离子的基态及激发态的电子碰撞电离截面进行了计算。在此基础上研究了电离截面随入射电子能量和靶电荷变化的系统学规律，首次对类氢等电子系离子给出了精度较高的电离截面拟合公式和相应的拟合参数，对于快速获得大量电离截面以满足一些高技术项目的需要有重要的实用意义。     

He-H2(D2,T2)碰撞(E=0.2eV)分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势函数研究了He-H2(D2，T2)碰撞体系，用量子力学研究上述体系的弹性和非弹性转动激发，当入射原子能量E=0．2eV时，采用密耦方法计算了分波截面。