热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

稀磁半导体Zn—xMnxSe／GaAs外延膜光学特性研究

研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜,通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明,晶体的质量取决于Mn的含量,随着Mn的含量的增高,晶体的质量下降。     

Te溶液生长半磁半导体Cd1—xMnxTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ时固－液界面的稳定性，并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用Ｃｄｔｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ＾２，厚度￣０．４ｍｍ，分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件。     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

Te溶液生长半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe时界面稳定性的讨论

用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ_（１Ｍｎ_ｘＴｅ时固－液界面的稳定性．并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用ＣｄＴｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了ＣｄＭｎＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ￣２，厚度～０．４ｍｍ．分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件．     

聚酰亚胺（PI）LB膜中长链单轴取向排列的AFM研究

采用ＡＦＭ来研究聚酰亚胺（ＰＩ）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｏｌｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜中长链取向排列的技术条件。首先获得了清晰的，稳定性很好的ＰＩ ＬＢ单／双层膜的ＡＦＭ图像，并对ＰＩＬＢ膜中分子水平的微结构进行了分析，随后比较了形成ＰＩＬＢ膜的两种亚胺化工艺，即溶液亚胺化方法和热亚胺化方法对大面积内分子取向排列的影响，为进一步改善工艺条件以尽早将其投入实用奠定了初步基础。     

FeCl3,Pb（NO3）2对n—ZnxCd1—xTe光电极的修饰

对n-ZnxCd1-xTe为基的光电化学电极进行FeCl3,Pb(NO3)2的修饰，消除了光电极在1M NaOH 1MS 1M Na2S多硫溶液中的钝化现象，电池效率可达10．2％，通过光谱响应，循环伏安曲线等的研究，探讨了FeCl3,Pb(NO3)2对电极的修饰机理以及与电池稳定性的关系。     

LB膜的原子力显微镜观测：从微米至分子量级

应用原子力显微镜（ＡＦＭ）直接观测沉积在固体表面的硬脂酸ＬＢ膜微观结构，范围从微米－纳米－分子量级．ＡＦＭ图象直接表征了膜的表面形貌、微观结构以及膜中存在的缺陷．实验中首次获得了较清晰、重复性好的硬脂酸分子结构ＡＦＭ图象．将ＡＦＭ探针作工具，通过增大针尖与样品间的作用力和控制扫描方式，有能力在ＬＢ膜表面微区进行直接的细微划刻，产生出特定的图形．实验中利用该方法直接测定了单分子膜的厚度．     

(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究

通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２,制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明,材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系,每增加 ｍｏｌ比１％的 Ｐｂ,将使居里温度提高约 ５℃．而随着测试频率的增加,居里温度与温度系数基本不变,但介电常数却略有下降．通过对ＰＳＴ系样品热释电性能的测量,可知材料的热释电系数约在 １０－３Ｃ／（ｍ２· Ｋ）量级．