基于蓝色热活化延迟荧光材料制作的用于固态照明的高效有机发光器件

文章讨论了采用真空热蒸镀的方法制备了适用于夜间照明的有机发光器件.器件选用热活化延迟荧光材料DPEPO作为发光层主体材料,热活化延迟荧光材料DMAC-DPS作为蓝光掺杂剂,PO-01作为橙光发射的磷光掺杂剂.器件结构为ITO/TCTA(20 nm)/DPEPO:x%DMAC-DPS:0.6%PO-01(15 nm)/TAZ(20 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm).通过改变DMAC-DPS的掺杂浓度来研究器件性能的变化.实验结果表明:当x=20时,器件的最大电流效率可达26.19 cd/A,最大功率效率可达7.47 lm/W,最大亮度可达4 619 cd/m~2,器件的发光效率较高.     

基于N-BDAVBi的非掺杂高效蓝色OLEDs

采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB( 10 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN(7 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN (7 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0....     

复合电子传输层结构非掺杂的蓝色有机荧光电致发光器件

采用TPBi/Alq3作为复合电子传输层,制备了发光层非掺杂结构的蓝色有机荧光电致发光器件.器件的最大电流效率为3.0 cd/A,对应的发光亮度为6 178 cd/m2,发光色坐标位于(0.167,0.161).器件的最大发光亮度为14 240 cd/m2.电压从6 V增加到14 V过程中,器件的色坐标变化量ΔCIExy仅为(0.001,0.002).通过插入的激子探测层研究发现,器件的激子形成区域主要位于DOPPP/TPBi界面处.     

调整空穴注入层MeO-TAD厚度改善蓝色OLED的性能

主要介绍结构为MeO-TAD(xnm)/NPB(40nm)/DPVBi(30nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0nm、1.0nm、1.5nm、2.0nm变化,其它层保持不变.当x=2nm时,其器件性能最好,在15V时亮度达到最大,为5876cd/m2.器件的开启电压较低,在5V的驱动电压下亮度达到10.5cd/m2,器件在8V电压时电流效率达到最大,为3.22cd/A;且器件的色坐标稳定,在5V到13V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.     

通过改变电子传输层TPBi的厚度获得高效率的有机电致蓝色磷光发射

文章讨论了通过改变电子传输层TPBi的厚度,使结构为ITO/Mo O3/NPB/MCP:Firpic/TPBi/Li F/Al的有机电致蓝光器件的效率获得了较大的提高.实验过程中,使Mo O3、NPB、MCP:Firpic层的厚度分别固定在10、40、30 nm不变,改变TPBi的厚度,使TPBi的厚度分别取35、40、45、50、55 nm.研究发现,当TPBi厚度为45 nm时,在不同电流密度的情况下,器件的电流效率均较大,在电流密度较低时,最大电流效率达到16.9 cd/A.这一结果表明了载流子的注入平衡仍是提高器件发光效率的有效手段.     

基于FirPic的蓝色有机电致磷光器件

利用真空蒸镀的方法,制备了结构为ITO/NPB(20 nm)/MCP(3 nm)/MCP:Firpic(z%,x nm)/TPBi(10nm)/Alq3(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了不同掺杂浓度(z=5,8,10和12)和不同厚度(x=5,10,15,20和25)对器件性能的影响.首先确定MCP:Firpic层的厚度为5 nm,调节掺杂浓度.结果表明当掺杂浓度为10%时,器件的效率和亮度都为最大.驱动电压为8 V时,最大电流效率为6.996 cd/A;驱动电压为15 V时,最大亮度为10 064 cd/m2.在10%的掺杂浓度下,调节MCP:Firpic层的厚度.当厚度为20 nm时,器件的性能较好.驱动电压为13 V时,电流密度为2.248 mA/cm2,效率为10.35 cd/A;驱动电压为21 V时,电流密度为304.16 mA/cm2,亮度为21 950 cd/m2.     

新型顶发射有机电致白光二极管的研究

为了提高顶发射白光有机发光二极管(top-emitting white organic light-emitting diodes,TWOLEDs)色谱稳定性，对一种拥有Ag反射镜的新型双蓝光发光单元顶发射器件展开研究，发现结构为Ag/Glass/ITO/MoO₃(5nm)/TAPC(30nm)/TCTA(5nm)/Firpic:TCTA(10%,20nm)/Firpic:TmPyPb(10%,10nm)TPBi(30nm)/LiF(1nm)/Al(0.8nm)/Ag(22nm)/Alq₃(50nm)的蓝光器件具有最佳光电性能，其最高电流效率可以达到9.76cd·A^-1。基于该结构，结合DCJTB荧光染料制备的颜色转换层实现顶发射白光器件。结果表明，当颜色转换层DCJTB浓度为2.5%时，获得了电流效率为2.45cd·A^-1，CIE色坐标为(0.338,0.337)以及显色指数CRI为72的TWOLEDs，器件微腔效应较弱且光谱随电流密度与观测角度改变仅有微弱变化。     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.     

选择不同主体材料改善有机电致红光器件性能

文章讨论了分别利用(4,4,-bis-triphenylsilanyl-biphenyl)BSB;(1,4-bis(triphenyllsily)benzene)UGH2;(1,3-bis(9H-carbazol-9-yl)benzene)MCP三种不同的主体材料制备有机电致红光器件.所用的器件结构为:ITO\Meo-TPD(30 nm)\NPB(20 nm)\MCP:Ir(piq)3(5%:20 nm)\BCP(5 nm)\TPBi(40 nm)\LiF(1 nm)\Al,主体材料为MCP时,主客体之间的LUMO能级之差较小,该组器件的亮度最大,当外加电压达到16 V时,器件的发光亮度为4514cd/m2.当以BSB为主体材料时,主客体之间的的HOMO能级之差ΔH较大,器件的漏电流较小,相应的发光效率较高,当电压为7 V时,器件的最大电流效率为3.30 cd/A.     

9,9’-bianthrancene为发光层的蓝色OLED的研究

报导了蓝色有机电致发光材料9,9'-联二蒽(9,9'-bianthracene,简称BA)作为发光层,研制了结构为ITO/PVK:TPD/BA/Alq3/Al的蓝色有机发光器件.对该器件的发光及电学性能进行了研究.启亮电压约为12 V,在24 V外加电压下亮度达到最大值2 433 cd/m2.     

基于DSA-Ph高效率色稳定的蓝色荧光有机电致发光器件

采用蓝色荧光有机染料DSA-Ph作为客体材料,将其掺入主体材料BUBH-3中,制备了高效率色稳定的单发光层掺杂结构的蓝色有机荧光器件.当DSA-Ph掺杂质量比为3 wt.%时,器件的最大电流效率4.17 cd/A,对应色坐标为(0.161,0.286),亮度为5 038 cd/m2.当电压为14 V时,器件的最大亮度为16 160 cd/m2.另外,亮度从907 cd/m2增加到14 680 cd/m2过程中,其色坐标从(0.163,0.287)到(0.159,0.281),变化量ΔCIExy仅为(0.004,0.006).     

激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响

制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3（发射绿光）/Alq3：DCM（发射红光）/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光（Magneto-ElectroLuminescence,MEL）和磁电导（Magneto-Conductance,MC）.在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场（B50mT）效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼长的现象,表明激子复合区域随温度变化发生了移动.通过分析工作温度对器件各发光层中的三重态激子对间相互作用及载流子迁移率的影响,对双发光层器件中MEL的高场效应随温度的非单调变化进行了定性解释.实验结果进一步验证了在单发光层器件中得到的有机磁效应高场变化的相关结论.     

混合主体材料分布对白色磷光有机发光二极管器件光谱性能的影响

在具有双发光层结构的二元白光器件中,研究了混合主体材料的位置和混合主体与客体材料的不同组合对白色有机发光二极管(WOLED)器件电光特性和光谱性能的影响。通过实验,在简单的器件结构中,同时获得了高效率和高颜色稳定性的器件,最优器件的最大亮度为29 630cd/m~2,最大功率效率和电流效率分别为20.84lm/W和33.87cd/A。当电压在5～9V之间变化时,色坐标(CIE1931)为(0.37±0.01,0.44±0.01)。     

Electroluminescent property of tetrakis(phenyl)porphyrin carbonyl ruthenium(Ⅱ)

Luminescent tetrakis(phenyl)porphyrin carbonyl ruthenium (Ⅱ) (RuTPPCO) complex was employed as a doped emitting material to fabricate red organic electroluminescent (EL) devices. The EL device structure was [ITO/copper phthalocyanine (Cu-Pc) (15.0 nm)/N,N′-di(α-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4, 4′-diamine (NPB)(60.0 nm)/tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3):RuTPPCO (50.0 nm)/LiF (1.0 nm)/Al (200.0 nm)]. The codeposited films of Alq3:RuTPPCO were utilized as the emitting layer to construct EL devices. Experimental results showed that energy transfer from Alq3 to RuTPPCO occurred in the codeposited films. The EL property of the codeposited Alq3:RuTPPCO films with different RuTPPCO concentrations was described. For the EL device with the RuTPPCO concentration of 15% by weight, deep red electroluminescence at 656 nm with the maximum EL efficiency of 0.32 cd/A was achieved.     

半导体纳米材料CdSe/ZnS在显示器件中的应用

以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层, ZnO作为电子传输层, 用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料, 采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管, 并对其光学性质进行表征. 结果表明: 该器件发射黄光, 峰位为575 nm, 半峰宽30 nm, 最大发光强度2 000 cd/m²; 在较高的电流密度下, 该器件的电致发光效率无
明显衰减; 当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时, 可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.