三碱阴极量子产额谱的研究

本文讨论了Na_2KSb(Cs)光电阴极的量子产额。引进阴极结构参数P和单晶吸收系数α_p(hv),推导了半透明多碱阴极量子产额表达式。通过选择合适参数,求得的S_(20),S_(20R),S_(25),V_(aro),New S_(25)和LEP~*(＊法国电子学和应用物理实验室制备的三碱阴极)光电阴极的量子产额谱与实验完全一致。文中还计算了理想三碱阴极的量子产额。结果表明三碱阴极仍是很有发展潜力的实用光电阴极。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。     

锑化物光电阴极的量子效率

研究了晶粒间界对光电发射的影响，仔细考虑了在单位能量间隔内参与光跃迁的有效电子态密度和光电子逸出几率，提出锑化物阴极的光电发射模型，并导出了量子产额的表达式．借助电子计算机，计算了各种锑化物阴极的量子产额，理论和实验符合较好．     

多碱光电阴极单色光电流测试技术研究

多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素,介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电流,测得的曲线有助于分析和指导工艺,从中还可得到光电子逸出深度的信息。该文给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。     

S25系列光电阴极的光谱响应计算机拟合研究

该文根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式对Ｓ２５系列阴极（Ｓ２５１，Ｓ２５２，Ｎｅｗ Ｓ２５，Ｓｕｐｅｒ Ｓ２５）的光谱响应曲线进行了计算机模拟，得到了这些阴极的有关特性的内在机理与可能采用的工艺处理方法。     

基于光谱响应测试的光电阴极性能评估

NEA光电阴极性能评估的目的就是求出NEA光电阴极有关特性参数,从而进一步分析光电阴极性能优劣的原因。动态光谱响应测试技术为NEA光电阴极的制备及其性能评估提供了实时直观的参考,是获得高性能光电阴极的重要保证。本文通过对NEA光电阴极光谱响应的在线测试,采用曲线拟合方法,实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。     

激光驱动的钠钾锑光电阴极的光电发射特性

报告了作为高亮度电子注入器的钠钾锑光电阴极在ＹＡＧ激光（λ＝１．０６μｍ，脉冲宽度为５０ｐｓ）作用下的亚阈值光电发射，其为２光子发射。研究了阴极的光电发射限制问题，从实验上证明在激光能量比较大极间电压比较低时，阴极受空间电荷限制。     

超Ⅱ代像增强器光电阴极成分控制原理研究

研究用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度与成分，并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应，则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应约在１２０ｎｍ，即峰值ＢＭ３出现后Ｊ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（Ｒｍｌ，Ｒｍ）和（Ｒｍ，Ｒｍ２）确定ｎ、ｋ值及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律，可通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

多碱阴极光谱响应监控研究

该文介绍了在一代像增强器多碱阴极制备过程中，对其光谱响应进行连续监控的装置、试验结果等，并作了简单的分析。研究结果表明，Ｎａ２ＫＳｂ材料在制备过程中一直是一种稳定的ｐ型半导体，随着Ｎａ２ＫＳｂ膜层厚度的增加，其峰值响应波长向长波方向移动，白光灵敏度也相应提高；锑、铯交替降低了Ｎａ２ＫＳｂ的电子亲和势，延伸了光谱响应的长波阈值；锑、铯交替的表面处理是最终获得高灵敏度多碱阴极的关键。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。     

CsI/Ni/LiF光电发射特性研究

本文用 H_2水冷毛细管真空紫外辐射源对 CsI/Ni/LiF 半透明真空紫外光阴极进行了测试研究,得出该光阴极的伏安特性曲线,光阴极厚度与光电发射关系;测出真空紫外辐射源的工作特性.通过测试与计算得出 CsI/Ni/LiF 半透明光阴极的量子产额,利用对照测试法指出该阴极具有良好的“日盲”效应.     

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。     

衣康酸酐的结构和性质的理论研究

采用DMol3程序对衣康酸酐的结构和相关性质(振动频率、热力学性质、反应活性及稳定性)进行了理论研究,得到了分子的几何优化构型和各原子上的电荷分布以及前线分子轨道能级。计算结果表明:衣康酸酐分子容易得到电子,且酸酐氧基上氧原子是亲电反应的作用点。     

基于延时相干控制的光增益调制

针对传统的弱场光增益相干控制方案中控制参数单一且难以实现精确控制的现状,提出了一种在简并二能级原子体系中利用延时实现弱光增益控制的新方案。方案以一强一弱两个偏振方向相互垂直的序列脉冲作用于简并二能级原子体系中,先由强场预置相干态,然后用有延时的弱场探测该相干体系。通过理论研究弱场的传播特性与延时间的关系,发现利用延时控制可以实现对弱场共振作用的开关控制,并精确调制弱场的增益。     

发光二极管光轴测量的实验研究

提出对光电传感器使用的发光二极管进行光轴测量的必要性，并采用面积加权法对其进行测量。得到芯片位置变化及芯片加载电流变化对光轴位置的影响。