电压控制LC振荡器

设计采用Motorola公司的MC1648P(压控振荡器)及双变容二极管与电感组成的振荡电路得到要求的频率范围的高频信号,从而组成电压控制LC振荡器.采用89C51单片机和数/模转换芯片TLC5615CP组成的单片机系统完成对变容二极管的电压调节控制,显示振荡器的当前振荡频率和电压峰-峰值.     

用失配电容对提高数控LC振荡器调频率精度

为了提高基于LC的数控振荡器(DCO)的调频精度,提出一种失配电容对跨接数控变容管结构。该结构利用2个失配电容对对CMOS变容管的最小有效变容值进行缩小变换,使得数字信号可控的最小电容值大大降低。为验证该结构,该文采用中芯国际(SMIC)0.18μm工艺库,在Spectre中对基于该文结构的数控振荡器在不使用ΣΔ调制技术的前提下进行仿真。实验结果表明:该文提出的数控变容结构能使中心频率为3.4 GHz的DCO实现3 kHz的调频精度,还能使调频精度的提高不依赖于工艺库特征尺寸。     

对体效应振荡器进行方波调制的一种方法—变容管谐振腔法

本文提出了对体效应振荡器进行方波调制的一种方法,在体效应振荡腔内按装上一只变容二积管,当变容管之偏压变化时,振荡器的输出功率和工作频率均随着变化,因此,当在变容管两端加上一定幅度的方波时,振荡器输出就有了一定的幅度调制。这时,输出方波有两个信号;位于顶部的信号和位于底部的信号,两者的幅差一般为1—2db,频率差一般为20—40MHz,利用反应式谐振系统使底部(即较低电平)信号被吸收,而顶部(较高电平)信号无阻地通过,从而使调制度加大,一般约为9db,增加谐振系统的级数可以增加调制度,实验在三公分波段进行,工作带宽决定于体效应振荡器本身带宽以及谐振系统的可调范围,对调制后的工作稳定性问题进行了实验研究和讨论。     

变容二极管调频的非线性及其校正

该文分析了调频测距系统中变容二极管调频振荡器调制的非线性及其对测距精度的影响。提出了一种具体的校正方法,并详尽地介绍了校正的原理、电路及机辅设计程序。经非线性校正明显地提高了测距精度。     

基于最小变电容结构的数控LC振荡器

提出了一种数控最小变电容结构,采用互补型变容管两端跨接固定电容结构,可以使用较大尺寸变容管实现较小的最小变容值,从而减小了工艺误差对设计结果的影响,同时解决了大摆幅振荡信号下的非线性问题,缓解失配电容对失配率一致性对最小变容值的影响.在相同工艺下,最小变电容值减小接近50%.采用180nm CMOS工艺,基于最小变电容结构设计了全数控LC振荡器,通过改变各级数控变电容阵列的结构,提高全数控LC振荡器的频率分辨率.仿真结果表明:提出的最小变电容结构可实现7.42aF的最小变电容值;全数控LC振荡器的振荡频率范围为3.2~3.8GHz,输出电压摆幅为1.75V,中心谐振频率3.5GHz的相位噪声为-1.2×10-4 dBc/Hz,归一化价值因子FOM为211;在相位噪声、功耗、FOM等性能指标维持在同等水平的前提下,调频精度显著提高.     

一种基于变容管偏置的温度补偿LC振荡器

文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值，补偿因温度变化引起的振荡器频率变化，使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient, TC)为0。另外，在通过分频产生几十兆赫兹频率的同时，振荡器的相位噪声性能得到进一步优化。该文在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿真结果显示，在1.8 V电源下整体功耗为7.12 mW,中心振荡频率2.400 2 GHz处的频率漂移可达到8.68×10^-6℃^-1,经过分频后得到的30 MHz信号在10 kHz偏移下的相位噪声大小为-112.923 dBc/Hz。     

X波段GaAsFET压控振荡器的计算机辅助设计

本文叙述了微波晶体管振荡器的计算机辅助设计方法。该方法利用微波晶体管的负阻特性,考虑了在点频及宽带时几种反馈电路形式,并以电抗补偿形式的变容管调谐为重点,给出了集中参数调谐的振荡器调谐回路设计,并由此制作了x波段的CaAsFET变容管压控振荡器,其实测性能与设计要求接近。     

使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器

为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitally controlled inductor-capacitor oscillator, DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)变容管.该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声.在中芯国际0.18 μm 互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO.仿真结果表明: 当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz, 与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB.     

压控电抗元件的SPICE仿真

基于对应用SPICE程序模拟压控电抗元件方法的讨论，针对SPICE程序没有提供压控电抗元件库模型的问题，给出了用数据表格形式和多项式描述非线性压控电容的方法；研究了变容二极管的工作特性，提出了建立变容二极管SPICE宏模型的可行方法。将变容二极管的模型插入压控振荡器电路中，可以对压控振荡器进行较精确的分析。设计方法简便易懂，在压控振荡电路的设计与仿真中有良好的应用价值。     

Ka波段变容管调谐的波导耿氏振荡器的机助分析与设计(英文)

运用电磁场和电路分析方法确定了一种合理的纵向排列波导腔毫米波耿氏压控振荡器的等效电路模型,提出了分析其频率响应的方法,并利用计算机分析的结果,设计成功Ka波段波导腔变容管调谐的耿氏振荡器。     

同轴腔变容管调谐振荡器

从体效应管、变容管的等效电路、特性．准确的参数表达式着手分析并、串振荡电路．根据管子参数、振荡频率能较准确地设计实用的压控振荡器．同时采用双变容管反向串联以增加调谐带宽，减少谐波，改善频谱．改善调谐线性．据此给出一个应用频段在５～９ＧＨｚ；调谐带宽＞１ＧＨｚ；输出功率＞１０ｍＷ；调谐速度＞１ＧＨｚ／ｕｓ； 主杂波比≥２５ｄＢ的宽带同轴压控振荡器实例．该振荡器已在数种电子对抗设备上长期稳定工作．     

宽带变容管调谐全高波导耿氏振荡器

本文介绍了X波段变容管调谐全高波导耿氏振荡器的一般原理和测试结果。对宽带调谐的诸因素及某些实验结果进行了必要的分析。     

具有超低蜂鸣脉冲固态源的研究

主要研究了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ增益控制特性，利用双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ第二栅的电压来控制管子网络的增益，利用这种特性实现了脉冲对微波振荡器的调制。利用微带电路研制了结构紧凑、低成本、性能高的ＲＦ脉冲振荡器。该ＲＦ脉冲振荡器可用作小功率脉冲雷达源，特别适用于飞行器上的雷达发射源。     

频率分辨率改进型数控振荡器的设计

设计了一个应用于四频带全球移动通信系统(GSM)收发机的频率分辨率改进型数控振荡器.提出了一种新型串联开关变容管模型并进行理论分析,将其应用在振荡器的精确调谐电容阵列中,验证了其对频率分辨率增强的性能.设计采用90 nm互补金属氧化物半导体工艺,当谐振在3.1 GHz时,数字加抖前的频率分辨率达到1.6 kHz,距中心频率20 MHz处的相位噪声为-152 dBc/Hz,功耗8.16 mW.仿真表明,该频率分辨率改进型数控振荡器满足四频带GSM收发机的要求,适于应用在全数字锁相环中.     

电子调谐射频放大器

如所周知,晶体管的内部结构决定了射频放大器本质上属于非线性电路,因此会产生不应有的输出频率分量,带来诸如谐波失真和内调制失真等问题。实际信号频率为所需信号频率的1.5倍时会发生谐波失真,如果所需信号和多余信号同时进入晶体管且产生不必要的输出信号,就会出现内调制失真。 普通放大器的设计一般在晶体管输出端和直流电压源间设置一并联谐振电路,以满足放大器增益和选择性的要求。并联谐振电路上设有一并联于电控电容(变容二极管)的电感器。变容二极管是一个反向偏置的二极管,其不断变化的容值是直流偏压的函数。 并联谐振电路的缺点一是其品质因数Q值随放大器中心的频率的增高而降低,结果,当变容二级管电容减小时放大器的通带宽度变窄;二是放大器抑制谐波失     

基于可见光LED的无线语音通信系统的设计

常见的无线通信有射频通信、红外等,但是射频通信受无线频段限制,红外对人眼有很多影响,而且功率受限,本系统采用可见光LED实现无线通信,属于模拟通讯,利用VCO实现调频,PLL实现解调,使用基本光学及电子元件,包括发光二极管(LED)、光电接收二极管、电压控制振荡器(VCO)、锁相环(PLL),具有优良的信噪比(S/N)的特点的语音传输.作为一个光电的设计方案,该系统成功的集成了自由空间光通信、频率调制、信号处理和模拟电子设计.     

压控振荡器压控线性的分析计算

本文论述了实现压控振荡器压控线性的两种方法,即利用超突变结变容管作为电调元件和采用线性化补偿网路。对两种方法进行了较详细的分析和计算     

改进的最近电平调制策略在模块化多电平变换器中的应用

为了提高模块化多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)在子模块数量较少时使用最近电平调制(nearest level modulation,NLM)的输出电压质量,以及上下桥臂电压的平衡,提出了一种改进的最近电平调制方法。与传统最近电平调制方法相比,改进的调制方法的优势在于能够将输出电压电平数从N+1增加到2 N+1,在不改变子模块电容平均电压的情况下,降低了输出电压的总谐波失真,并且减小了子模块电容电压的波动以及上下桥臂电压均值的差异。最后通过Matlab/Simulink仿真验证了控制策略的有效性。     

基于F2812DSP芯片的SVPWM波的实现

本文介绍了空间电压矢量的工作原理和SVPWM的过调制算法。根据调制系数(MI)的大小将过调制区分为过调制I区和过调制II区,不同的区域对应不同的算法以实现线性控制逆变器输出电压,并利用TMS320F2812DSP芯片实现,最后给出了实验输出波形。     

基于过调制理论的SVPWM波的研究与实现

电压源型逆变器,根据最大调制系数(MI)的大小逆变器工作在三种不同区域:线性调制、过调制Ⅰ和过调制Ⅱ区,不同的区域对应着不同的算法以实现线性控制逆变器输出电压.针对过调制Ⅱ区提出参考电压矢量概念,简化了算法,并利用Intel公司80c196MC芯片实现,最后给出了实验输出波形.