多碱光电阴极制备中中间层光谱初探

多碱阴极制备中，中间层的形成是一个重要的工艺过程，其质量好坏直接关系到成品阴极。该文利用自动光谱测试仪研究了多碱光电阴极制备中的光谱响应，初步分析了中间层光谱响应的规律及其对成品阴极光谱响应的影响，指出形成高质量阴极必须有良好的中间层结构。对如何进一步揭示中间与成品阴极定性关系，文中给出具体的实施方法。     

半透明多碱阴极浅氧敏化研究

根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。     

光谱响应测试仪的研制及应用

为了客观评价光电阴极的性能，提高其光电发射水平，在深入研究光电阴极光谱响应测试原理的基础上研制了国内首台光谱响应测试仪。利用自制光谱响应测试仪对国产二代、三代微光像增强器进行了光谱响应测试与分析，成功实现了激活台内负电子亲和势（NEA）光电阴极高温激活和低温激活后的光谱响应在线测试，结果低温激活后积分灵敏度比高温激活提高了29％，截止波长向长波有很小的移动。通过计算阴极参量发现，阴极表面逸出几率在低温激活后较高温激活后提高了25％，低温激活后阴极表面结构得到优化是其积分灵敏度提高的重要原因。     

S25系列光电阴极的光谱响应计算机拟合研究

该文根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式对Ｓ２５系列阴极（Ｓ２５１，Ｓ２５２，Ｎｅｗ Ｓ２５，Ｓｕｐｅｒ Ｓ２５）的光谱响应曲线进行了计算机模拟，得到了这些阴极的有关特性的内在机理与可能采用的工艺处理方法。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。     

多碱光电阴极光电信息测试结果与分析

该文根据多碱光是阴极光学信息和光电流监控原理，给出了理论模型，研制了测试仪器，例举了测量结果，并对此作了简单分析，理论的多碱光电阴极光学反射率Ｒ（ｄ）和实测的Ｒ（ｄ）比较可以控制阴极成分，并给出阴极厚度的信息、多碱光电阴极的单色光电流Ｉ（ｄ）、光电子逸出深度以及大量的工艺信息，借此可以调整工艺，改善光电阴极的光谱响应。     

多碱光电阴极单色光电流测试技术研究

多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素,介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电流,测得的曲线有助于分析和指导工艺,从中还可得到光电子逸出深度的信息。该文给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。     

光电材料动态自动光谱测试仪的研究与应用

智能式光电材料动态自动光谱测试仪已在实验室研制成功。该仪器不但能用于夜视器件与材料的光谱响应测试，而且还能通过光纤传光束，解决夜视器件与材料研制过程的光谱响应监控测试。除此之外，该仪器还可用于０．４￣１．５μｍ范围光学材料透过率测试。配置紫外光源，还可用于紫外光电发射材料光谱响应测试。配置３００／ｍｍ与１００／ｍｍ光栅与红外光源，可解决热成像器件的光谱响应测试问题。     

基于光谱响应测试的光电阴极性能评估

NEA光电阴极性能评估的目的就是求出NEA光电阴极有关特性参数,从而进一步分析光电阴极性能优劣的原因。动态光谱响应测试技术为NEA光电阴极的制备及其性能评估提供了实时直观的参考,是获得高性能光电阴极的重要保证。本文通过对NEA光电阴极光谱响应的在线测试,采用曲线拟合方法,实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。     

用微弱信号检测技术研究光电阴极

本文概括介绍了用微弱信号检测技术研究光电阴极的光吸收、组分、电子亲和势、折射率、衰减率和透射率等.并提出用微弱信号检测技术可以改进多碱光电阴极的制备工艺和性能。探索Ⅲ—Ⅴ族负电子亲和势光阴极的蒸发方法,从而降低Ⅲ代夜视器件的成本.     

多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。     

反射式GaAs负电子亲和势光电阴极的激活

本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。     

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。