氢键对位阻型二芳基乙烯有机凝胶性能影响

基于位阻型二芳基乙烯，合成了两种光响应有机凝胶分子ap-BAM和ap-YJ，其荧光性能和凝胶性能可通过光照进行有效可逆调控，并且两种分子在溶液中均具有优异的光响应性能。目标分子ap-BAM可通过氢键结合单元在常温下形成凝胶，而参比分子ap-YJ只能在低温下形成凝胶。研究表明两种凝胶分子均具有聚集诱导发光性能，在凝胶开环态均表现出较强的荧光性能；当受到紫外光照射后，则由凝胶态转化为溶液态，并发生了荧光淬灭。扫描电子显微镜测试结果表明，ap-BAM凝胶形成了致密的三维多孔网络，而ap-YJ凝胶仅形成了致密薄膜，表明具有氢键结构单元的ap-BAM凝胶具有更好的凝胶性能。     

Eu-Ru共掺NiO-SnO2复合纳米粒子薄膜的阻变特性

通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO2复合纳米粒子，透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀，选区电子衍射表明结晶性差，所测晶面间距与SnO2和NiO相应卡片数据一致，水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO2微观p-n结组成.原子力显微镜测试薄膜表面平均粗糙度约025nm，由于薄膜太薄及样品结晶性差，XRD分析未见明显衍射峰.电学测试表明纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性，阈值电压约1V，开关比约500.薄膜高阻态电学输运符合缺陷俘获载流子所致空间电荷限制导电机制，低阻态呈欧姆特性，故阻变机理应为电荷俘获及再释.     

氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究

以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(AlNxOy)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超过103,并具有免激活特性.低温测试表明,器件的低阻态电阻和温度正相关,说明了阻变的机制为银导电细丝的形成和断裂.     

NiO-TiO_2纳米复合薄膜的阻变特性

利用溶胶凝胶法制备了不同n(Ni)/n(Ti)比的Ni O-TiO_2复合薄膜,电学测试表明薄膜具有可重复双极阻变特性,且开关比与Ni O薄膜相比有显著提升.400℃退火n(Ni)/n(Ti)为7∶1的样品阻变阈值电压低、开关比高且稳定性好,原因是Ni O-TiO_2薄膜可形成P-N结纳米结构.焦耳热分析表明薄膜荷电输运属于热激发,高阻态符合由氧空位缺陷俘获电荷所致空间电荷限制导电机制,低阻态为欧姆特性,阻变机理为电荷俘获及再释放.     

一种分子基电双稳器件

报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件,Al/BN4/Al/BN4/Al.其中功能层为有机/金属/有机的夹层结构,而中间金属层要非常薄.该器件在较低电压作用时呈现高阻状态,阻值在106~109Ω;而当电压超过某一阈值时,器件导电态发生改变,由高阻态跃迁为低阻态,阻值约为102~105Ω.两种状态的电阻值比为103~105.另外,还比较了不同功能层厚度器件的性能.     

分子氮络合物的化学键理论

用LCAO分子轨道理论对分子氮络合物的化学键作了处理,得到了能级、电荷密度和键序的表达式。根据能级,讨论了稳定性和金属价态、电子租态d_n的关系;指出单核低价络合物,d~(4-6)最稳定,高价络合物,d~(0-2)稳定。根据电荷密度和键序,分析了电子能谱和红外光谱数据,讨论了还原的可能途径。指出单核高阶态d~(0-2)络合物,较易于发生还原性的亲核反应;低价d~(4-6)络合物将发生亲电子反应,但必须借助EDA型配位体或光激发过程进—步提高N的负电荷密度。双核络合物与单核络合物,结论大致相仿。     

金属基底层上NiO(111)外延薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制

利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿111晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80°C测试温度范围里的电流-电压曲线均呈现稳定的双极性电阻开关特性.运用Arrhenius作图法以及肖特基热激发隧穿公式拟合薄膜高阻态电流-温度曲线符合线性关系,表明薄膜高阻态漏电流符合肖特基热激发隧穿机制.     

氮化铁薄膜的制备及其磁电阻效应

用磁控反应溅射法制备了铁和氮化铁薄膜，分别测出其X射线衍射谱（XRD），分析表明存在氮化铁薄膜。在室温下测量了制备态和退火样品的磁电阻，分析比较表明退火后的磁电阻效应得到增强。     

有机酸修饰水基sol-gel法制备TiO2纳米薄膜

采用丙烯陵为修饰剂，通过水基sol—gel法制备了二氧化铁纳米薄膜，研究了反应物浓度、反应温度等条件对薄膜形貌的影响。研究结果表明，作为修饰剂的丙烯酸浓度对薄膜的形貌起着重要的控制作用。依据反应条件的不同，丙烯酸可以以单分子或聚合物的形式与Ti原子结合。单分子丙烯酸起到水解抑制剂的作用，而聚合态丙烯酸则根据反应条件的不同可能起到抑制剂或敏化剂的作用，并最终确定所制备的纳米薄膜的微观形貌。通过对丙烯酸／钛酸四丁酯摩尔比等反应条件的调节可以得到具有不同微结构的二氧化铁纳米薄膜。     

氧化钽/氧化铝薄膜的阻变特性和突触特性

通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaO_x/AlO_x/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电流,降低了高/低阻态间切换所需的功耗,并增大了高/低阻态电阻比值.研究表明,器件的高低态电阻与其切换电压均有良好的稳定性和均匀性,且器件表现出可靠的擦写性能与保持性能.进一步研究表明,器件高阻态导电受肖特基发射机制主导,低阻态导电受空间电荷限制机制主导.器件还具有连续可调的电阻渐变行为,利用反复电脉冲刺激下的器件电阻变化来表征突触的权值,可以模拟突触行为.     

Fe—Ni—P非晶合金的电沉积

研究了电沉积法制备FeNiP非晶合金的工艺条件。以抗坏血酸作为络合剂,选择了合适的电镀液,研究溶液的pH、温度和电流密度对电镀层的影响。     

苯并三氮唑添加剂对硬质合金钴元素浸出的影响

通过浸泡试验考察了切削液添加剂三乙醇胺、苯并三氮唑对硬质合金钴元素浸出的影响。试验结果表明:三乙醇胺与钴离子形成配合物进入溶液而使钴浸出,苯并三氮唑与钴离子形成配合物薄膜覆盖在硬质合金表面而阻止钴离子浸出。     

电沉积法制备Fe—Cr—P非晶合金

本文中以氨基乙酸为络合剂,在铜基上电沉积制取了光亮的Fe-Cr-P合金镀层。X衍射相分析表明,镀层呈非晶态结构。镀层中的Fe、Cr、P含量分别用比色法测定。在非晶态Fe-Cr-P合金电镀过程中,镀液pH值的变化对镀层组成有较大的影响,适宜的pH值范围为1.2～1.8。提高电镀液温度不利于Cr的析出,电镀时阴极过程处于电化学控制区域。     

ISG法制备钙钛矿纳米陶瓷薄膜

采用ＥＳＧ法合成钙钛矿稀土复合氧化物ＬａＭＯ３（Ｍｘ为Ｎｉ＾３＋、Ｃｏ＾３＋或Ｆｅ＾３＋）纳米陶瓷薄膜，研究了ｐＨ值对柠檬酸与Ｌａ＾３＋和Ｍ离子络合的影响及 合方式对形成ＬａＭＯ３的作用，发现ＬａＭＯ３前驱体凝胶膜对形成陶瓷薄膜有很大影响，慢的干燥速度、预处理温度与烧成温度，慢的干燥速度、预处理温度与烧成温度均有利于形成良好的陶瓷薄膜。     

高温氧化薄膜应力的测定

介绍一种高温氧化薄膜应力的测定技术，它能在一定高温氧化条件下原位测定氧化膜中的生长应力，在某一温度变化范围内原位氧化膜中的热应力，这种技术档以普通衍射仪上进行。     

含N-己基吩噻嗪和N-己基咔唑基团的联苯乙烯类有机发光材料的合成及其性能研究

 联苯乙烯类衍生物被认为是一类具有实用价值的蓝光电致发光材料,它具有较优异的综合性能。 以联苯乙烯为基础,利用Wittig-Horner反应分别引入N-己基吩噻嗪和N-己基咔唑基团,合成了两种联苯乙烯衍生物。利用核磁共振氢谱（ 1H NMR）、傅立叶红外光谱（FT-IR）、质谱（MS）和元素分析（EA）对所合成产物进行了化学结构的表征;利用紫外吸光光度法（UV）、荧光分光光度法（PL）、热重分析（TGA）、示差扫描量热法（DSC）、热台偏光显微镜（PLM）和X-射线衍射（XRD）对产物的性能进行了初步的表征。结果表明：所 合成的两个化合物在紫外光激发下均能发射高亮度荧光;具有较高的热稳定性;两个化合物均不能结晶,易溶于二氯甲烷等有机溶剂,并且容易成膜,非常适合于旋涂法制备OLED器件;其中含 吩噻嗪基的化合物在熔融或冷却过程中均能观察到近晶A型液晶织构。     

膜法A/O工艺处理高浓度制药废水的研究

利用膜法A／O工艺对特定高浓度制药废水进行处理，研究膜法A／O工艺处理高浓度有机废水的可行性，求出去碳动力学参数，发现只要保证足够的水力停留时间和进水中一定的硝态氮与氨氮比，利用膜法A／O工艺的好氧段完全可以满足脱氮的要求，而并不需要回流在A段进行反硝化作用，实验证明，膜法A／O工艺可以实现对某高浓度制药废水的处理要求。     

A rapid response photochromic diarylethene material for rewritable holographic data storage

A novel diarylethene,namely 4,5-(2,5-dimethyl thiophene) phthalimide,was synthesized and successfully introduced to rewritable holographic data storage.Upon the alternative illumination of UV and visible light(>400 nm),this compound underwent rapid,reversible inter-conversion between colorless open-ring isomer and yellow-green ring-closed form in both solution and polymethyl methacrylate(PMMA) film.Subsequently,we investigated the characteristics of volume homographic recording of the diarylethene-doped PMMA film(1 m thick).The maximum refractive index modulation(0.87‰) of the film during recording could be reached within just 120 s which gave the ability of fast recording.The high quality reconstruction after 50 write/erase cycles demonstrated its excellent fatigue-resistance and high resolution.All those results indicated that this molecule was a reliable fast write/erase holographic storage material.     

铝基高阻化学转化膜形成工艺及应用

利用化学和电化学方法在铝表面形成高阻化学转化膜,对其有关性能进行了测试,结果表明该膜层绝缘电阻高,耐击穿电压性能良好,可用作金属绝缘复铜线路板基底材料。     

架空与埋地导体间互阻抗的高效能算法

架空与埋地导体间的互阻抗表达式是一类带有无穷上限的振荡积分,基于Levin方法、Clenshaw-Curtis公式以及新的积分区间划分方法,提出了快速计算此类振荡积分的高精度复化Levin方法;实验结果表明:复化Levin方法不受水平距离和频率的影响,很大程度减少了计算成本,是一种高效计算振荡积分的方法;另外,该方法可以用于架空导体和水平分层大地中埋地导体之间的互阻抗计算。