极化子对量子点中的Stark效应的影响

该文采用变分法研究了盒形量子点中Ｓｔａｒｋ效应，计算了电子－受限ＬＯ声子相互作用对Ｓｔａｒｋ能量移动的修正。计算结果表明，电子－受限ＬＯ声子相互作用减弱了Ｓｔａｒｋ能量移动，随着电场强度和量子点尺寸的增大，其对Ｓｔａｒｋ能量移动的贡献也增大。     

Stark效应对压缩相干光场作用下原子的偶极压缩效应…

该文研究了包括Ｓｔａｒｋ效应时，双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型与单模压缩相干光场发生相互作用的二能级原子的偶极压缩效应；讨论了光场参压缩效应的影响。     

介电量子阱中激子的Stark效应

在考虑像势影响的情况下，利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能，得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场强度以及阱垒介电函数之比的变化曲线，我们发现：考虑像势影响对激子结合能及其Ｓｔａｒｋ效应的修正是很有意义的，而且自像势和互像势对Ｓｔａｒｋ效应的影响是相反的。     

Stark效应对压缩相干光场作用下原子的偶极压缩效应的影响

该文研究了包括Ｓｔａｒｋ效应时，双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型与单模压缩相干光场发生相互作用的二能级原子的偶极压缩效应；讨论了光场参数对压缩效应的影响．     

Ba原子Rydberg态的Stark结构

在考虑精细结构的情况下，对Ｂａ原子６ｓｎｌＲｙｄｂｅｒｇ态在外电场下的Ｓｔａｒｋ分裂进行了理论研究，理论计算Ｓｔａｒｋ图与实验结果符合得较好。     

氢原子一级Stark效应的确切解释

氢原子一级Ｓｔａｒｋ效应的确切解释杨铜锁，强志军（陕西师范大学民族预科部，陕西师范大学学报编辑部，西安７１００６２，第一作者，男，４９岁，副教授）ｌ氢原子一级Ｓｔａｒｋ效应目前，一般量子力学教材均用简并态微扰理论研究氢原子的一级Ｓｔａｒｋ效应。并利用...     

多电子原子体系Stark效应

首先证明张量展开的一般公式。其次将张量展开的一般公式应用到Ｓｔａｒｋ效应中，计算出电四极矩张量的哈密顿算符的矩阵元，并计算出原子在外电场中能级位移量，计算结果与Ландау曾给出的一种标准的计算方法的结果相一致。     

磁场中三维极化子的非线性效应

利用电声相互作用哈密顿量的一般形式求出电子－ＬＯ声子相互作用哈密顿量二次项的具体形式，然后将求得的新哈密顿量应用于磁场中的三维极化子问题，运用二阶ＲＳＰＴ微扰方法求得极子基态的和第一激发态的能量修正。     

极性膜内束缚极化子的温度效应

本文同时计及电子一体纵光学声子及电子一面光学声子的作用,采用LLP变分法及变分微扰法,导出了膜内束缚极化子基态和激发态能量与温度的关系以及束缚极化子有效质量与温度的关系。     

极性晶体中声学形势表面极化子的温度依赖性

有些极性晶体，电子与表面光学声子（ＳＯ）耦合强，与表面声学声子（ＳＡ）耦合弱，本文采用线性组合算符方法，导出了极性晶体中声学形变势表面极化子的振动频率和有效哈密顿量，并对两种极限情况进行了讨论。     

抛物量子阱中界面声子对极化子能量的影响

采用LLP中间耦合方法，对抛物量子阱中极化子能量和电子—声子相互作用对极化子能量的影响进行了研究。计算中不仅考虑了电子与局域LO声子相互作用，而且还考虑了电子与四支界面声子的相互作用，研究结果表明，抛物量子阱中电子—声子相互作用对极化子能量的贡献很明显，阱宽较小时，电子与界面IO声子耦合起重要作用，而在宽阱中，电子与局域LO声子耦合起重要作用。     

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势;给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论     

磁场中的强耦合表面极化子

应用变分法系统研究了电子和表面光学声子间的强相互作用，同时考虑了电子和体纵光学声子间的弱相互作用，给出了电子、声子间的基态和激发态的相互作用能．数值计算表明，电子和晶体表面的距离增大，体相互作用诱导势增大，而表面相互作用势减少；同时外磁场的作用可增大这两种相互作用的强度．     

耦合强度和磁场对光学极化子平均声子数的影响

应用线性组合算符和幺正变换方法,研究磁场和耦合强度对光学极化子平均声子数的影响.数值计算表明：当电子接近晶体表面时,趋于弱耦合极限,光学极化子的平均声子数为零;当电子远离晶体表面时,振动频率和平均声子数均与磁场强度及耦合参数有关,且随磁场强度和耦合参数的变化而变化.     

二维双原子正方晶格振动的色散关系

利用晶格动力学理论推导了二维双原子正方晶格振动的色散关系表达式,得到第一布里渊区中沿Γ-X、Γ-M和X-M 3种对称方向的声子色散曲线,每一对称方向有四支格波,即两支声学波和两支光学波.讨论了原子质量和次近邻原子间作用对色散关系的影响,结果表明:当两原子质量相等时,3个对称方向的声学波与光学波间无频隙;当两原子质量不等时,声学波与光学波间出现频隙.计及次近邻原子间作用,对Γ点声子频率的大小和简并不影响,两声学模频率为零、两光学模频率简并;对X点声子频率的简并也无影响,但相应频率增大;使M点声子频率的简并度降低,高频声学和光学声子的频率增大,而低频声学和光学声子的频率不变;沿Γ-X方向四支格波仍是非简并的,对应的频率增大,但都表现出色散性;沿Γ-M和X-M方向简并格波的简并度消失,除Γ-M方向低频声学支和光学支频率不变之外,其他格波声子的频率都增大,并且四支格波都表现出色散性.     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

抛物量子线中极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符法和变分法，在考虑电子—LO声子相互作用情况下，分别计算了抛物量子线中强、弱耦合情形下极化子的振动频率和光学声子平均数．数值计算结果表明，两种情况下，光学声子平均数都随耦合强度的增大而增大．强耦合极化子的振动频率和声子平均数随有效受限长度的减小而迅速增大。     

介质覆盖的极性膜内电子-光学声子相互作用

本文对半无限媒质覆盖的极性晶体中晶格振动的光学极化模进行严格的理论分析,发现除通常的体横光学模、纵光学模以外,还存在四支类表面光学本征模。进一步导出了膜内屯子与光学声子相互作用的哈密顿量,重点讨论了电子与表面光学声子相互作用的性质。     

无限深量子阱中弱耦合极化子的性质

采用改进的线性组合算符和变分相结合的方法,导出了量子阱中弱耦合极化子的光学声子平均数和基态能量;讨论了阱宽对基态能量的影响以及Lagrange乘子u对光学声子平均数和基态能量的影响.数值计算结果表明:光学声子平均数随u的增加而增大;基态能量随u的增加而减小,随阱宽的增加而减小.