助熔剂H3BO3对白光发光二极管用Li2BaSiO4∶Eu2+蓝绿色荧光粉材料性能的影响

采用燃烧法在700 ℃下成功合成了用做白光发光二极管(WLED)的 Li2BaSiO4∶Eu2+蓝绿色荧光粉,研究了不同摩尔分数的H3BO3对Li2BaSiO4∶Eu2+荧光粉材料晶体结构、颗粒粒径大小、激发光谱和发射光谱性能的影响.结果表明:随着硼酸量的增加,激发和发射光谱有着显著的提高, H3BO3的最佳摩尔分数为0.06.过量硼酸的加入,基质会有新的物相产生.可见适量的H3BO3对白光发光二极管用Li2BaSiO4∶Eu2+蓝绿色荧光粉材料的光学性质有很重要的影响.     

H3BO3对SrAl2O4:Eu2+、Dy3+、Nd3+长余辉发光材料性能的影响

为了讨论H1BO3对SrAl2O4：Eu^2＋、Dy^3＋、Nd^3＋长余辉发光材料性能的影响，寻找最佳的H2BO3摩尔分数，采用燃烧法以尿素为还原剂在600℃下制备了掺入Eu^2＋、Dy^3＋、Nd^3＋的SrAl2O4长余辉发光材料．研究了不同摩尔分数的H3BO3对磷光体晶体结构、发光光谱、初始亮度和余辉性能的影响．结果表明：随着H2BO3量的增加激发和发射光谱“蓝移”，硼酸的最佳摩尔分数为0．08．可见H2BO3的含量对SrAl2O3：Eu^2＋、Dy^3＋、Nd^3＋长余辉发光材料的光学性质有很重要的影响．     

助熔剂HaBO3对绿色荧光粉SrAl2O4：Eu^2＋发光性能影响研究

以H3BO3为助熔剂,在1200℃、H2还原气氛下成功制备出绿色荧光粉SrAl2O4：Eu^2＋,并研究了不同H3BO3含量对SrAl2O4：Eu^2＋发光性能和余辉特性的影响,结果表明随着H3BO3含量的增加,样品的发射光谱发生了“蓝移”现象,并随B^3＋的掺入,Sr0．96 A12O4：0.04Eu^2＋呈现出了长余辉特性,同时增强了样品的发光强度和余辉时间,最佳的H3BO3含量为15％,其余辉时间可以达到6h。     

UV-LED用2(Sr,Ba)O-0.16B2O3-0.84P2O5:Eu2+荧光粉

以SrCO3、BaCO3、H3BO3、Eu2O3和NH4H2PO4为原料,通过高温固相法,合成了2(Sr,Ba)O-0.16B2O3-0.84P2O5:Eu2 荧光粉。通过XRD图谱、激发和发射光谱、光色参数和相对亮度的测量,研究了Ba2 对荧光粉的晶体结构以及发光性能的影响。结果表明:2(Sr,Ba)O-0.16B2O3-0.84P2O5:Eu2 荧光粉属于四方晶系,晶胞参数随Ba2 摩尔含量增加而增大。Ba2 的引入可以显著提高荧光粉的相对亮度,同时,随着Ba2 摩尔含量的增加,荧光粉的发射主峰向短波方向移动,出现蓝移,其色坐标y值逐渐减小,有利于提高白光发光二极管的流明效率和显色指数。     

燃烧法合成长余辉材料CaWO4：Eu^3＋及其发光性能

为探索用燃烧法合成掺加SiO2的长余辉材料CaWO4∶Eu^3＋,以H3BO3为助熔剂,NH4NO3为氧化剂,柠檬酸（CA）为还原剂,掺加正硅酸乙酯（TEOS）,研究了NH4NO3,柠檬酸,TEOS的最佳添加量及其对长余辉发光材料的发光性能的影响.使用X射线衍射仪,荧光/磷光发光分光光度计测试了其晶相,激发和发射光谱以及发光强度.X射线衍射检测结果表明：在500℃时得到CaWO4∶Eu^3＋长余辉材料,800℃的发光效果相对最好.荧光/磷光发光分光光度计检测结果表明：最佳摩尔比nCa^2＋∶nCA∶nNH4NO3∶nTEOS是1∶2.75∶20.63∶5.添加TEOS能显著提高CaWO4∶Eu^3＋的发光性能.     

RE(RE=Ce~(3+),Eu~(2+),Tb~(3+))掺杂Ca_2BO_3Cl荧光粉的发光性质在紫外白光LED中的应用

在900℃高温条件下,合成了一系列Ce3＋,Eu2＋以及Tb3＋掺杂Ca2BO3Cl荧光粉．该荧光粉在紫外及蓝光区域有较强的吸收,产生了以Ce3＋Eu2＋以及Tb3＋为发光中心的荧光,其发射峰分别位于416nm,570nm及544nm处．荧光谱图数据表明：以Ca2BO3Cl为基质的荧光粉中存在着Ce3＋→Eu2＋的能量传递．并且通过调节Eu2＋浓度的量,该荧光粉在紫外激发下可以产生从冷白光到暖白光不同的光．这同时也说明该荧光粉在白光发光二极管中具有潜在的应用价值．     

单一基质白光荧光粉Ba_2B_2O_5:Dy~(3+)的制备与发光性能

采用高温固相法合成了Ba2B2O5:Dy3+荧光粉材料,并对其发光性质进行了研究.样品发射光谱为典型的双峰谱线,分别位于483和575nm处,对应Dy3+的4F9/2→6 H15/2和4F9/2→6 H13/2特征跃迁.激发光谱为多峰锐谱,主峰位于348和386nm处,和UVLED管芯匹配.讨论了Dy3+物质的量分数对发射光谱的影响,结果随Dy3+物质的量分数的增大,黄蓝发射的相对强度比(IY/IB)基本不变,样品的发光强度呈现先增大后减小的趋势.研究了电荷补偿剂Li+对材料发光强度的影响,随着Li+的物质的量分数增加发光强度先增大后减小.测量并标定了Dy3+不同物质的量分数下样品的色坐标,均呈现白光发射.     

助熔剂H_3BO_3对绿色荧光粉SrAl_2O_4∶Eu~(2+)发光性能影响研究

以H3BO3为助熔剂,在1200℃、H2还原气氛下成功制备出绿色荧光粉SrAl2O4∶Eu2+,并研究了不同H3BO3含量对SrAl2O4∶Eu2+发光性能和余辉特性的影响,结果表明随着H3BO3含量的增加,样品的发射光谱发生了"蓝移"现象,并随B3+的掺入,Sr0.96Al2O4∶0.04Eu2+呈现出了长余辉特性,同时增强了样品的发光强度和余辉时间,最佳的H3BO3含量为15%,其余辉时间可以达到6h.     

助熔剂对BaM∶Eu^2＋蓝色荧光粉形貌和发光强度的影响

采用高温固相法制备了三基色荧光灯用Ba MgAl10O17∶Eu^2＋（BAM∶Eu^2＋）蓝色荧光粉,考察了助熔剂对BAM∶Eu^2＋物相纯度、粉体颗粒形貌和发光强度的影响.通过X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光谱等手段,研究了样品的物相、形貌和发光强度.结果表明,以AlF3、BaF2和NaF为助熔剂的样品相对于以LiCl、NH4Cl和未加助熔剂的样品更有利于BAM∶Eu^2＋的生成;采用适当的助熔剂可以得到不同形状的荧光粉颗粒;在254nm的紫外线激发下,使用不同种类助熔剂样品的发射光谱强度由强到弱依次为AlF3、BaF2、NaF、LiCl、未加助熔剂和NH4Cl.对不同助熔剂作用下BAM∶Eu^2＋样品的发光强度发生变化的原因进行了分析.     

新型绿色发光材料Sr_2ZnSi_2O_7:Tb~(3+)的制备及发光性质

采用微波辅助凝胶-燃烧法成功地合成了Sr2ZnSi2O7:Tb3+硅酸盐绿色发光材料.通过X线粉末衍射表征了材料的物相结构,用荧光分光光度计表征了材料的光致发光性能,同时对Tb3+浓度及助熔剂H3BO3用量等对材料发光性质的影响进行了研究.结果表明:该材料与Sr2ZnSi2O7具有相同的晶体结构,同属四方晶系.Sr2ZnSi2O7:Tb3+的激发光谱由位于200~300nm的1个宽带和位于325~400nm的1组窄峰组成,前者属于Tb3+4f8→4f75d的跃迁,后者由Tb3+离子的f→f跃迁引起;样品的发射光谱由位于414,436,490,543,584nm处的一系列窄带发射峰组成,均属于Tb3+的特征发射.其中,543nm处发射峰最强,因而样品发绿光.同时,确定了Tb3+的最佳掺杂量为摩尔分数x(Tb3+)=0.08,H3BO3的最佳用量摩尔分数x(H3BO3)=0.15.     

H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+蓄光性能的影响

采用共沉淀法制备SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 蓄光材料,研究了H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 蓄光性能的影响.XRD和光学性能测试结果表明,硼酸添加量为5wt%的样品结晶完全,其初始亮度达到5000mcd/m2,余辉时间大于8h,随着硼酸添加量增加,样品结晶程度降低、发光强度逐渐下降、余辉衰减速度加快.因此添加适量硼酸可以改善SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 的结晶性能和发光性能,过量添加硼酸将导致样品严重结块,SrAl2O4相减少、发光性能大大降低.     

前驱体预烧-共沉淀法制备SrAl2O4:Eu2+, Dy3+发光粉体及其发光性能

采用助熔剂预烧-共沉淀法制备初始荧光亮度较高的SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋发光粉体,并利用XRD、SEM、PL光谱等表征手段研究了预烧结过程与硼酸掺杂对发光粉体的结构与荧光性能的影响。结果表明：在硼酸摩尔分数为0.3和300℃空气气氛下对前驱体预烧结2 h后,粉体的结晶性能得到改善,其初始荧光强度相对于未预烧的产品,提高了2倍多。初步研究了其发光机理,发现初始强度提高的原因是经过预烧结处理能够在Eu^2＋周围产生更多的氧缺陷,从而提高了发光中心的发光效率和强度。     

红色荧光粉KGd(WO4)2:Sm3+的制备及发光性能

采用高温固相法合成KGd(WO4)2:Sm3+荧光粉,样品在近紫外区404nm光激发下发射出Sm3+的特征光谱.通过X射线粉末衍射、荧光光谱等对其进行了表征,并分析了其发光特性,结果表明:在KGd(WO4)2:Sm3+中Sm3+离子最佳的掺杂量为5%(摩尔分数);烧结温度为1 000℃、助熔剂H3BO3的浓度为2%(摩尔分数)时,样品的发光强度最强.     

助熔剂法合成Gd2O2S:Tb荧光粉

采用共沉淀法制备前驱体,再加入助熔剂煅烧合成Gd2O2S:Tb荧光粉,并对制备的荧光粉样品的晶体结构及发光性能进行了系统研究.结果表明:助熔剂的选择对Gd2O2S:Tb荧光粉合成影响显著;当Li2CO3与Li3PO4添加量的摩尔比为2:1时发光亮度最大,且颗粒分布较均匀;当助熔剂的质量分数为0.35时发光性能最好.     

Ca3（VO4）2：Eu^3＋,Bi^3＋外荧光材料的结构及性能研究

采用燃烧法工艺合成了Ca3（VO4）2：Eu^3＋,Bi^3＋荧光粉,对其结构、形貌和发光性能进行了表征,该荧光材料颗粒形貌规则、均一、发射主峰位于615．0nm,是一种良好的红色荧光粉。     

Eu~(2+),Dy~(3+)激发氯硅镁钙荧光材料发光特性的研究

采用高温固相法合成了Ga8Mg(SiO4)4Cl2:Dy3+和Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,De3+荧光粉.Dy3+激发的Ca8Mg(SiO4)4Cl2荧光粉发射光谱在蓝光区和黄光区有两个发射带,分别对应4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2的跃迁发射,蓝光和黄光混合成白光,通过Dy3+浓度改变可以调节白光的色温和色坐标.Eu2+,Dy3+共激发Ca8Mg(SiO4)4Cl2的发光强度明显比单掺Eu2+荧光粉的高,这是由于Dy3+→Eu2+之间存在共振能量传递.     

Sr_2SnO_4:Eu~(3+)红色荧光粉的制备及其性能研究

为研发白光LED(light-emitting diodes,发光二极管)用红色荧光粉,采用高温固相法制备了可被近紫外光有效激发的Sr_2SnO_4∶Eu~(3+)荧光粉,对样品分别进行了X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)的测定。结果表明:当烧结温度为1 300℃时,可以得到Sr_2Sn O_4的纯相,所制备的Sr_(1.90)SnO_4∶Eu_(0.10)~(3+)荧光粉颗粒的粒径大小约为1~2μm,颗粒形状较规则;Sr_2SnO_4:Eu~(3+)荧光粉能够被392 nm的紫外光有效激发,在611 nm处发出较强的红色荧光,对应于Eu~(3+)的5D0→7F2电偶极跃迁。392 nm处的吸收峰与目前应用的紫外光LED芯片相匹配,表明Sr_2Sn O_4∶Eu~(3+)红色荧光材料在白光LED领域具有潜在的应用前景。     

白光LED用橙色发射荧光粉Y_3Mg_2AlSi_2O_(12)∶Ce~(3+)的制备研究

采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、激发-发射光谱及反射光谱等手段,研究了以尿素为燃料的溶胶-凝胶燃烧法,制备白光LED用Y_3Mg_2AlSi_2O_(12)∶Ce~(3+)荧光粉过程中的还原温度、Ce~(3+)浓度等因素,对荧光粉结构、形貌和发光性能的影响.比较了溶胶-凝胶燃烧法和高温固相反应法制备的Y_3Mg_2AlSi_2O_(12)∶Ce~(3+)荧光粉的结晶度、形貌和发光性能,并从反应过程对造成两者差异的原因进行了讨论.     

一种新型发红光材料SrGdGa3O7:Eu3+及其性质研究

采用高温固相法合成了发红光的荧光粉SrGdGa3O7：Eu^3＋。漫反射光谱和激发光谱中Eu^3＋的电荷迁移带、Eu^3＋离子f→f跃迁以及Gd^3＋离子^8S7/2→^6I7/2。的跃迁相互吻合;监测Eu^3＋离子的特征发射,激发谱中有Gd^3＋离子的激发线表明存在Gd^3＋→Eu^3＋的能量传递。发射光谱中以^5D0→^7F2跃迁为主,表明Eu^3＋离子所占据的晶体学格位没有对称中心的cs格位。根据低温下的发射光谱计算了^7F1和^7F2能级完全解除简并后的每个分裂能级的位置。Eu^3＋的发射发生明显的温度猝灭现象,同时发射谱线的分辨率也逐渐降低。Eu^3＋离子的^5D0→^7F2跃迁在不同温度下的荧光衰减曲线相似;随着温度的升高,荧光发射强度衰减越快,但是仍然处于毫秒数量级;^5D0→^7F2跃迁是宇称和自旋禁阻的跃迁,所以荧光衰减时间比较长。     

H_3BO_3掺杂量对Ca_(0.77)Zn_(0.2)Na_(0.03)Ti_(0.97)Nb_(0.03)O_3:Pr_(0.002)~(3+)发光性能的影响

采用高温固相法制备了不同摩尔分数H3BO3的红色长余辉材料Ca0.77Zn0.2Na0.03Ti0.97Nb0.03O3:Pr3+0.002,利用X晶体衍射、发光光谱、余辉曲线和热释光曲线对制备的样品进行表征。结果表明:掺杂不同摩尔分数的H3BO3并没有改变样品的主晶相;当H3BO3的摩尔分数为0.07时,样品的发光光谱强度达到最大,继续增大掺杂量,样品的发光光谱强度开始减弱;当H3BO3的摩尔分数为0.07时,样品的余辉性能达到最强,余辉时间为21min,此时对应的陷阱深度为0.68eV。