导电性聚席夫碱的研究——Ⅲ.碘掺杂含硫聚席夫碱的ESR波谱

共轭型含硫聚席夫碱以碘掺杂后,其宏观导电性会大幅度增加(从10~(-11)S/cm增至10~(-3)S/cm)。为了解释这一掺杂过程的微观变化,对碘掺杂含硫聚席夫碱进行了ESR波谱分析。结果表明,聚合物在掺杂过程中,会形成自旋性阳离子自由基=(?)—(极子)。随着掺杂度提高,聚合物导电性一直增加,而样品中自旋浓度则首先增加,然后逐渐降低,表明由掺杂而形成的极子会部分地转变为无自旋的双极子。还探讨了聚合物掺杂过程中ESR峰形及线宽的变化原因。     

新型掺杂聚吡咯络合物吸附小分子行为的量子化学研究Ⅲ.PPCOC~ -H_2体系.Ⅳ.PPRUC-H_2体系

新型掺杂聚吡咯络合物吸附小分子行为的量子化学研究Ⅲ．ＰＰＣＯＣ＋－Ｈ２体系．Ⅳ．ＰＰＲＵＣ－Ｈ２体系刘尚长姜莉赵刚高扬丁洪生（辽宁大学化学系，沈阳１１００３６）关键词钴和钌络合物；掺杂聚吡咯；分子簇络合物；化学吸附；ＣＮＤＯ／２和ＤＶ—ｘα方法．本文...     

碘掺杂聚二茂铁-茴香醛的合成与表征

采用液相掺杂法合成了碘掺杂的聚二茂铁-茴香醛,通过红外光谱和热分析(TCA、DSC)对合成产物进行了分析表征,探讨了掺杂前后聚二茂铁-茴香醛的红外光谱和热稳定性的变化．结果表明碘掺杂后聚二茂铁-茴香醛的红外光谱与本体聚二茂铁-茴香醛的红外光谱相比,虽然主峰位置没有明显的变化,但吸收峰合并,谱峰数目大大减少,吸收强度大大减弱,随着掺入的碘量的增加,吸收率有所增加;碘掺杂聚二茂铁-茴香醛的热稳定性与聚二茂铁-茴香醛相比,低温耐热性能下降,而高温(300℃以上)耐热性却无明显的影响。     

本征态和碘掺杂聚并吡啶材料的X射线衍射研究

对由聚丙糊热裂解制备的本征态和碘掺杂聚并吡啶材料进行了Ｘ射线衍射研究。分析结果表明，ＰＡＮ原样具有高度结晶结构；当ＰＡＮ加入ＺｎＣｌ２后进行热解时结构发生变化，层间距ｄｃ随裂解温度的升高而增大，掺杂碘后，ｄｃ值比征态有所增加。     

聚苯硫醚的合成、掺杂及其导电性

以对二氯苯和硫化钠为原料、苯甲酸钠为催化剂,加压缩聚合成了分子量较高的线型聚苯硫醚(PPS)。加入1,2,4-三氯化苯可获得支化PPS。用SbCl_5(溶于CH_3NO_2)掺杂PPS,可使其导电率从10~(-16) S/cm增加到10~(-2) S/cm。溶剂CH_3 NO_2能显著加快掺杂速率并改善最终掺杂材料的导电性。探讨了掺杂过程溶剂的作用机理。考察了掺杂时间、温度、聚苯硫醚结晶性对掺杂后材料导电性的影响。     

乙烯基亚胺二聚反应机理的理论研究

The reaction mechanism of the dimerization of ketene imine is investigated by usillg Ab initio method at HF/6-31G* level. For the model reaction, the results show that these three reactions are nonsychronous, concerted ones and they are competitive. The substituent effect is also studied, which is in consistence with experimental facts.     

含偶氮基聚席夫碱的合成与表征

以对苯二甲醛和4,4’-二氨基偶氮苯衍生物为原料合成得到了3种含偶氮基聚席夫碱化合物,并利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱及荧光光谱进行了表征.结果表明,取代基为-OH时聚合物最大紫外吸收波长λmax最大,荧光光谱显示3种聚合物荧光性都比较弱.采用不含偶氮基的类似结构的聚席夫碱化合物作对照,表明偶氮基团的引入减弱了聚合物的荧光性.     

新型聚二茂铁基席夫碱及其盐的合成与性能

以二茂铁甲醛和对苯二胺为原料在中性条件下合成了小分子二茂铁基席夫碱,利用Friedel—Crafts反应合成了新型导电聚二茂铁基席夫碱,然后用二价金属盐（ZnCl2、CoCl2、SnCl2）对其进行了掺杂,得到了导电聚合物配体,用IR、^1H NMR对产物结构进行了表征,并测试了产物的电导率和磁性能．实验结果表明：未掺杂前本征态电导率在10^-8～10^-9 S·cm^-1范围内,经金属盐掺杂后,电导率可提高4～5个数量级,暗示了它们可用作有机半导体材料;同时钴金属配合物的磁性测试发现其具有S型特征磁滞回线,其磁饱和强度为0．612emu／g,剩余磁场强度为0．0257emu／g,矫顽力为130 Oe,表明聚合席夫碱的钻配合物是一种有机软铁磁体．     

掺杂对导电聚苯胺红外反射性能影响的研究

描述了带基片聚苯胺膜的光学性能测试结果，讨论了D－樟脑－10－磺酸的掺杂对聚苯胺红外反射性能的影响及其原理。     

H3PW12O40掺杂制备聚吡啶及其结构表征

采用H3PW12O40为氧化剂和掺杂剂,用化学氧化法制备聚吡啶.通过红外光谱、扫描电镜TG-DSC手段表征产物的结构和微观形貌,考察产物的热稳定性以及H3PW12O40物质量的浓度对转化率的影响.结果表明,随着体系中H3PW12O40物质量浓度的增加,单体转化率增加,最大可达到57%,之后则降低;制备的聚吡啶是从几十纳米到几个微米、大小不规律的颗粒状,并且伴随有团聚现象.在转化率达到57%之后得到的不用溶剂分离的产物中,含有形状规则的剩余无机H3PW12O40晶体;TG-DSC分析表明,在500～590 ℃聚吡啶很快分解失重.     

制备条件对镓掺杂氧化锌薄膜的透明导电性影响

用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质的变化情况以及氮气氛下不同退火温度下的光电性质,结果表明:镓掺杂氧化锌薄膜在450℃的基底温度、2%的掺杂浓度和700℃的退火温度等条件下实现了0.84×10-4Ω.cm的低电阻率和大于90%的可见光透过率,其光学带隙随退火温度的上升也有一定程度的增大.     

硅杂硫甲醛二聚反应机理的理论研究

用量子化学从头算方法对硅杂硫甲醛二聚反应进行了理论研究,结果表明,该反应为一由两步基元过程所构成的复杂反应,反应物首先经过一无势垒过程形成中间配合物,此中间配合物然后经过过渡态闭环形成四员环产物,第二步过程的活化势垒很低,总反应为强放热过程。     

聚苯胺掺杂、除掺杂和再掺杂与结构性能的研究

掺杂、除掺杂和再掺杂都是获取导电高分子的基本方法。本文通过Ｘ射线光电子能谱、红外光谱、Ｘ射线衍射以及元素分析等手段，对掺杂、除掺杂和再掺杂聚苯胺的结构与性能进行了对比研究，发现和总结了掺杂聚苯胺与除掺杂聚苯胺在结构和性能方面的差异和规律。本研究的成果不但可以为导电聚苯胺的实用化提供一些理论指导，而且还可以进一步丰富导电高分子的掺杂机理和导电机理理论     

聚丙烯纤维膜为基底的聚吡咯合成及其电容性能研究

通过对吡咯蒸汽的化学氧化,在聚丙烯纤维表面原位生成了聚吡咯及其与氧化镍的复合物.用XRD、SEM对样品进行了结构表征,用四探针法测试了样品的电导率.用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗法研究了复合材料的电化学电容性能.结果表明:复合膜的形貌、电导率和其用作电容的性能受到反应条件、聚吡咯度其复合物含量的影响;掺入氧化物有利于改善电容器的充放电性能.     

掺杂聚乙炔的电聚合及其电化学行为

采用电脉冲技术,以硝酸结的二甲基甲酰胺溶液为电解液,在铂电极上得到质地均匀,附着良好且有相当厚度的聚乙炔(PA)膜.不发生近期有关文献所报导的生成的PA以粉末状沉淀于电解液中的现象;电极表面状态,溶液的浓度、温度,脉冲电流的波形、强度,以及溶液中通入乙炔的量对聚合过程有重大影响;红外光谱和原子吸收光谱、电导率的测量以及循环伏安(CV)曲线皆证明在铂电极上的聚合物是Co~(2+)离子掺杂的PA.本文还从聚合方法的特点提出了一个直接估算电导率的公式.按此式计算的结果与实测值相吻合.     

化学氧化法制备聚吡咯的最优条件摸索

对化学氧化法制备导电聚合物聚吡咯的最优制备条件进行了摸索,通过万用表测试聚吡咯产物的电阻值,得到聚吡咯材料的导电性能.结果表明,表面活性剂的种类、氧化剂种类、聚合反应时间、聚合反应温度等对所制备的聚吡咯材料的导电性能有较大的影响.研究表明制备聚吡咯导电聚合物的最优条件是:使用苯磺酸钠为表面活性剂、Fe Cl_3为氧化剂、吡咯单体与表面活性剂的物质的量比为3∶1、吡咯单体与Fe Cl3的物质的量比为1∶3,在冰水浴的实验条件(约为3~5℃)下,聚合反应12 h.     

聚对苯及其衍生物的合成与应用研究

根据聚苯类及其衍生物具有独特的电、光、磁等性能,以及其优越的柔韧性和材料的可加工性,论述了聚对苯及其衍生物的制备方法、特点和应用,并提出了目前存在的问题及研究发展的方向.研究结果表明:聚对苯及其衍生物是一种极有应用前景的功能高分子材料,然而由于结构和制备的复杂性和多样性,还存在许多问题,如物性接近的异构体众多,相互分离十分困难,目标产物的选择性差,收率低,反应条件苛刻等.