超突变结变容管C—V曲线拐点存在条件的研究

根据改进的超变突结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释。     

超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究

在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上，对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算，得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表。本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺，从而获得了优于Ｋａｎｎｍａ和Ｓｏｕｋｕｐ的掺杂分布模型和计算结果。     

超突变结变容二极管C-V特性研究

对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致．理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的。     

压控变容二极管电容特性的解析表达式

利用场论说推导出非线性电容特性的普遍公式，并根据生产厂家给出的实验特性曲线，用Matlab程序进行曲线拟合。得出MMVL105GT1变容二极管的非线性电容作为电压的函数解析式，为工程上使用变容二极管的解析表达式提供了理论依据。     

二极对管的变频C—V和G—V研究

用自制的变频C-V和G-V测试系统研究了二极对管的C-V特性及其随频率变化的关系.发现结电容随频率的降低而明显增大,并伴有反常的尖峰出现.分析表明,半导体中的深能级杂质在低频下对结电容有显著影响.本文中还探讨了结电导—电压特性以及结电导对结电容测量的影响.     

利用PN结的C—V特性来测其击穿电压

提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种新的应用。     

使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器

为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitally controlled inductor-capacitor oscillator, DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)变容管.该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声.在中芯国际0.18 μm 互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO.仿真结果表明: 当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz, 与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB.     

“二极管伏安特性曲线”实验方案的改进

针对"二极管伏安特性曲线"实验方案的不足,提出了实验的改进方案,用大内阻的数字电压表替代小内阻的指针式电压表,再参考改进的伏安法电路所测数据,使用电压补偿电路进行详细的测量。采用上述方案测试了几种常见二极管的伏安特性曲线。结果显示,改进后的方案能准确的给出二极管的正、反向伏安特性,有助于二极管伏安特性实验总体目标的实现。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

CL128E与CL256C型自扫描光电二极管列阵的研究

本文详细地阐述了CL 128 E和CL 256 C自扫描光电二极管列阵的电路框图及工作原理.讨论了降低器件噪声的电路结构及工艺设计要点.提出了一种新颖的高速、低功耗电路作为列阵的扫描电路,对其工作原理进行了分析.最后给出了上述两种器件的技术参数测试结果.     

椭圆曲线y2=(x+a)(x2-ax+p)的大整数点

确定椭圆曲线的有理点(尤其大整数点)是数论与算术代数几何中十分有趣的问题。尤其椭圆曲线在密码学等方面的应用中,针对不同的情况,需要构造不同的椭圆曲线。本文在这类椭圆曲线y²=(x+a)(x²-ax+p)中找到了一族有大整数点的椭圆曲线。同时得到了这族椭圆曲线有整数解的充要条件,且给出了8条椭圆曲线的大整数点。     

具两个零根的三次系统高次奇点的拓扑结构

讨论了具有两个零特征根的平面三次系统高次奇点的局部拓扑结构，并给出利用多项式系数的判断准则     

具两个零特征根四次系统高次奇点的拓扑结构

讨论了具有两个零特征根的平面四次系统高次奇点的局部拓扑结构，给出利用多项式系数的判断准则。     

A-映象的不动点指数及其应用

本文建立了A-映象的不动点指数理论,它类似于A-proper 映象的不动点指数理论;前者不要求空间具有完备投影逼近格式,而后者需要.然后应用这种理论获得了 A-映象的一些非零不动点定理,它们包含了范数形式的拉伸与压缩不动点定理.由于某些全连续映象是 A-映象,因此我们的结果改进了关于全连续映象的某些重要定理.     

子群为特征的或自正规的群

群Ｇ的子群Ｈ称为特征的．若对Ｇ的所有自同构ａ都有Ｈ￣ａ≤Ｈ；群Ｇ的子群Ｈ称为自正规的，若Ｈ的正规化子一致于Ｈ，即Ｎ＿Ｇ（Ｈ）＝Ｈ，本文完全确定了每个子群为特征的或自正规的有限群。     

以初始轴为特征的一类拟线性双曲型方程组的混合问题

本文讨论关于未知向量函数v与s的如下拟线性双典型方程组其中a和β为适当维数的向量函数,σ为某个对角阵(依赖于v),求解区域为T(δ)={(t,ξ)|0≤t≤σ,ξ_-≤ξ≤ξ_+},初始条件为v(0,ξ)=v_o(ξ),它使得σ(v_o(ξ))=0,从而t=O为多重特征.此外,在ξ=ξ_±上还给定一组非线性边界条件.在适当的假设下,本文证明了上述问题的小范围解的存在性与唯一性,并且给出了解的一些估计式。这些结果可用于对拟线性双曲型方程组的中心波进行分析.     

容许凝聚映象的不动点指数及运用

本文引入了不必为锥映象的所谓容许凝聚映象的概念,建立了这种映象的不动点指数,并讨论了它的计算问题.本文推广了传统的锥映象的不动点指数,推广了锥拉伸与锥压缩不动点定理,得到了有关固有值和固有元存在性的几个定理.     

一类映象的不动点及耦合不动点定理

本文获得了局部凸拓扑向量空间中一类非紧非连续映象的不动点及耦合不动点定理,它们推广了最近许多作者的结果.     

关于无穷级代数体函数Borel点的一个结果

定义了单位圆内无穷级代数体函数的Borel点,将关于复平面上无穷级半纯函数的聚值线判定定理推广到了单位圆内的无穷级代数体函数.