非晶态半导体硅p-n结

早在1976年初,W.E.Spear等人已制成非晶态硅(a—si)p—n结。本文是探讨建立一种与之相应的静态理论,在隙态密度分布函数未知的情况下,利用积分中值定理,并对p—n结能带的性质作了适当假定之后,就达到了预期的目的。结果表明,在轻掺杂情形下,这种理论与晶体p—n结突变结理论在数学形式上仅差一个因子。     

非晶态硅氟合金光电导特性的研究

本文报道了对射频溅射α—Si:F薄膜光电导特性初步研究的结果。含氢和不含氢的样品是在Ar SiF_4和Ar SiF_4 H_2两种混合气体中分别制备的。对所有制得的样品测量了室温暗电导和在λ=6328及光照射样品表面功率密度为0.5mW/cm~2条件下测量了相应的光电导。实验结果表明(1)溅射α—Si:F薄膜有显著的光电响应;(2)光电导和暗电导的比值随气体的流量而接近成比例地变化。得到了最大σ_(ph)/σ_D比值为14000的薄膜样品;(3)溅射气氛中加入氢气对所得薄膜的光电导特性有一定影响。有关结果可用SiF_3、SiF_2H和SiFH_2键合组态的电子态不同解释。     

电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究

利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响．实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主一缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核．     

激光辐照单晶硅样品的研究

将功率为30W、波长为1064nm的YAG激光束(束斑直径0.045mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上有很特殊的网孔状结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,解释孔侧壁网孔状结构的机理.孔侧壁上的网孔状结构有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处.当样品在加工和检查过程中保持脱氧状态时,其样品几乎没有发光,证实了氧在PL发光增强上起着重要作用.我们用量子受限及其纳晶与氧化硅界面态复合的综合模型来解释其光致发光的增强机理     

非晶态半导体硅的球辐模型

早期曾有人提出,非晶硅可能由硅原子组成的五边十二面体作为结构单元而形成,这种单元称为“非晶子”.但是这种十二面体不可能连续填充空间,而且其径向分布函数也与实验不符.比较成功的模型是Polk提出的无规网络模型.可是从能量考虑,非晶硅中存在非晶子是有利的.我们从一个非晶子出发制作了包含425个球的球辐模型.实验结果表明,非晶子与无规网络是相容的.模型的径向分布函数也与实验基本符合.     

硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

氢化非晶态硅薄膜的渗氢内耗实验研究

用簧片振支法研究了ＧＤａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜气氛渗氢后的仙耗，当测量频率为４５７．５Ｈｚ时，在－４６℃处观察到氢致内耗峰，其激活能为０．３０±０．０５ｅＶ，弛豫时间因子为３．５２１０＾－９ｓ。     

关于激光辐照家蚕的遗传学研究

前言由中国科技大学与安徽省农业科学院蚕桑研究所协作,自1976年用釹玻璃激光器,以能量密度81焦耳/cm~2輻照家蚕品种“东肥”的蚕蛹,获得变异,已培育到第八代,性状初步稳定,定名为“肥激”,1978年春用肥激与华五杂交,組成杂种,历年在全省飼养,証明抗逆性强,好养,高产。与現行的全国优良品种东肥×华合相比,令期相仿,平均单产提高8.1%,张种产值提高10.4%,茧层量提高11%,茧层率提高8%,担桑产值高13.8%,茧价提高11.5%。从形态上看,肥激皮色呈浅灰色,而原种东肥呈深灰色,也有明显变异。我們对肥激第七代进行了細胞学观察,发現后絲腺細胞增加20%左右,染色体畸变率提高近2倍,对肥激第八代的絲蛋白电泳表明,其带譜与东肥有明显差异,說明肥激已发生明显变异,正成为一个漸趋稳定的新品种。     

非晶态硅薄膜的生长规律及其特性

非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄膜的结构与晶粒度,作了动力学理论分析,其结果与实验相一致。     

激光辐照加工的硅氧化结构的受激发光(英文)

我们用1064nm脉冲激光在硅表面加工出小孔结构,再作高温退火处理形成硅氧化纳米结构,发现该结构在692和694nm波长处有很强的光致受激发光(PL).通过进一步实验发现:该PL发光有明显的阈值表现和光泵线性增强效应,证明该PL发光确实是光致受激辐射.我们提出氧化界面态模型来解释光致受激发光机理,在氧化界面态与价带顶空穴态之间形成粒子数反转.这项工作为硅基上发光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.     

多孔硅激光

我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发现该结构在700nm和750nm处有很强的受激辐射发光(PL).实验中发现:该PL发光有明显的阈值表现和激光增强效应,证明该PL发光确实是光致受激发射.计算給出氧化界面态模型来解释该光致受激发光机理,其中Si=O和Si-O-S的键合可以产生氧化陷阱态,关键在于该氧化陷阱态与价带顶空穴态之间能够形成粒子数反转.为硅基上激光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.     

硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性

本文研究了硅中高温扩散硼和磷样品在CW-CO_2激光作用下薄层电阻、载流子面密度、迁移率和表面薄层(450)载流子浓度的变化。经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。通过高温热退火和再次激光辐照研究了“超固溶度”的不稳定性。同时对样品的正面和背面激光辐照对载流子的电激活效果作了比较。     

理想的非晶态硅和锗的结构模型

非晶态结构与相应的晶态结构之间存在着一定的联系。据此,本文提出了一个关于理想的非晶态半导体中原子排布的物理模型。利用它成功地将金刚石晶格“改造”成了非晶态硅和锗的连续无规网格,所得结构模型的主要参数(密度、径向分布函数等)均与实验结果符合得较好。     

激光辐照对香稻生物学效应的研究

本文研究了氦氖激光对不同香稻(Oryza satiua L.)品种的定芽势、发芽率、叶绿素含量、过氧化物酶同工酶、酯酶同工酶和淀粉酶同工酶的生物学效应.     

NdFeB永磁材料激光辐照效应研究

对NdFeB永磁材料经激光辐照的材料性能、组织结构的变化进行了实验研究和分析．结果表明,辐照区包括熔凝层和热影响区;激光辐照影响的主要因素是热效应和冲击力学效应。     

掺硼非晶态硅氟合金的电导特性

一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重要突破,同时也为非晶态半导体理论的进一步发展提供了富有价值的实验依据。关于a—Si:H材科的研究是近几年来在非晶态半导体方面的一个重要内容,围绕着氢对a—Si:H材料物理性质的影响、氢在其中的结构状态和电子状态等方面已经完成了和正在进行着大量的研究工作。     

非晶态硅氟合金及掺硼效应

一、引言Kolomiets等人在对硫系玻璃进行了多年研究的基础上曾经指出,对玻璃材料很难通过掺杂的方式改变导电类型和电阻率。因此,多年来人们一直认为非晶态半导体是很难实现掺杂效应的。事实上,几年前做出的材料也大都是高阻的。1975年Spear等人首先实现了用辉光放电技术制备的非晶态硅(a—si)的掺杂效应,这在非晶态硅技术中是一次重要突破。随后,Car/son等人用上述材料做出了转换效率为5.5%的太阳能电池,于是围绕着在太阳能电池中的应用对非晶态硅的研究迅速掀起了一个高潮。目前一般认为制做廉价的太阳能电池最有希望的材料是含氢的非晶态硅,称做硅氢合金(a—si:H)。我们据现有资料和自己的初步实验结果认为非晶态硅氟合金(a—si:F)可能是一种比a—si:H合金更有希望的材科。     

离子辐照与发光多孔硅

报道了离子辐射损伤地多孔硅的形成及其发光性质的影响，硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅，注入剂量增加，光荧光谱强度减弱，谱峰红移，半高宽减小，如果样品被非晶化将不发光，因此，为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据，制成的图形分辨率达２μｍ。