神经元MOS的特性分析

在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上，使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟，给出了器件的转移特性曲线，得到了器件的“可变阚值”特性，并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。结果表明，该器件可使电路结构大为简化，器件数目大大减少。最后通过对器件运算精度的分析，得出其运算精度主要受MOS晶体管寄生电容等因素的影响。     

用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度

引言目前常用MOS 器件的C—V 特性测量Si—SiO_2界面特性,但是,无论用准静态C—V法或高频C—V 法,都难以测量由陷阱产生少数载流子的特性.为了测量陷阱的少数载流子产生率,曾发展了一些方法,但是,这些实验方法数据处理烦琐,不宜在生产中应用.在1977年以后,由J.G.Simmons 等发展了MOS 器件对三角形电压扫描的非平衡响应     

应变绝缘硅器件及相关技术

本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器件的现状及发展趋势.     

硅双栅MOS场效应晶体管的噪声特性

本文是对双栅MOS场效应晶体管(简写为DG—MOSFET'S)噪声特性的研究。其方法是把噪声源(噪声电压源、噪声电流源)并入DG—MOSFET'S的等效电路中,把DG—MOSFET'S视为无噪声器件。这样可以通过共源和共栅结构的等效电路详细的推导出DG—MOSFET'S的噪声系数。从而得出提高频率特性和降低噪声系数的方向及具体工艺措施。     

基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,计总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0．8V两级运算放大器和1V 2．4 GHz Gilbert混频器电路,并采用TSMC 0．25 μm 2P5MC MOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。     

MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.     

MOS器件直接隧穿栅电流及其对CMOS逻辑电路的影响

随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性理论和仿真,对小尺寸MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的直接隧穿栅电流进行研究,并通过对二输入或非门静态栅泄漏电流的研究,揭示直接隧穿栅电流对CMOS(complementary metal oxide semiconductor)逻辑电路的影响.仿真工具为HSPICE软件,MOS器件模型参数采用的是BSIM4和LEVEL 54,栅氧化层厚度为1.4 nm.研究结果表明:边缘直接隧穿电流是小尺寸MOS器件栅直接隧穿电流的重要组成成分;漏端偏置和衬底偏置通过改变表面势影响栅电流密度;CMOS逻辑电路中MOS器件有4种工作状态,即线性区、饱和区、亚阈区和截止区;CMOS逻辑电路中MOS器件的栅泄漏电流与其工作状态有关.仿真结果与理论分析结果较符合,这些理论和仿真结果有助于以后的集成电路设计.     

用椭偏光法研究Si-SiO_2过渡层的特性

引言硅与二氧化硅之间的界面态对半导体MOS器件工作特性有重要的影响。近几年来,在这方面的研究及讨论引起了广泛的兴趣.Y,C.Chang对此作了综合性的评述。目前,认为硅与二氧化硅界面间存在一过渡层,它的特性对界面态密度和MOS结构中所观察到的不稳定性有着深刻的联系.T.w.Sigmon等用2Mev He离子探针测得     

用于SPICEⅡ程序的耗尽型MOS器件模型

分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法。模拟结果与实验基本吻合。     

中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能.     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式．     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件在引线链合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式。     

基于多层神经网络的HEMT大信号特性研究

提出一种利用小信号等效电路模型,通过使用多层神经网络来描述高电子迁移率晶体管(HEMT)与偏置有关的大信号特性方法.通过实验发现,用一个2输入,5层28个神经元的神经网络,可以同时提取出7个本征参数.计算机仿真表明,该网络具有精度较高的特性以及很好的预测性.     

有机薄膜光敏三极管动态特性及其应用

为研究试制的有机半导体酞菁铜薄膜静电感应光敏三极管的动态特性,采用电阻分压的方法检测对方波信号的响应速度,测定上升时间为268.1ns.根据所测得的参数,建立了该三极管的微变等效电路,并对参数对器件工作的影响进行了分析.结果证明该器件可以在大面积图像感光传感器中使用,并根据其光敏特性和动态特性,提出了图像感光阵列的设计方法和工作原理.     

交-交矩阵变换器等效电路的分析

基于PARK变换技术 ,把矩阵变换器等效成不含开关元件的线形定常等效电路 ,运用线性系统的方法分析输入功率因数、输出电压增益、输入功率的特性 ,所得结果对矩阵变换器研究具有一定的指导意义 .     

中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

本文描述了一种新奇的 SOI 技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了 SOI 结构。在这个结构上我们制作了 n 沟 MOSFET。本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的 MOS 器件的性能.     

基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路.利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能.该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个N...     

Josephson效应非线性特性的研究

用等效电路理论分析实际的Josephson结，并讨论在噪声作用下Josephson结构的非线性特性，所得结果为Josephson器件的研究和应用提供了依据。     

具有误差修正的神经元MOS数模转换器

基于神经元MOS (νMOS)加权运算的功能设计一种结构简单的新型数模转换器.该转换器通过附加电路来修正MOS管阈值电压、减小积分非线性和微分非线性以及输入栅电容精度工艺偏差等影响,使输出误差限定在 0.5LSB以内.在转换时间分别为100ns、50ns两种情况下, 采用Charted 0.35μm工艺、用 Candence spectre工具对其动态特性进行了模拟研究,结果表明:在转换时间为100ns的输出误差均在 0.5LSB以内.     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器

提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.